公开(公告)号：CN101363111B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200810135072.1

申请日：2008-07-25

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  爱信精机株式会社 ,  株式会社东研萨莫技术

Inventor： 金泽孝明 ,  下田健二 ,  七原正辉 ,  铃木奉努 ,  大森直之

IPC: C23C14/06

CPC classification number: C23C14/025 ,  C23C14/027 ,  C23C14/0605

Abstract: 一种制造碳薄膜的方法，所述方法包括在基材(5)表面上沉积中间层(6)，和在中间层(6)的表面上形成类金刚石碳涂层(1)。在制造碳薄膜的方法中，在中间层(6)的沉积期间将0V到-30V的偏压施加到基材(5)上。

公开(公告)号：CN101363111A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810135072.1

申请日：2008-07-25

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  爱信精机株式会社 ,  株式会社东研萨莫技术

Inventor： 金泽孝明 ,  下田健二 ,  七原正辉 ,  铃木奉努 ,  大森直之

IPC: C23C14/06

CPC classification number: C23C14/025 ,  C23C14/027 ,  C23C14/0605

Abstract: 一种制造碳薄膜的方法，所述方法包括在基材(5)表面上沉积中间层(6)，和在中间层(6)的表面上形成类金刚石碳涂层(1)。在制造碳薄膜的方法中，在中间层(6)的沉积期间将0V到－30V的偏压施加到基材(5)上。