公开(公告)号：CN102436532A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110384079.9

申请日：2011-11-28

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 李美成 ,  熊敏

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了属于平面红外探测器材料的电子结构设计技术领域的一种具有M型势垒层的一种InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法。该InAs/GaSb超晶格电子结构为具有的InAs/GaSb超晶格电子结构的焦平面红外探测器的材料；采用经验紧束缚法，通过非线性最小二乘拟合确定紧束缚参数，开展具有Al(Ga)Sb的M型势垒层InAs/GaSb超晶格电子结构设计，同时研究了Al组分对超晶格光电性能的影响、实现具有AlGaSb势垒层的M型InAs/GaSb超晶格结构设计。并简化分子束外延生长工艺条件，减轻生长过程中引起的成分波动。本发明对于促进锑化物半导体低维异质结构在光电探测和热光伏电池领域的应用有重要作用。

公开(公告)号：CN102509700A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110433466.7

申请日：2011-12-21

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 李美成 ,  赵宇 ,  熊敏

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了属于光电器件制备技术领域的一种InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长方法。具体采用先制备锑含量低GaAsSb合金薄层，然后生长InAs量子点的分子束外延生长工艺制备应力自组装GaAs基InAs/GaAsSb量子点；该方法的生长过程由热力学参数决定，制得的GaAsSb合金受工艺条件影响小，成分容易控制，获得了密度可控的InAs/GaAsSb量子点，为锑化物合金基InAs量子点的在太阳能电池、光电探测器等领域的应用奠定基础。