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公开(公告)号：CN117926049B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410113552.7
申请日：2024-01-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超高强高弹性细晶Cu‑Ni‑Mn合金及其制备方法，所述合金的主要成分按质量百分比计，Ni：18％‑25％，Mn：18％‑25％，Nb：0.1％‑1.0％，Y：0.05％‑0.2％余量为铜和不可避免的杂质；本发明通过合金元素Nb以及稀土元素Y的添加，采用低温固溶和时效处理，Nb和Ni形成金属间化合物Ni3Nb，Y和Ni形成金属间化合物Ni2Y，细化晶粒，降低再结晶温度，促进再结晶，抑制不连续析出相(DP)的析出，改善合金时效析出相的分布，得到抗拉强度大于等于1500MPa，弹性模量大于等于150GPa的高强高弹Cu‑Ni‑Mn合金；本发明制备的Cu‑Ni‑Mn合金组织均匀细小，时效处理后合金的晶粒尺寸2～3μm，具有强度高，弹性、塑性好的优良综合性能。
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公开(公告)号：CN117926049A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410113552.7
申请日：2024-01-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超高强高弹性细晶Cu‑Ni‑Mn合金及其制备方法，所述合金的主要成分按质量百分比计，Ni：18％‑25％，Mn：18％‑25％，Nb：0.1％‑1.0％，Y：0.05％‑0.2％余量为铜和不可避免的杂质；本发明通过合金元素Nb以及稀土元素Y的添加，采用低温固溶和时效处理，Nb和Ni形成金属间化合物Ni3Nb，Y和Ni形成金属间化合物Ni2Y，细化晶粒，降低再结晶温度，促进再结晶，抑制不连续析出相(DP)的析出，改善合金时效析出相的分布，得到抗拉强度大于等于1500MPa，弹性模量大于等于150GPa的高强高弹Cu‑Ni‑Mn合金；本发明制备的Cu‑Ni‑Mn合金组织均匀细小，时效处理后合金的晶粒尺寸2～3μm，具有强度高，弹性、塑性好的优良综合性能。
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公开(公告)号：CN117900689A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410113524.5
申请日：2024-01-26
Applicant: 昆明理工大学
IPC: B23K35/26
Abstract: 本发明涉及一种耐腐蚀Sn‑Ag‑Cu系无铅钎料合金及其制备方法，属于钎焊材料领域。本发明包括按质量百分数计为Ag：2.7‑3.3％，Cu：0.4‑0.6％，Bi：1.5‑3.0％，Sb：0.2‑2.0％，Zr：0.01‑0.5％，余量为Sn的Sn‑Ag‑Cu系无铅钎料合金以及Sn‑Ag‑Cu系无铅钎料合金的制备方法。通过本发明制备方法制备得到的Sn‑Ag‑Cu系无铅钎料合金具有熔点较低、抗拉强度高、耐腐蚀性优异等性能，可以在较为恶劣的条件下使用，适用范围广。
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公开(公告)号：CN118792535A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410838356.6
申请日：2024-06-26
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22C1/059 , C22C32/00 , C22C21/02 , C22F1/043 , B22F9/04 , B22F1/068 , B22F3/10 , B22F3/20 , B22F3/24
Abstract: 本发明公开一种氮化硼纳米片/TiB2颗粒协同增强铝硅复合材料，属于复合材料技术领域。所述氮化硼纳米片/TiB2颗粒协同增强铝硅复合材料包括氮化硼纳米片、TiB2颗粒和铝硅合金，通过低速球磨和粉末冶炼法制备得到。本发明通过氮化硼纳米片与微米TiB2颗粒在球磨阶段实现合金粉体的片状化和粒径细化，有利于实现复合材料中在硅相和金属化合物的均匀细化。另外，本发明通过外加引入氮化硼纳米片与微米TiB2颗粒来协同调控硅复合材料中在硅相和金属化合物的形貌与分布，实现复合材料力学性能的提高，突破强塑性倒置关系瓶颈。
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公开(公告)号：CN117324825A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311314216.0
申请日：2023-10-11
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种含Ag、Bi、Ge的Sn‑Zn系无铅焊料及其制备方法，属于电子材料类的钎焊材料领域。本发明通过控制焊料中Ag、Bi、Ge元素的含量来调控焊料合金的显微组织形貌、物相组成及熔化性能，并提供了一种含Ag、Bi、Ge的Sn‑Zn系无铅焊料的制备方法。采用三种中间合金混合法制备，相比于传统熔铸方法，焊料合金组织均匀、成分准确、工艺简单、节约成本，并改善了焊料合金的润湿性能，抗氧化性能及耐腐蚀性能。该焊料可供在高温高湿环境中服役的电器设备的微电子芯片电路板钎焊使用。
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公开(公告)号：CN117260059A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311314338.X
申请日：2023-10-11
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种低Ge含量的耐腐蚀Sn‑Zn系无铅焊料及其制备方法，属于电子材料类的钎焊材料领域。所述Sn‑Zn系无铅焊料化学成分包括Sn、Zn、Ge，各组分质量百分比分别为Zn：9％，Ge：0.2～1.0％，余量为Sn。本发明通过控制焊料中Ge元素的含量及分布来调控焊料合金的显微组织、腐蚀电位及腐蚀表面阻抗值来改善焊料合金的耐腐蚀性能，优选出Ge的添加量为0.4～0.6％；与传统Sn‑Pb焊料和Sn‑9Zn共晶焊料相比，本发明提供了一种具有经济、环保和耐腐蚀性能良好的低Ge含量Sn‑Zn系无铅焊料，该焊料可供在高温高湿环境中服役的电器设备的微电子芯片电路板钎焊使用。
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公开(公告)号：CN118910462A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411309591.0
申请日：2024-09-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种同时提高Cu‑Cr‑Ti系合金强度和导电率的方法，属于铜合金材料领域。本发明包括按质量百分数计为Cr：0.1％‑1％，Ti：0.05％‑0.5％，Zn：0.01％‑0.5％，余量为Cu及其他不可避免的杂质元素的Cu‑Cr‑Ti系高强高导铜合金。本发明通过合金元素Zn的添加，采用固溶和时效处理，显著提高了Cu‑Cr‑Ti系合金的强度和导电率，突破强度‑导电率的倒置关系。通过固溶处理，Cu原子和Zn原子发生置换固溶，Zn原子代替了原本和Cu原子发生置换固溶的Cr原子，再通过时效处理析出Cr原子，使得Cu‑Cr‑Ti合金的强度和导电率同时提升。集成电路引线框架、轨道接触线及电接触材料等领域有着极好的应用价值。
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公开(公告)号：CN118653067A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410601847.9
申请日：2024-05-15
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种Al2O3/Al2Cu复相增强高硅耐热铝基复合材料的制备方法，属于金属基复合材料制备技术领域。本发明以过共晶铝硅合金与氧化铜粉末为原料，经过变速球磨、真空热压烧结、热挤压、固溶时效处理得到原位生成的纳米级Al2O3颗粒和Al2Cu的Al2O3/Al2Cu复相增强高硅耐热铝基复合材料。本发明所述Al2O3/Al2Cu复相增强高硅耐热铝基复合材料室温下拉伸强度达到451.79MPa，延伸率达到4.42％，高温下抗拉强度可达99.11MPa，延伸率可达24.15％，具有高温稳定性好，强度高，耐磨损，热膨胀系数低，导热性能优异等优点。
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公开(公告)号：CN117684044A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311777069.0
申请日：2023-12-22
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种形变诱导马氏体相变增强的Zr基合金，属于合金技术领域。本发明所述Zr基合金包括如下质量百分含量的成分：Zr为54.00％～59.00％，Co为35.00％～38.00％，Nb为1.00％～4.00％，Ta为2.00％～7.00％，其余为不可避免的微量杂质；通过电弧熔炼，在吸铸过程中析出较大体积分数的B2相，在之后压缩过程中形变诱导B2向B33发生马氏体转变，同时，通过加入Nb、Ta元素调控B2相和Zr2Co等其他脆性相的体积分数占比。利用以上特性，增强合金的屈服强度和极限压缩强度，同时极限压缩应变到75.00％以上时合金依然不断裂，且加工硬化能力显著，显著提高合金的力学性能，可以满足高应力场景需求。
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公开(公告)号：CN119843135A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510038961.X
申请日：2025-01-10
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种SiC增强CrMnFeCoNi高熵合金复合材料及其制备方法，属于复合材料及其制备技术领域。本发明复合材料成分按质量分数计包括：CrMnFeCoNi高熵合金：95～99.5％，SiC：0.5～5％；制备方法包括S1：将CrMnFeCoNi高熵合金粉末，在氩气气氛下进行球磨；S2：向所述步骤S1中球磨后的CrMnFeCoNi高熵合金粉末中加入SiC粉末，并继续在氩气气氛下球磨，得到复合材料粉体；S3：将所述步骤S2中制得的复合材料粉体进行真空热压烧结，得到SiC增强CrMnFeCoNi高熵合金复合材料块体。本发明通过分步球磨工艺，降低脆性相产生的负面影响，同时显著提升复合材料强度，使复合材料综合性能呈上升趋势，让复合材料综合性能处于较优水平。
