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公开(公告)号：CN1226753C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02120715.1
申请日：2002-05-29
Applicant: 中国科学院物理研究所
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及超导带材或线材的制备方法。该材料包括导电基质内均匀混入的高温超导颗粒，其中高温超导颗粒材料与导电基质材料混合重量比为1-99∶99-1。该方法将金属粉末按重量比与YBCO混合，搅拌均匀并进行研磨使之颗粒度在10nm-10μm；再将其加热到比金属基质熔点低20-5℃，然后降温到室温就获得超导金属块；该超导金属块进行轧制获得厚度为0.1mm-1.0mm的片材；再进行剪切得到超导带材或线材。该制备方法具有工艺简单，适于大规模生产，成本相对较低等特点。所制备的第三类超导带材既具有超导特性，又有金属的特性。因为它有金属的柔性所以适于做超导带材或线材以及超导片材。
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公开(公告)号：CN1546718A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310121440.4
申请日：2003-12-17
Applicant: 西北有色金属研究院
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种人工钉扎铌钛超导体的制备方法，涉及一种制备具有较好磁通钉扎性能的人工钉扎铌钛NbTi超导体的方法。其特征在于该超导体的人工钉扎材料为α－Ti合金，该α－Ti合金的原子百分比组成为：Nb0.8％－4％，余量为Ti和不可避免的杂质，且人工钉扎材料α－Ti合金与超导芯丝的总体积相比其人工钉扎材料的体积含量比为10％－40％。制备过程为将人工钉扎材料α－Ti合金与NbTi组合后，在温度550℃－570℃温度下进行四次挤压，挤压比为6－15，且在拉伸过程中进行至少两次的软化热处理，制度为(200－300)℃×(1－2)h。本发明的人工钉扎NbTi超导体与Nb人工钉扎超导体相比，磁通钉扎特性更具有优势，最大钉扎所对应的磁场维为4T－5T。
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公开(公告)号：CN1172322C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN01137723.2
申请日：2001-10-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 金高祐仁
CPC classification number: H01L39/2454 , H01P7/10 , Y10S505/782
Abstract: 提供一种在高频的无负荷Q大、超导特性良好的介电谐振器。该介电谐振器在Ba(Sn，Mg，Ta)O3系介电陶瓷基片12的正反面上具有由Bi1.85Pb0.35SrxBayCa2.05Cu3.35Oz(x＝1.8～2.0，y＝0～0.4，z＝10～11，其中，z的值可随x、y值变化)构成的超导膜电极14和16。
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公开(公告)号：CN1176950A
公开(公告)日：1998-03-25
申请号：CN96116509.X
申请日：1996-09-17
Applicant: 中国科学院上海冶金研究所
Abstract: 本发明涉及一种高温超导型材的制备方法,通过在钇钡铜氧超导相中掺入高过量非超导相、添加贵重金属或其氧化物、等静压法压制毛坯、退火、机械加工、烧结、热处理、冷却充氧等工艺,制备各向同性高磁悬浮力钇钡铜氧超导型材。本方法兼有熔融织构法制备的晶粒取向超导块材高磁悬浮力和粉末烧结多晶超导块材磁悬浮力各向同性的特点,还可按需,对元器件机械加工,是一种较为实用、简单的各向同性高磁悬浮力高温超导型材的制备方法。
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公开(公告)号：CN1111403A
公开(公告)日：1995-11-08
申请号：CN94115369.X
申请日：1994-09-28
Applicant: 赫彻斯特股份公司
CPC classification number: H01L39/2419 , C04B35/4521 , C04B35/653
Abstract: 由高温超导材料制成的固体部件，由氧化铋、氧化锶、氧化钙、氧化铜和硫酸锶和/或硫酸钡组成。这些固体部件由于晶粒的择优取向而具有增强载流容量，其中晶粒的结晶学方向与熔体固化时的温度梯度垂直。为了制得所说的部件，将900—1300℃的氧化铋、氧化锶、氧化钙，氧化铜和硫酸锶和/或硫酸钡的均匀熔体浇铸入硬模，让其在里面缓慢固化，然后将从硬模中取出的固体部件置于700—900℃的含氧气氛下退火。在本方法中，均匀熔体被铸入至少有两个平行壁的硬模，其结果是不管在固化后还是退火以后，固体部件中晶粒都具有结晶学的择优取向。
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公开(公告)号：CN1078824A
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：CN92103617.5
申请日：1992-05-09
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明属于一种新体系的高温超导材料。本发明以SrVO3-y为基体，以银作为第四组分，并控制银的含量在0.05～0.30mol时，经过加温灼烧，在氢气下还原，加压成片后再次加温还原烧结，随炉冷却到室温可得到最高Tc＝125K的高温超导材料。
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公开(公告)号：CN1073045A
公开(公告)日：1993-06-09
申请号：CN91111456.4
申请日：1991-12-06
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L39/146 , Y10S505/701 , Y10S505/706 , Y10T29/413
Abstract: 本发明的场效应晶体管由作为栅极的传导基片(2)，一个绝缘阻挡层(3)和阻挡层(3)上的一个超导通道层(1)所组成，超导体层(1)承载着一对相距一定距离的电极(4，5)，分别构成源极和漏极，基片以一个适当的门电极的形式出现。基片(2)由与阻挡层(2)相同的属于同一晶体家族的材料所构成，在所用的具体元件中，基片(2)是一个掺铌的锶钛酸盐，阻挡层(3)是一个无掺杂元素的锶钛酸盐，超导体(1)是一个很薄的膜。
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公开(公告)号：CN1013906B
公开(公告)日：1991-09-11
申请号：CN88101989
申请日：1988-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 山崎舜平
CPC classification number: H01L39/2454 , H01F6/06 , H01F41/048 , H01L39/2464 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , Y10S505/705 , Y10S505/728 , Y10S505/731 , Y10S505/742 , Y10T428/24926
Abstract: 用溅射法在衬底上淀积超导陶瓷薄膜，借助于陶瓷的低导热率，用激光束照射陶瓷薄膜，以通过升华除去受照射的部分，从而在陶瓷薄膜上形成图形。
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公开(公告)号：CN1045311A
公开(公告)日：1990-09-12
申请号：CN90101675.6
申请日：1990-03-28
Applicant: 中国科学院物理研究所
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明为高临界温度(90K)超导薄膜制备方法。采用超高真空系统，单个化合物靶，高气压低电压直流磁控溅射，原位外延生长，原位低温热处理制备工艺，用于制备MBa2Cu3O7型高临界温度氧化物超导薄膜(M＝Y，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb)。零电阻临界温度高达92.7K，77K临界电流密度高达3.6mA/cm2。这种薄膜可用于制备在液氮温度下工作的超导电子器件和超导体-半导体混合电子器件。
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公开(公告)号：CN1044869A
公开(公告)日：1990-08-22
申请号：CN89109655.8
申请日：1989-12-31
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 今中佳彦
CPC classification number: C04B35/63416 , B32B18/00 , C04B35/45 , C04B35/4504 , C04B35/4512 , C04B35/4521 , C04B35/634 , C04B35/63424 , C04B35/6365 , C04B35/645 , C04B2235/6567 , C04B2235/663 , C04B2237/343 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01L21/4857 , H01L21/76891 , H01L23/49888 , H01L23/5383 , H01L39/2429 , H01L39/2464 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S428/901 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , Y10T428/23 , Y10T428/239 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种多层超导电路衬底，它包括绝缘层和位于绝缘层之间的超导陶瓷材料的内连接模块，借助于超导陶瓷材料通孔将超导陶瓷材料模块连通。超导陶瓷材料的模块最好用金、银、铂及其合金封装。
