公开(公告)号：CN103534196B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280023025.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克 ,  弗兰克·Y·琳 ,  艾伦·J·米勒 ,  许青 ,  徐相俊 ,  咸进焕 ,  尹尚俊 ,  卡梅利娅·鲁苏

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔；在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。

公开(公告)号：CN103534196A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023025.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克 ,  弗兰克·Y·琳 ,  艾伦·J·米勒 ,  许青 ,  徐相俊 ,  咸进焕 ,  尹尚俊 ,  卡梅利娅·鲁苏

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔;在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。