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公开(公告)号：CN1912752A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114832.1
申请日：2006-08-08
Applicant: 施乐公司
Inventor： S·米什拉 , S·R·帕里克 , A·M·霍尔甘 , K·M·卡麦克尔 , M·R·西尔维斯特里 , E·F·格拉波夫斯基 , D·J·古德曼 , R·L·波斯特 , D·肯尼-塔恩
CPC classification number: G03G5/142 , G03G5/0564
Abstract: 目前公开的实施方案涉及用于静电摄影的防卷曲背层。更特别地，实施方案涉及具有改进的防卷曲背层的静电摄影成像元件，该改进的防卷曲背层包括低表面能聚合物材料以防止卷曲和降低摩擦，及制备和使用该元件的方法。
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公开(公告)号：CN101089735A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710110093.3
申请日：2007-06-14
Applicant: 施乐公司
Inventor： J·吴 , K·-T·丁 , K·M·卡麦克尔 , M·S·雷特克 , K·J·埃文斯 , G·M·T·福利 , A·M·霍尔根 , Y·K·拉斯穆森 , S·米什拉 , E·F·格拉波夫斯基 , L·-B·林
CPC classification number: G03G5/0582 , G03G5/047 , G03G5/0567 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/14704 , G03G5/14708 , G03G5/1476 , G03G5/14778
Abstract: 本发明公开了一种光电导体，其包含任选的支撑基材、光生层和至少一个电荷输送层、至少一种上式的C－醚，其中R1、R2、R3和R4独立地选自氢、烷基、芳基、烷氧基、取代烷基、取代芳基、取代烷氧基和卤素，并且n加m的总和(n+m)是约1－约10。
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公开(公告)号：CN1885173A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610092822.2
申请日：2006-06-19
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: G03G5/0575 , G03G5/0507 , G03G5/0564 , G03G5/0578 , G03G5/0596 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , H01L27/307 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0082 , H01L51/424
Abstract: 成像元件包括导电层、正电荷阻挡层、成像层和中间涂层。中间涂层在成像层和导电层中间。中间涂层包括成膜聚合物和分散在其中的粒状材料。粒状材料在其上负载阻电材料。
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公开(公告)号：CN1885174B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200610093862.9
申请日：2006-06-20
Applicant: 施乐公司
Inventor： S·米什拉 , A·M·霍尔甘 , K·J·埃文斯 , G·利伯曼 , K·M·卡麦克尔 , D·J·普罗塞尔 , R·L·波斯特 , E·A·多姆 , J·容金格尔 , M·E·扎克
CPC classification number: G03G5/047 , G03G5/043 , G03G5/0525 , G03G5/0564 , G03G5/0614
Abstract: 本发明成像元件包括生电层和输电层。输电层包括与生电层接触的第一表面和第二表面。输电层包括成膜聚合物基料和分散于其中的输电组分。输电组分在输电层中的浓度在输电层的第一和第二表面中间的输电区域中处于峰值。
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公开(公告)号：CN100565357C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610114832.1
申请日：2006-08-08
Applicant: 施乐公司
Inventor： S·米什拉 , S·R·帕里克 , A·M·霍尔甘 , K·M·卡麦克尔 , M·R·西尔维斯特里 , E·F·格拉波夫斯基 , D·J·古德曼 , R·L·波斯特 , D·肯尼-塔恩
CPC classification number: G03G5/142 , G03G5/0564
Abstract: 目前公开的实施方案涉及用于静电摄影的防卷曲背层。更特别地，实施方案涉及具有改进的防卷曲背层的静电摄影成像元件，该改进的防卷曲背层包括低表面能聚合物材料以防止卷曲和降低摩擦，及制备和使用该元件的方法。
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公开(公告)号：CN1885173B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200610092822.2
申请日：2006-06-19
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: G03G5/0575 , G03G5/0507 , G03G5/0564 , G03G5/0578 , G03G5/0596 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , H01L27/307 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0082 , H01L51/424
Abstract: 成像元件成像元件包括导电层、正电荷阻挡层、成像层和中间涂层。中间涂层在成像层和导电层中间。中间涂层包括成膜聚合物和分散在其中的粒状材料。粒状材料在其上负载阻电材料。
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公开(公告)号：CN101089735B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200710110093.3
申请日：2007-06-14
Applicant: 施乐公司
Inventor： J·吴 , K·-T·丁 , K·M·卡麦克尔 , M·S·雷特克 , K·J·埃文斯 , G·M·T·福利 , A·M·霍尔根 , Y·K·拉斯穆森 , S·米什拉 , E·F·格拉波夫斯基 , L·-B·林
CPC classification number: G03G5/0582 , G03G5/047 , G03G5/0567 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/14704 , G03G5/14708 , G03G5/1476 , G03G5/14778
Abstract: 本发明公开了一种光电导体，其包含任选的支撑基材、光生层和至少一个电荷输送层、至少一种下式的C-醚：其中R1、R2、R3和R4独立地选自氢、烷基、芳基、烷氧基、取代烷基、取代芳基、取代烷氧基和卤素，并且n加m的总和(n+m)是约1-约10。
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公开(公告)号：CN1885174A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093862.9
申请日：2006-06-20
Applicant: 施乐公司
Inventor： S·米什拉 , A·M·霍尔甘 , K·J·埃文斯 , G·利伯曼 , K·M·卡麦克尔 , D·J·普罗塞尔 , R·L·波斯特 , E·A·多姆 , J·容金格尔 , M·E·扎克
CPC classification number: G03G5/047 , G03G5/043 , G03G5/0525 , G03G5/0564 , G03G5/0614
Abstract: 成像元件包括生电层和输电层。输电层包括与生电层接触的第一表面和第二表面。输电层包括成膜聚合物基料和分散于其中的输电组分。输电组分在输电层中的浓度在输电层的第一和第二表面中间的输电区域中处于峰值。
