一种复杂形状陶瓷滤波器表面金属化的方法

    公开(公告)号:CN118547280A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202310170039.7

    申请日:2023-02-27

    Inventor: 刘绍军 冉文

    Abstract: 本发明公开了一种复杂形状陶瓷滤波器表面金属化的方法,主要步骤如下:对表面清洁干燥的陶瓷滤波器进行羟基化处理,然后利用沉积系统在陶瓷滤波器表面沉积一层薄的氧化铝层,接着采用化学镀镍、电镀铜以及电镀银的在陶瓷滤波器表面形成致密的金属层。本发明优势在于在基本不改变原有陶瓷滤波器表面粗糙度的前提下进行金属化,可以满足任意形状陶瓷滤波器(包括但不限于凹孔,内孔等)表面金属化的需求,且相比于传统的银浆包覆法具有成本低、效率高的优势,为更加复杂化、小型化的陶瓷滤波器产品设计以及应用需求提供了保障。同时本发明所得产品中金属层与陶瓷层结合力强且信号插损低。

    一种硅酸盐基微波介质陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116535202A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310489098.0

    申请日:2023-05-04

    Inventor: 刘绍军 刘凡

    Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基微波介质陶瓷及其制备方法和应用,所述硅酸盐基微波介质陶瓷的化学表达式为Mg2SiO4‑xwt.%SrTiO3,其制备方法为:按设计比例配取Mg2SiO4与SrTiO3粉末混合获得陶瓷混合粉,然后在陶瓷混合粉中加入粘结剂、润滑剂,再进行球磨,获得球磨料,将球磨料造粒所得粒料进行压制成型获得生坯,生坯经烧结即得硅酸盐基微波介质陶瓷,所述烧结的温度为1150℃~1300℃。本发明所提供的硅酸盐基微波介质陶瓷相对密度大、温度稳定性较好,具有高热膨胀系数、低介电常数与介电损耗。

    一种硅酸盐基微波介质陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116535202B

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202310489098.0

    申请日:2023-05-04

    Inventor: 刘绍军 刘凡

    Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基微波介质陶瓷及其制备方法和应用,所述硅酸盐基微波介质陶瓷的化学表达式为Mg2SiO4‑xwt.%SrTiO3,其制备方法为:按设计比例配取Mg2SiO4与SrTiO3粉末混合获得陶瓷混合粉,然后在陶瓷混合粉中加入粘结剂、润滑剂,再进行球磨,获得球磨料,将球磨料造粒所得粒料进行压制成型获得生坯,生坯经烧结即得硅酸盐基微波介质陶瓷,所述烧结的温度为1150℃~1300℃。本发明所提供的硅酸盐基微波介质陶瓷相对密度大、温度稳定性较好,具有高热膨胀系数、低介电常数与介电损耗。

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