公开(公告)号：CN106252248A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610051623.0

申请日：2016-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周廷璁

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01J37/265 ,  H01J37/21 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/216 ,  H01L22/12 ,  H01L22/10

Abstract: 提供一种用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括：将半导体晶圆定位在扫描电子显微镜(SEM)中。该方法进一步包括：产生在半导体晶圆的工艺表面上指定的测试区域的至少部分的图像。该方法还包括：在测试区域中选择的检查点处，调整SEM的带电粒子束的状态。此外，该方法包括：在调整带电粒子束的状态之后，产生测试区域的另一部分的图像。本发明实施例涉及用于在半导体制造中使具有聚焦的带电的粒子束的晶圆成像的方法。

公开(公告)号：CN106252248B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201610051623.0

申请日：2016-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周廷璁

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01J37/265 ,  H01J37/21 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/216 ,  H01L22/12

Abstract: 提供一种用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括：将半导体晶圆定位在扫描电子显微镜(SEM)中。该方法进一步包括：产生在半导体晶圆的工艺表面上指定的测试区域的至少部分的图像。该方法还包括：在测试区域中选择的检查点处，调整SEM的带电粒子束的状态。此外，该方法包括：在调整带电粒子束的状态之后，产生测试区域的另一部分的图像。本发明实施例涉及用于在半导体制造中使具有聚焦的带电的粒子束的晶圆成像的方法。