一种检测碳化硅中氧含量的方法

    公开(公告)号:CN106290809B

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201610717325.0

    申请日:2016-08-24

    Abstract: 本发明公开了一种检测碳化硅中氧含量的方法,属于碳化硅陶瓷生产领域。其包括以下步骤:将碳化硅微粉试样过筛后干燥;以镍丝为助熔剂,在混合酸中浸洗;测定干燥后碳化硅微粉试样的比表面积;选取镍囊作为碳化硅微粉试样的包裹体;分析镍丝和镍囊的氧含量作为背景值扣除;选取钢铁生产用粒状钢铁含氧标准样品,建立标准样品工作曲线;将镍囊压扁密实后利用氧氮分析仪分析2‑5次;根据标准样品工作曲线,将钢铁含氧标准样品与压扁密实后的镍囊分析2‑5次;称取碳化硅微粉试样加入镍囊中,采用压样机压样后利用氧氮分析仪分析2‑5次,确保结果平行性后,将平均值记录为碳化硅微粉试样的含氧量。本发明方法可用于检测碳化硅含氧量。

    一种金刚石微粉的生产方法

    公开(公告)号:CN105271218A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510710309.4

    申请日:2015-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石微粉的生产方法,属于金刚石磨料生产领域。解决了现有金刚石微粉杂质含量高,强度低的问题,其包括以下步骤:破碎,整形,提纯,粗分级,精分级,离心干燥得成品。本发明提供了一种含量高、粒度集中、粒型规则的金刚石微粉的生产方法,提高了金刚石微粉品质,满足了精密器件的加工用料要求。

    一种碳化硅异形梁的成型工艺

    公开(公告)号:CN112536885A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202011441195.5

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅异形梁的成型工艺,将组成异形梁的各个部件按照规则截面的形状,划分成若干个组成部分,分别设计挤出成型所需要的模具,准备碳化硅挤出成型的原料,分别采用挤出机、原料进行挤出成型,所有成型产品分别放置在不会相互碰撞的地方安置好,对成型产品的外形、尺寸进行切分、修理,使得形状和尺寸达到要求,且将要拼接的部位修理出坡口,将成型产品按照异形梁设计图纸进行拼接,在拼接处注浆碳化硅浆液进行粘接,晒干,对所得物料进行反应烧结,冷却,打磨,得到与设计图结构相同的异形梁,本发明实现了分批挤出成型,注浆粘接,提高生产效率和合格率的功能。

    一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺

    公开(公告)号:CN112479716A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011461837.8

    申请日:2020-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺,将碳化硅超细粉料和助烧剂、分散剂、粘结剂、水等按照比例加入到卧式球磨机内研磨,利用喷雾干燥塔进行干燥处理,得到混合均匀的颗粒料,将颗粒料准确称量投入到捏合机中,按照比例加水,进行混炼即可得到具有一定塑性的挤出泥料,再通过真空练泥醒料,使泥料颗粒与添加剂接触更加均匀塑性更强,将泥料投入螺旋式真空挤出机,根据不同产品尺寸模具即可挤出不同长度不同形状产品,本发明实现了可连续生产,效率高,可生茶大尺寸产品的功能。

    一种碳化硅微粉的回收方法

    公开(公告)号:CN106335902B

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201610717361.7

    申请日:2016-08-24

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微粉的回收方法,属于碳化硅生产技术领域。解决了现有技术污染大、产能小,产品含量低,细分含量高的问题。其包括以下步骤:将回收料进行煅烧;将煅烧后原料与水混合拌浆,进入旋流器旋流;将旋流后料浆充分搅拌后,打入酸泡桶,加硫酸浸泡后利用真空过滤机进行脱酸;将脱酸后料浆调浆后充分搅拌,加入氢氧化钠进行碱洗除杂,然后利用真空过滤机进行脱碱,得碱洗后浆料;将碱洗后浆料用泵打入水分投料桶,搅拌充分后打入锥形分级溢流桶,进行水力分级,获得分号后产品;对分号后产品按型号分别脱水、烘干;把烘干后产品投入混料机进行混料,粒度均匀后分别过筛即可。本发明可用于碳化硅微粉的回收。

    半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法

    公开(公告)号:CN105948055B

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201610370116.3

    申请日:2016-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法,属于碳化硅微粉生产技术领域。解决了现有技术生产的碳化硅微粉杂质含量较高,提纯难度大的问题。其包括以下步骤:(1)调浆:将研磨好的碳化硅微粉投入搅拌桶内,加去离子水调节料浆浓度;(2)酸洗:加入质量分数为98%的硫酸;(3)加温搅拌:将料浆加热至40‑80℃,并搅拌陈腐;(4)加混合酸:在陈腐好的料浆中加入混合酸;(5)加温搅拌:将加入混合酸后的料浆加热至50‑80℃,搅拌、陈腐;(6)冲洗:将陈腐后的物料打入压滤机内用去离子水冲洗至pH值为5‑6.5,即得产品。本发明方法适合提纯半导体用高纯碳化硅微粉。

Patent Agency Ranking