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公开(公告)号：CN100454502C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610144466.4
申请日：2006-11-08
CPC classification number: H05K3/423 , H01L2924/0002 , H05K3/0023 , H05K3/025 , H05K3/108 , H05K3/386 , H05K3/421 , H05K3/427 , H05K3/4652 , H05K2201/0355 , H05K2201/0394 , H05K2203/0733 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可实现布线间距不足40μm的高密度布线的多层布线基板的制造方法和多层布线基板及使用其的电子装置。在电绝缘材料(1)的两面，通过转印形成正面导电层(2A)及背面导电层(2B)，再设置贯穿正面导电层(2A)及电绝缘材料(1)的通孔(5)，在形成感光性耐电镀抗蚀剂图案(14)后，在用填充镀铜材料(15)来填充通孔(5)的同时，形成正面布线层(9A)及背面布线层(9B)，除去感光性耐电镀抗蚀剂图案(14)及位于其下部的正面导电层(2A)及背面导电层(2B)来制造两面布线基板(11)。
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公开(公告)号：CN1964006A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610144466.4
申请日：2006-11-08
CPC classification number: H05K3/423 , H01L2924/0002 , H05K3/0023 , H05K3/025 , H05K3/108 , H05K3/386 , H05K3/421 , H05K3/427 , H05K3/4652 , H05K2201/0355 , H05K2201/0394 , H05K2203/0733 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可实现布线间距不足40μm的高密度布线的多层布线基板的制造方法和多层布线基板及使用其的电子装置。在电绝缘材料(1)的两面，通过转印形成正面导电层(2A)及背面导电层(2B)，再设置贯穿正面导电层(2A)及电绝缘材料(1)的通孔(5)，在形成感光性耐电镀抗蚀剂图案(14)后，在用填充镀铜材料(15)来填充通孔(5)的同时，形成正面布线层(9A)及背面布线层(9B)，除去感光性耐电镀抗蚀剂图案(14)及位于其下部的正面导电层(2A)及背面导电层(2B)来制造两面布线基板(11)。
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公开(公告)号：CN1146985C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN98102973.6
申请日：1998-06-06
CPC classification number: H01L24/50 , H01L23/3107 , H01L23/49572 , H01L23/49816 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/73215 , H01L2924/0001 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2224/29099 , H01L2924/00
Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力，在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中，作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层，设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上，由于采用粘接薄片可简化制造工序，所以能够大量生产并提高封装可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1835212A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610064802.4
申请日：2006-03-14
Applicant: 日立电线株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48 , H01L2924/19041
Abstract: 本发明提供了可以以较小的力从电子装置用基板一侧剥下芯基板，来减轻为了使电极面在下面露出的化学或电化学溶解法或机械研磨作业的负荷，并且能够进一步缩小尺寸的电子装置用基板及其制造方法、以及电子装置及其制造方法。在由金属构成的芯基板(101)上形成搭载有电子部件的光阻焊剂(PSR)膜(102)，在该PSR膜(102)上，由金构成的镀膜(104)、由镍构成的镀膜(105)和由金构成的镀膜(106)的三层结构的多个金属电极(110)，形成于PSR膜(102)的规定位置的内部，在厚度方向贯通PSR膜(102)。在制造电子装置的最终阶段，通过喷射氯化铁水溶液来化学溶解去除该芯基板(101)。
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公开(公告)号：CN1207583A
公开(公告)日：1999-02-10
申请号：CN98102973.6
申请日：1998-06-06
CPC classification number: H01L24/50 , H01L23/3107 , H01L23/49572 , H01L23/49816 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/73215 , H01L2924/0001 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2224/29099 , H01L2924/00
Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力,在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中,作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层,设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上,由于采用粘接薄片可简化制造工序,所以能够大量生产并提高封装可靠性。
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公开(公告)号：CN100481403C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610064802.4
申请日：2006-03-14
Applicant: 日立电线株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48 , H01L2924/19041
Abstract: 本发明提供了可以以较小的力从电子装置用基板一侧剥下芯基板，来减轻为了使电极面在下面露出的化学或电化学溶解法或机械研磨作业的负荷，并且能够进一步缩小尺寸的电子装置用基板及其制造方法、以及电子装置及其制造方法。在由金属构成的芯基板(101)上形成搭载有电子部件的光阻焊剂(PSR)膜(102)，在该PSR膜(102)上，由金构成的镀膜(104)、由镍构成的镀膜(105)和由金构成的镀膜(106)的三层结构的多个金属电极(110)，形成于PSR膜(102)的规定位置的内部，在厚度方向贯通PSR膜(102)。在制造电子装置的最终阶段，通过喷射氯化铁水溶液来化学溶解去除该芯基板(101)。
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公开(公告)号：CN101452904B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200810181655.8
申请日：2008-12-02
Applicant: 日立电线精密株式会社 , 御田护
IPC: H01L23/495 , H01L21/48 , H01L33/00 , H01L31/02 , H01L31/0203
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了在长期使用的情况下也能抑制特性劣化的引线框架及其制造方法以及受光发光装置。本发明的引线框架具有：基体材料；在基体材料的一部分上形成的反射层；以及，至少设置在反射层上并覆盖反射层的特性维持层，该特性维持层将反射层与外部隔绝，从而维持反射层的特性。
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公开(公告)号：CN101452904A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810181655.8
申请日：2008-12-02
Applicant: 日立电线精密株式会社 , 御田护
IPC: H01L23/495 , H01L21/48 , H01L33/00 , H01L31/02 , H01L31/0203
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供了在长期使用的情况下也能抑制特性劣化的引线框架及其制造方法以及受光发光装置。本发明的引线框架具有：基体材料；在基体材料的一部分上形成的反射层；以及，至少设置在反射层上并覆盖反射层的特性维持层，该特性维持层将反射层与外部隔绝，从而维持反射层的特性。
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