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公开(公告)号：CN115896673A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211719102.X
申请日：2022-12-30
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
IPC分类号： C23C4/11 , C23C4/134 , C23C4/18 , H01L21/3065 , H01L21/308
摘要： 本发明公开了一种高性能耐等离子刻蚀薄膜及其制作方法，属于半导体蚀刻技术领域，所述薄膜为Y3Al5O12‑Y2SiO5混合粉末与F离子反应后形成的三相薄膜，所述三相薄膜由Y3Al5O12‑Y2SiO5混合粉末先经等离子喷涂在经预处理的基材表面，再使CF4气体低压或加热环境下产生F离子，F离子与混合涂层反应得到；本发明的蚀刻薄膜结合各原料的优良特性，拥有抗F、Cl腐蚀的同时，硬度也高，能够对等离子蚀刻设备进行涂层保护；Y氧化物与Al氧化物结合反应生成Y3Al5O12提升耐Cl腐蚀能力，Y氧化物与Si氧化物反应生成Y2SiO5提升硬度，Y3Al5O12‑Y2SiO5混合粉末与F离子部分反应生成YOF提升耐F腐蚀能力。
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公开(公告)号：CN114632680B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210241623.2
申请日：2022-03-11
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
IPC分类号： B05D1/32
摘要： 本发明公开了一种上部电极氦气孔的涂层形成方法，属于液晶面板零部件技术领域，在上部电极表面覆盖一遮蔽部件，所述遮蔽部件上开设有通孔，所述通孔与氦气孔一一对应。将通孔的孔位与氦气孔对准后，在遮蔽部件与上部电极之间通电，使得遮蔽部件和上部电极上分别带有相反的电荷，通过静电吸附的方式，让遮蔽部件能够紧贴上部电极表面，随后经遮蔽部件的通孔向氦气孔进行涂层的工作。本发明方法中，通过更换了遮蔽材料，利用了静电吸附原理进行遮蔽，整体表面贴合完整，不会损伤上部电极表面，且避免了使用胶带引起的Particle和Arcing风险，提高的上部电极Coating质量。
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公开(公告)号：CN115420165A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211067200.X
申请日：2022-09-01
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于半导体部件的直径检具，属于下部电极测量技术领域，包括检验平台、形成在所述检验平台一侧的凸台、设置在所述凸台内的测量组件、设置在在所述检验平台另一侧的推动安装座，所述凸台朝向推动安装座一侧的侧面上开设有V型槽，所述V型槽的开口大小与下部电极相适应，所述推动安装座用于对下部电极进行平面支撑且将其移动至V型槽内；所述测量组件包括检验柱、杠杆、第一表式测量工具。本发明装置能够在测量过程中有效的避免下部电极的外圆棱边与检具接触，保证下部电极不会受到破坏，测量过程更为方便。
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公开(公告)号：CN114280829B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210011592.1
申请日：2022-01-06
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
IPC分类号： G02F1/13
摘要： 本发明公开了一种下部电极1Pitch Emboss的形成方法，属于液晶面板加工技术领域，首先将带孔的掩膜板与下部电极表面贴合，通过在掩膜板表面进行熔射喷涂后透过孔在下部电极表面形成Emboss，所述Emboss的间隔和位置与孔的间隔和位置一一对应；其中所述掩膜板由若干矩形的分膜板拼接而成，在其中一些分膜板的侧面分别设置有凸起和凹槽，所述凸起的形状与所述凹槽的形状对应，相邻两块掩膜板之间通过所述凸起和凹槽进行凹凸配合。本发明方法通过在接触的掩膜板之间通过凸凹镶嵌进行拼接，相比直线切割后直接拼接的方式，孔距更加精准，减少了人工对位误差。
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公开(公告)号：CN114632680A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210241623.2
申请日：2022-03-11
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
IPC分类号： B05D1/32
摘要： 本发明公开了一种上部电极氦气孔的涂层形成方法，属于液晶面板零部件技术领域，在上部电极表面覆盖一遮蔽部件，所述遮蔽部件上开设有通孔，所述通孔与氦气孔一一对应。将通孔的孔位与氦气孔对准后，在遮蔽部件与上部电极之间通电，使得遮蔽部件和上部电极上分别带有相反的电荷，通过静电吸附的方式，让遮蔽部件能够紧贴上部电极表面，随后经遮蔽部件的通孔向氦气孔进行涂层的工作。本发明方法中，通过更换了遮蔽材料，利用了静电吸附原理进行遮蔽，整体表面贴合完整，不会损伤上部电极表面，且避免了使用胶带引起的Particle和Arcing风险，提高的上部电极Coating质量。
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公开(公告)号：CN114592226A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210219536.7
申请日：2022-03-08
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于Display Dry Etcher的高密度阳极膜制备工艺，属于上部电极阳极氧化工艺技术领域，首先配置电解液，然后对基材进行前处理；最后进行采用分段升流方式对基材进行阳极氧化，整流方式采用直流、交流加脉冲的方式进行，交流输出时间为0～300s，直流输出时间为0～300s，脉冲电流的输出时间为0～100s，其中直流电和交流电之间交替式输出，根据设定的频率同时叠加脉冲电流，其中所述交流电的输出比例范围为30％～50％，所述直流电的输出比例范围为70％～50％，所述交流电和直流电的频率均为50HZ～100HZ，所述脉冲的频率为50～100HZ。采用本发明工艺，可以保证获得性能良好的阳极膜膜厚，可改善产品局部(尤指倒角处)部位上的基材与阳极膜结合薄弱的缺陷。
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公开(公告)号：CN114326229A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210011583.2
申请日：2022-01-06
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
IPC分类号： G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种可有效防止Arcing的下部电极结构及其安装方法，属于液晶面板零部件技术领域，结构包括电极主板、开设在所述电极主板上的氦气孔，位于所述氦气孔的一端在所述电极主板上镶嵌有一绝缘块，所述绝缘块上开设有一孔径小于所述氦气孔的通孔，所述通孔同轴设置在氦气孔的外端，且所述通孔与所述氦气孔连通后贯穿所述电极主板的两侧。本发明装置和方法，通过增加局部安装绝缘块，可以有效的改善氦气孔内部阳极氧化涂层的结构质量，保证在长时间使用状态下，不会有阳极通电现象发生，防止氦气孔Arcing的产生。
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公开(公告)号：CN114274367A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210057390.0
申请日：2022-01-19
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
摘要： 本发明属于石英整料加工技术领域，提供了一种石英环立式分离装置。本发明的一种石英环立式分离装置包括：主机架，主机架包括固定柱和旋转台，旋转台转动安装在固定柱中；钻孔机构，钻孔机构安装在主机架中，并位于旋转台中；钻孔机构包括动力机和钻头；平衡机构，平衡机构可拆卸安装在主机架中；线切割机构，钻孔机构安装在主机架中，并位于旋转台中；线切割机构包括钢丝锯和驱动机，钢丝锯一端安装在驱动机的切割轴上，钢丝锯的另一端可拆卸安装在主机架上。该一种石英环立式分离装置不仅结构设计合理，而且能够在一台设备上，实现两种钻孔和切割分离的两种工艺，并且能够有效收集钻孔过程中，产生的粉末；适用于行业推广。
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公开(公告)号：CN113956925A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111325832.7
申请日：2021-11-10
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于半导体材料的金属离子清洗剂，具体包括酸性A洗液、中性洗液和酸性B洗液，其中：酸性A洗液由氟化铵、氟硅酸、H‑95、硫酸组成，溶剂为去离子水；中性洗液由丙酮、丙三醇、二甘醇、丙酮缩甘油、二乙二醇单叔丁基醚组成，溶剂为去离子水；酸性B洗液由盐酸、双氧水、LFG441组成，溶剂为去离子水。本发明的金属离子清洗剂可用于硅材料、石英材料或陶瓷材料，酸浓度低，减小了环境污染和对人体的腐蚀性。洗液稳定性好，不会易分解挥发，提高了洗液使用寿命，对半导体材料腐蚀性小，不会增加产品清洗后的Ra，清洗后金属离子残留浓度小，减少产品在使用过程的损坏，提高产品寿命。
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公开(公告)号：CN113650146A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111067727.8
申请日：2021-09-13
申请人： 重庆臻宝实业有限公司
摘要： 本发明公开了一种陶瓷粉末灌粉设备，包括粉末输送装置、出料口装置、物料盘和第一XY运动平台，粉末输送装置具有粉末入口和粉末出口，出料口装置包括可伸缩的导料管和用于控制导料管伸缩的伸缩控制机构，导料管的下端固定设有压板，压板的中部开设有与导料管连通的出料通孔，物料盘顶部开设有若干呈阵列布置的用于放置成型模具的放置槽，第一XY运动平台设置于出料口装置的下方，用于驱动物料盘沿X向和/或Y向运动。本发明能够在制作棒状陶瓷件的生产过程中实现向物料盘上各成型模具的自动连续灌粉，整套设备结构简单，易于制造和推广，能够大大提高生产效率，降低生产过程的人力成本。
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