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公开(公告)号：CN100341146C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN97102557.6
申请日：1997-02-25
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东部半导体株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/4826 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种存储模块MM，其中的模块布线衬底5装配有用来任意转换待要输入到存储器1的功能转换脚FP0和FP1的功能转换信号的功能转换装置KK1和KK2。而且，利用这些功能转换装置KK1和KK2，功能转换信号被任意地从任何不连接、电源电压Vcc和地电位Vss转换。这些信号被一起输入到所有的安装的存储器1以转换和任意设定包括读出模式和刷新周期的各种功能。
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公开(公告)号：CN1132164C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN99816696.0
申请日：1999-08-04
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东部半导体株式会社
CPC classification number: G11B7/22 , G02B6/4201 , G02B6/4214 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/02292 , H01S5/4087
Abstract: 本发明涉及装载半导体激光芯片和反射面的激光模块，为高精度确定半导体激光芯片的位置，同时缩短生产时间、实现小型化和低成本，使在硅基板上设置的反射面上具有台阶，通过将这些反射面作为出射激光的反射面和激光芯片的位置确定面，可高精度确定位置。对于记录中需要大功率的激光模块，在与半导体激光芯片纵向方向的侧面相对的倾斜面上设置台阶，在从激光芯片的下部电极的下陷底部到硅基板上部的布线中，设置与激光芯片的纵向方向成角度的倾余面来平缓余面，经过该平缓斜面缓解迁移的产生。
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公开(公告)号：CN1119344A
公开(公告)日：1996-03-27
申请号：CN95109627.3
申请日：1995-07-20
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东部半导体株式会社
IPC: H01L23/60
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在由多个电子电路组成的半导体集成电路(这些电路分别配置了实现信号传输的接口电路并由多个独立的电源引线端供电)中配置了保护元件，它们分别具有在电源正常状态下使元件关闭的高阈值电压，并将避免静电击穿的一电阻和一二极管连到位于电路间执行信号传输的接口电路的一个输入MOSFET的栅上。即使当触摸时的静电引起的高压加到各电源引线端时，通过保护元件或包含电阻和二极管的防止静电击穿电路，可避免接口电路的静电击穿。
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公开(公告)号：CN1819111A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510080972.7
申请日：2001-02-15
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东部半导体株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种减少生产步骤数目和进行流水线生产的半导体器件制造方法，该方法通过将芯片部件(22)和半导体切片(21)装配到经过检查的多单元基片(27)中包含的布线板(2)上，其中布线板(2)，即在当对多单元基片(27)进行检查时发现有欠缺的单元上固定一个废品标记(2e)，在接着的一系列装配步骤的每个步骤中识别该废品标记，略去否则需要对具有废品标记(2e)的布线板(2)进行的任何工作，从而使生产线实现流水化。
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公开(公告)号：CN1218324C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN02127185.2
申请日：2002-07-30
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司 , 日立东部半导体株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: G11C8/00 , G11C11/4063
CPC classification number: G11C5/04 , G11C5/00 , G11C7/1072 , G11C7/1078 , G11C7/109 , G11C7/222 , H03L7/0814
Abstract: 假设安装存储器装置数量的最大值，固定和设置外部延迟复制电路。要求的频带分为多个子频带，输出缓存器的延迟时间和内部延迟复制电路互相转换，使用每个子频带，从而设定内部延迟复制电路实际最大值和实际最小值。选择针能选择内部延迟复制电路的延迟时间，有必要有效保证内部时钟信号的设定时间和保持时间，延迟锁存环电路在要求频带的寄存器的锁存操作中，产生内部时钟信号，有可允许的存储器装置数目，不考虑频率的级别和安装存储器装置的数目。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1224874C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN02127186.0
申请日：2002-07-30
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司 , 日立东部半导体株式会社 , 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C7/109 , G11C7/1078 , G11C7/1087 , G11C8/06 , G11C2207/107
Abstract: 本发明涉及安装存储装置不受数量限制的寄存器和存储模块。第一和第二预处理触发器通过一时钟锁存输入到寄存器中的指令/地址信号，该时钟的频率是外部时钟信号和它的反相信号频率的1/2。因此，将指令/地址信号解压为一组信号，该组信号临时具有两倍的周期。例如，这组信号之一仅具有第偶数指令/地址信号的数据内容，而另一信号仅具有第奇数指令/地址信号的数据内容。因为这组信号的周期是指令/地址信号的两倍，第一和第二后处理触发器能根据由延迟锁定环路电路产生的内部时钟信号来锁存信号，在这种状态下，能够充分保证设置时间和保持时间。
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公开(公告)号：CN1222036C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01803314.8
申请日：2001-02-15
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东部半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/50 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/49805 , H01L23/50 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/165 , H01L25/50 , H01L2223/54406 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15313 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/16315 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247
Abstract: 一种减少生产步骤数目和进行流水线生产的半导体器件制造方法，该方法通过将芯片部件(22)和半导体切片(21)装配到经过检查的多单元基片(27)中包含的布线板(2)上，其中布线板(2)，即在当对多单元基片(27)进行检查时发现有欠缺的单元上固定一个废品标记(2e)，在接着的一系列装配步骤的每个步骤中识别该废品标记，略去否则需要对具有废品标记(2e)的布线板(2)进行的任何工作，从而使生产线实现流水化。
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公开(公告)号：CN1149183A
公开(公告)日：1997-05-07
申请号：CN95105499.6
申请日：1995-05-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立ULSI工程株式会社 , 日立东部半导体株式会社
CPC classification number: G11C16/3477 , G11C16/16 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C16/3468
Abstract: 一个提供有存储单元可成批擦除的不挥发存储装置，通过程序操作，释放积累在浮栅上的电子电荷，适合执行擦除操作。执行次序为读擦除单位的存储单元，并在这些不挥发存储单元上执行预写操作；用相对大能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元高速执行批擦除操作；对全部擦除了的不挥发存储单元执行读操作，并在这些不挥发存储单元上执行写操作；用相对小的能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元低速执行批擦除操作。
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公开(公告)号：CN1394360A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803314.8
申请日：2001-02-15
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东部半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/50 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/49805 , H01L23/50 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/165 , H01L25/50 , H01L2223/54406 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15313 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/16315 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247
Abstract: 一种减少生产步骤数目和进行流水线生产的半导体器件制造方法，该方法通过将芯片部件(22)和半导体切片(21)装配到经过检查的多单元基片(27)中包含的布线板(2)上，其中布线板(2)，即在当对多单元基片(27)进行检查时发现有欠缺的单元上固定一个废品标记(2e)，在接着的一系列装配步骤的每个步骤中识别该废品标记，略去否则需要对具有废品标记(2e)的布线板(2)进行的任何工作，从而使生产线实现流水化。
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公开(公告)号：CN1357140A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN99816696.0
申请日：1999-08-04
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东部半导体株式会社 , 日立原町电子工业株式会社
CPC classification number: G11B7/22 , G02B6/4201 , G02B6/4214 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/02292 , H01S5/4087
Abstract: 本发明涉及装载半导体激光芯片和反射面的激光模块,为高精度确定半导体激光芯片的位置,同时缩短生产时间、实现小型化和低成本,使在硅基板上设置的反射面上具有台阶,通过将这些反射面作为出射激光的反射面和激光芯片的位置确定面,可高精度确定位置。对于记录中需要大功率的激光模块,在与半导体激光芯片纵向方向的侧面相对的倾斜面上设置台阶,在从激光芯片的下部电极的下陷底部到硅基板上部的布线中,设置与激光芯片的纵向方向成角度的倾斜面来平缓斜面,经过该平缓斜面缓解迁移的产生。
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