半导体衬底的制造方法、半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110546746A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201880025788.8

    申请日:2018-04-19

    Abstract: 本发明的目的是提供半导体衬底的制造方法等,所述制造方法在研磨中半导体晶圆不会脱落等,而且得到的半导体衬底没有开裂或缺口等。为了解决上述课题,半导体衬底的制造方法包含如下工序:聚酰亚胺层形成工序,在支撑材料上形成聚酰亚胺层;晶圆粘贴工序,介由前述聚酰亚胺层而使前述支撑材料和半导体晶圆的电路形成面贴合;晶圆研磨工序,对粘贴有前述支撑材料的前述半导体晶圆的电路非形成面进行研磨;支撑材料剥离工序,从前述聚酰亚胺层剥离前述支撑材料;以及聚酰亚胺层剥离工序,从前述半导体晶圆剥离前述聚酰亚胺层。前述聚酰亚胺层包含聚酰亚胺,所述聚酰亚胺包含二苯甲酮骨架、以及源于具有脂肪族链的二胺的结构,所述聚酰亚胺的胺当量为4000~20000。

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