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公开(公告)号：CN113991266B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111188379.X
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明提供一种输出功率恒定的宽带微波光子移相器，能够实现单个紧凑微环结构下对高频宽带微波信号在大于360°范围内连续移相的功能，降低了调谐难度；同时，移相过程中输出微波信号功率可保持恒定，增加了实用性；移相器的工作频率上限仅由探测器带宽与移相器自由光谱区范围决定，工作带宽大；此外，本发明无需使用可调谐激光器，只需通过热光调制改变谐振器谐振波长即可改变光载波信号在谐振谱中的相对位置，达到移相功能，可降低成本。
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公开(公告)号：CN113992274A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111195040.2
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
IPC: H04B10/548 , G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成高精度射频信号稳相传输芯片、发送端及系统，通过在硅基光子芯片上集成高速电光调制器、高速光移相器、微盘滤波器、高速光电探测器等光电器件，将稳相传输系统集成化、芯片化，缩小系统体积的同时也降低了功耗、节约了成本；采用滤波性能更好的前置、后置微盘滤波器以及相应的连接波导，构成微波光子移相器，实现对射频信号的主动相位补偿。在本地发送端设置PID控制器，远处接收端设置Sagnac环，构成稳相传输系统的闭环反馈控制回路，实现射频信号的稳相传输。
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公开(公告)号：CN113991275A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111188378.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
Abstract: 本发明提供一种全可重构硅基法诺谐振器芯片，既能够通过热光效应对微盘谐振腔和MZI分别调节，从而改变法诺共振谱线的消光比、斜率、谐振波长、法诺参数，还可以同时调谐MZI与微盘谐振腔的谐振模式，能够在调节谐振波长时保持法诺谐振谱线形状不变，达到对谱线形状的精细调控，增加器件的可调谐性与灵活性，实现全可重构法诺谐振器；因此，该芯片能应用于诸如传感、光开关、光调制器等各类场景，应用场景广阔；同时，与基于微环耦合结构的法诺谐振器相比，该芯片用微盘代替微环，能够以更小尺寸实现更高品质因数，并且降低芯片所需功耗。
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公开(公告)号：CN116607049A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310589189.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学唐山研究院
Abstract: 本发明涉及一种轻质钛基高熵合金及其性能优化方法，特别涉及一种通过热变形工艺细化晶粒尺寸增强轻质钛基高熵合金性能的方法，属于高熵合金领域。为了兼顾强度、塑性和密度，该新型合金由Ti、Al、Cr、Mg四种元素组成，通过真空感应熔炼得到铸态合金锭。铸态条件下，该合金由BCC单相组成，平均晶粒尺寸约380μm，在室温下其压缩屈服强度为1.15GPa，断裂应变＞50％，拉伸屈服强度为1.02GPa，延伸率约为5.5％。对铸锭进行切割后，在900℃‑1000℃下进行70‑90％的热轧处理，后在450℃‑550℃下进行60‑120min保温处理。本发明采用热变形方法打碎原始大尺寸晶粒并进行再结晶退火使破碎晶粒重新形核生长，得到平均尺寸约20μm的新晶粒，从而获得具有高强度高硬度和良好塑性的轻质高熵合金。
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公开(公告)号：CN113991266A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111188379.X
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明提供一种输出功率恒定的宽带微波光子移相器，能够实现单个紧凑微环结构下对高频宽带微波信号在大于360°范围内连续移相的功能，降低了调谐难度；同时，移相过程中输出微波信号功率可保持恒定，增加了实用性；移相器的工作频率上限仅由探测器带宽与移相器自由光谱区范围决定，工作带宽大；此外，本发明无需使用可调谐激光器，只需通过热光调制改变谐振器谐振波长即可改变光载波信号在谐振谱中的相对位置，达到移相功能，可降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113992274B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111195040.2
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
IPC: H04B10/548 , G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成高精度射频信号稳相传输芯片、发送端及系统，通过在硅基光子芯片上集成高速电光调制器、高速光移相器、微盘滤波器、高速光电探测器等光电器件，将稳相传输系统集成化、芯片化，缩小系统体积的同时也降低了功耗、节约了成本；采用滤波性能更好的前置、后置微盘滤波器以及相应的连接波导，构成微波光子移相器，实现对射频信号的主动相位补偿。在本地发送端设置PID控制器，远处接收端设置Sagnac环，构成稳相传输系统的闭环反馈控制回路，实现射频信号的稳相传输。
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公开(公告)号：CN113991275B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111188378.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
Abstract: 本发明提供一种全可重构硅基法诺谐振器芯片，既能够通过热光效应对微盘谐振腔和MZI分别调节，从而改变法诺共振谱线的消光比、斜率、谐振波长、法诺参数，还可以同时调谐MZI与微盘谐振腔的谐振模式，能够在调节谐振波长时保持法诺谐振谱线形状不变，达到对谱线形状的精细调控，增加器件的可调谐性与灵活性，实现全可重构法诺谐振器；因此，该芯片能应用于诸如传感、光开关、光调制器等各类场景，应用场景广阔；同时，与基于微环耦合结构的法诺谐振器相比，该芯片用微盘代替微环，能够以更小尺寸实现更高品质因数，并且降低芯片所需功耗。
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公开(公告)号：CN117250695A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311150421.8
申请日：2023-09-07
Applicant: 北京理工大学重庆创新中心 , 北京理工大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种振幅响应平坦的可调硅基色散补偿器件，该器件的核心是高阶理想可重构全通滤波器，MZI加载耦合系数可调MRR级联分光比可调耦合器构成一阶理想全通滤波器，该器件能实现理想的平坦振幅响应，不会改变色散补偿后信号的振幅曲线，从而影响信号恢复质量；通过在器件末端引入萨格纳克环反射器，实现光信号在全通滤波器中的往返传输，可在不增加器件尺寸、功耗以及操作复杂程度的基础上，达到二阶滤波效果，增大色散量与带宽调节范围；通过在耦合系数可调MRR、分光比可调耦合器上集成微纳金属加热电极和相应的正负电极，能够实现器件中心频率、色散量、以及带宽的灵活复合调控，实现在带宽较大的情况下色散量由高精度调节。
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公开(公告)号：CN113900282B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111188375.1
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
Abstract: 本发明提供一种硅基集成宽带高速可调谐微波光子移相器芯片，在单个芯片上集成了高速电光调制器、可调谐微盘光滤波器、光移相器、高速光电探测器等多个核心关键光电器件，并提出融合等离子体色散效应和热光效应的复合光相位调控机制，对快速光移相器进行电光与热光调制，可实现对宽带射频信号相位在360°大范围内的高速、精细调节。
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公开(公告)号：CN116623038A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310589892.2
申请日：2023-05-24
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学唐山研究院
Abstract: 本发明公开了一种BCC单相轻质高熵合金及其制备方法，特别涉及一种TiAlCrMg系轻质高熵合金材料及其制备方法。本发明设计了一种高强度高塑性的轻质高熵合金，由TiaAlbCrcMgd组成，其中a的原子百分比为55‑80％，b的原子百分比为10‑20％，c的原子百分比为5‑15％，d的原子百分比0‑15％，其中b＞c≥d，a+b+c+d＝100％。该合金密度在3.8‑4.4g/cm3之间。其室温下压缩屈服强度在1.15GPa左右，断裂应变大于50％，室温下拉伸屈服强度在1.02GPa左右，断裂应变5.5％左右。本发明得到的轻质高熵合金具有高强度高硬度和良好的塑性，以及比常用的轻质合金更高的比强度比硬度，因此可以替代轻质合金尤其是TC4钛合金，用于军事装甲防护材料和航空航天领域的结构件，从而实现减重、增强和节能的目标。
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