-
公开(公告)号：CN102087892B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201010581986.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: H01B1/22 , B22F1/0022 , B22F1/0074 , B82Y30/00 , H05K1/095 , H05K1/097 , H05K2201/0224 , H05K2203/122
Abstract: 一种在衬底上形成导电部件的方法，所述方法包括使一种金属化合物与一种还原剂在一种稳定剂的存在下在包含所述金属化合物、所述还原剂和所述稳定剂的反应混合物中反应——其中所述反应混合物基本无溶剂——以形成表面上带有所述稳定剂分子的多个金属纳米颗粒。在分离出所述多个金属纳米颗粒之后，将一种包含聚合物粘合剂、液体和表面上带有所述稳定剂的分子的多个金属纳米颗粒的液体组合物通过液相沉积技术沉积在衬底上以形成沉积组合物。然后加热所述沉积组合物以在所述衬底上形成导电部件。
-
公开(公告)号：CN102776505A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210148722.2
申请日：2012-05-14
Applicant: 施乐公司
IPC: C23C24/00
CPC classification number: H01B3/44 , C23C2/04 , C23C2/28 , C23C2/38 , C23C24/00 , C23C26/00 , H01B1/02 , H01B3/305 , H01B3/306 , H01B3/40 , H01B3/421 , H01B3/426 , H01B3/441 , Y10T428/24942 , Y10T428/24975 , Y10T428/2973
Abstract: 本发明涉及使用银纳米颗粒形成包覆层的方法以及线材。本文公开的是用银包覆层涂覆线材的方法。将银纳米颗粒分散于低表面张力溶剂中以形成涂覆溶液。拉着线材通过该涂覆溶液以在线材上形成银纳米颗粒涂层。然后将涂层退火以在其上形成具有银包覆层的线材。
-
公开(公告)号：CN102487125A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110392847.5
申请日：2011-12-01
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0036 , H01L51/0097 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种电子器件，例如薄膜晶体管，包括衬底和由介电组合物形成的介电层。所述介电组合物包括介电材料和低表面张力添加剂。该低表面张力添加剂使得形成具有更少针孔和更高器件成品率的薄的平滑介电层。在具体实施方案中，所述介电材料包括k较低的介电材料和k较高的介电材料。当沉积时，k较低的介电材料和k较高的介电材料形成分离相。
-
公开(公告)号：CN102127210A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110022626.9
申请日：2011-01-18
Applicant: 施乐公司
IPC: C08G61/12 , C07D495/04 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/411 , C08G2261/91 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 一种包含一种聚噻吩和至少一种提供二价连接基的化合物的聚合物半导体，所述聚噻吩的Mn为约1,000至约400,000道尔顿且衍生自式(1)的苯并二噻吩单体片段，所述提供二价连接基的化合物选自芳香族或杂芳族电子受体化合物X和芳香族或杂芳族化合物Y，其中R1和R2为独立地选自氢原子、烃基、杂原子及其结合的侧链。
-
公开(公告)号：CN101996699A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010256035.3
申请日：2010-08-13
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: H05K3/1283 , C09D11/52 , C23C24/08 , C23C26/00 , H05K1/097 , H05K2203/0789 , H05K2203/1131 , H05K2203/122 , Y10T428/265 , Y10T428/31504
Abstract: 示例性实施方案提供了用于在不大于约140℃的低加工温度下形成高导电部件的材料和方法，所述部件包括被稳定的含银纳米颗粒。
-
公开(公告)号：CN102675965B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210057081.X
申请日：2012-03-06
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: C09D11/322 , C09D7/20 , C09D7/68 , C09D11/36 , C09D11/52
Abstract: 本发明提供了适于印刷(如通过喷墨印刷)的高效纳米颗粒组合物。具体来说，提供了一种包含银纳米颗粒的导电性油墨制剂，其具有最佳的性能，如降低的咖啡圈效应、改进的对基底的粘附以及延长的印刷头开盖时间或潜伏时间。该油墨制剂包含两种或多种溶剂和一种树脂。
-
公开(公告)号：CN102817015B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210183045.8
申请日：2012-06-05
Applicant: 施乐公司
IPC: C23C18/08
CPC classification number: C23C18/08
Abstract: 本发明涉及一种含有钯盐和有机胺的钯母体组合物。该组合物使得可使用溶液处理法形成钯层。本发明还涉及一种用于在基底上形成钯层的方法，其包括接受一种钯母体组合物，其含有钯盐、有机胺、和水不混溶的有机溶剂；用钯母体组合物对基底进行溶液涂布；以及加热钯母体组合物以形成钯层。另外，本发明还涉及一种在物体上形成导电钯层的方法，其包括接受一种钯母体溶液，其含有至少一种钯盐、至少一种有机胺，和至少一种水不混溶的有机溶剂；用该钯母体溶液对该物体进行溶液涂布以在该物体上形成无定形涂层；以及加热该无定形层形成导电钯层。
-
公开(公告)号：CN102817015A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210183045.8
申请日：2012-06-05
Applicant: 施乐公司
IPC: C23C18/08
CPC classification number: C23C18/08
Abstract: 本发明涉及一种含有钯盐和有机胺的钯母体组合物。该组合物使得可使用溶液处理法形成钯层。本发明还涉及一种用于在基底上形成钯层的方法，其包括接受一种钯母体组合物，其含有钯盐、有机胺、和水不混溶的有机溶剂；用钯母体组合物对基底进行溶液涂布；以及加热钯母体组合物以形成钯层。另外，本发明还涉及一种在物体上形成导电钯层的方法，其包括接受一种钯母体溶液，其含有至少一种钯盐、至少一种有机胺，和至少一种水不混溶的有机溶剂；用该钯母体溶液对该物体进行溶液涂布以在该物体上形成无定形涂层；以及加热该无定形层形成导电钯层。
-
公开(公告)号：CN102675332A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210055465.8
申请日：2012-03-05
Applicant: 施乐公司
IPC: C07D493/06 , C07D495/22 , C09D125/04 , C09D7/12 , H01L51/30
CPC classification number: C07D493/06 , C07D495/22 , C08K5/1545 , C08K5/45 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , C08L25/04
Abstract: 本发明为一种小分子半导体及包含其的半导体组合物和电子设备，一种式(I)的小分子半导体：其中R1、R2、R3和R4独立地选自氢原子、被取代的或未取代的烷基、被取代的或未取代的烯基、被取代的或未取代的炔基、被取代的或未取代的芳基、被取代的或未取代的杂芳基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、氰基和卤素原子，其中n为1或2，并且其中X独立地为S或
