公开(公告)号：CN116190212A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111434653.7

申请日：2021-11-29

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 邰立 ,  戴晨光

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明提供一种图形薄膜结构的制备方法，制备方法包括：1)提供一基底，在基底上形成具有沉积窗口的光刻胶图形，沉积窗口的顶部宽度小于沉积窗口的底部宽度；2)通过溅射工艺在光刻胶图形上及沉积窗口内的基底上沉积目标膜层，溅射工艺包括：a)通过溅射工艺在光刻胶图形上及沉积窗口内的基底上沉积目标膜层的部分厚度；b)对衬底进行降温处理；c)重复进行步骤a)和步骤b)，直至沉积所需厚度的目标膜层；3)剥离光刻胶图形以及位于光刻胶图形上的目标膜层，以获得位于基底上的图形薄膜结构。本发明可以避免由于温度上升过高而造成的光刻胶图形产生起泡及变性的现象。

公开(公告)号：CN119465074A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411615346.2

申请日：2024-11-13

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 戴晨光

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种利用AMAT Centra DxZ CVD设备生长低温氮化硅薄膜的方法，包括如下步骤：提供衬底；控制所述设备的腔体温度在150‑200℃之间，控制所述腔体的压力为第一压力；将所述衬底传入所述腔体内，控制所述衬底与所述腔体上部的距离为第一距离；控制所述腔体的压力在2‑5Torr之间，引入反应气体和N2并稳定第一预设时长，生长氮化硅薄膜。可在不对原有进行高温氮化硅沉积的设备进行改造的情况下，实现低温氮化硅薄膜的沉积和应力的调控。