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公开(公告)号：CN1357908A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01142793.0
申请日：2001-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格雷戈里·G·弗里曼 , K·T·肖南伯格 , 肯尼思·J·斯坦 , 塞沙德里·萨班纳
IPC: H01L21/331 , H01L21/82 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0823 , H01L21/8222 , Y10S438/933
Abstract: 通过用于包括锗、硼和/或碳的不同材料浓度分布的外延生长的单独基极层形成工艺,在同一基板上形成了不同布局的双极晶体管,具体是为不同高频应用而优化的布局。通过使用可以相对于硅而选择性刻蚀的刻蚀终止层来避免对包括各集电极区的硅基板的刻蚀,通过低温工艺的单独的生长层的外延生长得以促进。退火工艺可以在各基极层的生长中间进行,和/或在所有晶体管基本完成后集中进行。
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公开(公告)号：CN1502545A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN03127731.4
申请日：2003-08-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00666 , B81B2201/014 , B81C2201/0167 , H01F2007/068 , H01H50/005
Abstract: 本发明公开一种被包封微电子－机械系统(MEMS)及其制造方法，该方法包括：形成介电层；对介电层的上表面构图以形成沟槽；在沟槽内形成牺牲材料；对牺牲材料的上表面构图以形成另一沟槽；在另一沟槽内形成包括侧壁的第一包封层；在第一包封层内形成芯层；以及在芯层的上方形成第二包封层，其中第二包封层与第一包封层的侧壁相连接。替代地，该方法包括用光学掩模工艺制成多层MEMS结构，从而形成第一金属层、包括介电层和第二金属层的第二层、以及第三金属层。芯层和包封层由具有互补电学特性、机械特性和/或磁性的材料制成。
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公开(公告)号：CN1165977C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN01142793.0
申请日：2001-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格雷戈里·G·弗里曼 , K·T·肖南伯格 , 肯尼思·J·斯坦 , 塞沙德里·萨班纳
IPC: H01L21/331 , H01L21/82 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0823 , H01L21/8222 , Y10S438/933
Abstract: 通过用于包括锗、硼和/或碳的不同材料浓度分布的外延生长的单独基极层形成工艺，在同一基板上形成了不同布局的双极晶体管，具体是为不同高频应用而优化的布局。通过使用可以相对于硅而选择性刻蚀的刻蚀终止层来避免对包括各集电极区的硅基板的刻蚀，通过低温工艺的单独的生长层的外延生长得以促进。退火工艺可以在各基极层的生长中间进行，和/或在所有晶体管基本完成后集中进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100487837C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN03824521.3
申请日：2003-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 罗伯特·A·格罗夫斯 , 肯尼思·J·斯坦 , 塞沙德里·萨班纳 , 理查德·P·沃兰特
CPC classification number: H01G5/18 , B81B2201/01 , H01G5/011 , Y10S257/924
Abstract: 描述了三维微机电(MEM)可变电抗器，其中在彼此耦合的分离衬底上分别制造可移动梁(50)和固定电极(51)。在“芯片侧”上制造具有梳状驱动电极的可移动梁而在分离的衬底的“载体侧”上制造固定底部电极。在衬底两个表面上制造该器件时，芯片侧器件被切割并“翻转”、对准且连接至“载体”衬底以形成最终器件。梳状驱动(鳍)电极用于激励而电极的运动提供电容的变化。由于引入恒定驱动力，可获得大的电容调谐范围。器件的三维方面有利于大的表面积。当提供大纵横比特征时可使用低激励电压。制造时，完全封装MEM器件，无需附加的器件封装。另外，由于在晶片级完成对准和键合(晶片级MEMS封装)，可以低成本获得改善的器件产率。
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公开(公告)号：CN1292978C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN03127731.4
申请日：2003-08-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种被包封微电子-机械系统(MEMS)及其制造方法，该方法包括：形成介电层；对介电层的上表面构图以形成沟槽；在沟槽内形成牺牲材料；对牺牲材料的上表面构图以形成另一沟槽；在另一沟槽内形成包括侧壁的第一包封层；在第一包封层内形成芯层；以及在芯层的上方形成第二包封层，其中第二包封层与第一包封层的侧壁相连接。替代地，该方法包括用光学掩模工艺制成多层MEMS结构，从而形成第一金属层、包括介电层和第二金属层的第二层、以及第三金属层。芯层和包封层由具有互补电学特性、机械特性和/或磁性的材料制成。
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公开(公告)号：CN1689227A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824521.3
申请日：2003-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 罗伯特·A·格罗夫斯 , 肯尼思·J·斯坦 , 塞沙德里·萨班纳 , 理查德·P·沃兰特
CPC classification number: H01G5/18 , B81B2201/01 , H01G5/011 , Y10S257/924
Abstract: 描述了三维微机电(MEM)可变电抗器，其中在彼此耦合的分离衬底上分别制造可移动梁(50)和固定电极(51)。在“芯片侧”上制造具有梳状驱动电极的可移动梁而在分离的衬底的“载体侧”上制造固定底部电极。在衬底两个表面上制造该器件时，芯片侧器件被切割并“翻转”、对准且连接至“载体”衬底以形成最终器件。梳状驱动(鳍)电极用于激励而电极的运动提供电容的变化。由于引入恒定驱动力，可获得大的电容调谐范围。器件的三维方面有利于大的表面积。当提供大纵横比特征时可使用低激励电压。制造时，完全封装MEM器件，无需附加的器件封装。另外，由于在晶片级完成对准和键合(晶片级MEMS封装)，可以低成本获得改善的器件产率。
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公开(公告)号：CN1205675C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN01138535.9
申请日：2001-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/868 , H01L21/328 , H01L31/075
CPC classification number: H01L29/868
Abstract: 本发明公开了具有横向延伸的I区的P型区-本征区-N型区二极管，包括大晶粒多晶硅，并具有形成在厚氧化物隔离层上的扩大的本征区。本发明还提供横向P型区-本征区-N型区二极管，包括：半导体基板；场隔离部件；在场隔离部件的主表面上方和上面形成的P型区-本征区-N型区二极管主体，其中本征区位于N型和P型区之间并与之毗邻；形成在二极管主体的主表面上的氧化物膜及掩模组件，其中掩模组件在本征区上对准，并且其中掩模组件具有在其中确定的N型和P型边缘注入，其中每个所述注入与二极管主体的相应类型区贴近。本发明还提供了制造本发明的二极管的方法，该方法与诸如硅锗BiCMOS工艺的现代RF技术兼容。
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公开(公告)号：CN1357926A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01138535.9
申请日：2001-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/868 , H01L21/328
CPC classification number: H01L29/868
Abstract: 本发明公开了一种具有横向延伸的I区的P型区－本征区－N型区二极管。本发明还提供了一种制造本发明的P型区－本征区－N型区二极管的方法,该方法与诸如硅锗BiCMOS工艺的现代RF技术兼容。
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