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公开(公告)号：CN102517630B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201210012082.2
申请日：2005-04-06
Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC classification number: C30B15/30 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
Abstract: 揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质，包括宽度不小于约15厘米，厚度不小于约0.5厘米。所述单晶还可具有其它特征，例如最大厚度变化，处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部，具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示了形成这些晶体的方法和用来实施所述方法的设备。
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公开(公告)号：CN104882519A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510089789.7
申请日：2015-02-27
Inventor： 佐藤慎九郎
CPC classification number: H01L33/32 , C30B15/34 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , C30B29/64 , H01L21/02414 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/12 , H01L33/025
Abstract: 一种半导体多层结构包括：β-Ga2O3基单晶基板，其主面的位错密度不超过1×103/cm2；以及氮化物半导体层，其包括外延生长在所述β-Ga2O3基单晶基板上的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。
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公开(公告)号：CN101862908B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201010188022.7
申请日：2010-04-06
Applicant: 肖特公开股份有限公司 , 肖特太阳能控股公司
CPC classification number: C30B33/04 , B23K26/0006 , B23K26/03 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , C30B15/34 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02P70/521
Abstract: 本发明包括用于工件分离的方法和设备，其中借助于辐射，特别是借助于激光辐射，从一个工件上分离至少一个部件，且其中辐射在交互作用区中作用于工件上，使得工件的区域被研磨、形状改变和/或被分离；其中从交互作用区和/或其附近接收光强，并且光强被光电传感器转换为电信号，且其中，利用电信号确定出何时结束处理过程。
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公开(公告)号：CN103898598A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210589279.2
申请日：2012-12-29
Applicant: 富泰华精密电子(郑州)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
Inventor： 章绍汉
CPC classification number: C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1036
Abstract: 一种晶体生长装置，其包括第一箱体以及第二箱体，该第一箱体包括第一本体并于该第一本体内开设有长晶室，该第二箱体包括第二本体以及提拉杆，该第二本体内开设有冷却腔体及转移腔体，该提拉杆上可拆卸地装设有第一籽晶杆，该晶体生长装置还包括装设于该第二本体内的控制机构，该控制机构包括转移件以及邻近该转移件活动装设于该第二本体内的隔开组件，该隔开组件将该转移腔体及该冷却腔体隔开，该第二箱体还包括隔板以及第二籽晶杆，该隔板活动地置于该转移腔体内以将该转移腔体与该长晶室隔开，该隔开组件能够移动以使该转移腔体与该冷却腔体连通，以供该转移件转动将该第一籽晶杆与该第二籽晶杆交换。该晶体生长装置可以缩短晶体的生产周期。
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公开(公告)号：CN103025926A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC classification number: C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
Abstract: 在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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公开(公告)号：CN1946882B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200580012188.0
申请日：2005-04-06
Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC classification number: C30B15/30 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
Abstract: 揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质，包括宽度不小于约15厘米，厚度不小于约0.5厘米。所述单晶还可具有其它特征，例如最大厚度变化，处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部，具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示了形成这些晶体的方法和用来实施所述方法的设备。
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公开(公告)号：CN101862908A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010188022.7
申请日：2010-04-06
Applicant: 肖特公开股份有限公司 , 肖特太阳能控股公司
CPC classification number: C30B33/04 , B23K26/0006 , B23K26/03 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , C30B15/34 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02P70/521
Abstract: 本发明包括用于工件分离的方法和设备，其中借助于辐射，特别是借助于激光辐射，从一个工件上分离至少一个部件，且其中辐射在交互作用区中作用于工件上，使得工件的区域被研磨、形状改变和/或被分离；其中从交互作用区和/或其附近接收光强，并且光强被光电传感器转换为电信号，且其中，利用电信号确定出何时结束处理过程。
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公开(公告)号：CN101821433A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880103858.3
申请日：2008-08-29
Applicant: 长青太阳能股份有限公司
Inventor： 斯科特·赖特斯玛
CPC classification number: C30B15/34 , C04B35/62849 , C04B35/62852 , C04B35/62863 , C04B35/62868 , C04B35/62871 , C04B35/62873 , C04B35/62894 , C04B2235/5248 , C30B15/36 , C30B35/00 , Y10T117/1032 , Y10T428/24479 , Y10T428/24628 , Y10T428/2918 , Y10T428/2929 , Y10T428/2942 , Y10T428/2962 , Y10T428/30
Abstract: 一种带状晶体包括具有宽度尺寸的主体以及嵌入主体内的线。该线具有大体上拉长的横截面形状。(该线的)横截面具有大体上的纵轴，该纵轴偏离带状晶体主体的宽度尺寸。
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公开(公告)号：CN101522959A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037926.6
申请日：2007-10-26
Applicant: 长青太阳能股份有限公司
Inventor： 莱奥·万格拉比克 , 布赖恩·阿奇利 , 罗伯特·E·雅诺赫 , 安德鲁·P·安塞尔莫 , 斯科特·赖特斯玛
CPC classification number: C30B15/005 , C30B15/34 , C30B33/00 , Y10T117/102
Abstract: 一种用于生长带状晶体的熔炉，具有：通道，所述通道用于在给定方向以给定速率生长带状晶体；以及分离机构，所述分离机构用于从生长的带状晶体中分离一部分。当从所述生长的带状晶体分离所述部分的同时，所述分离机构的至少部分大约在所述给定方向并且大约以所述给定速率移动。
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公开(公告)号：CN101128625A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680005915.5
申请日：2006-03-01
Applicant: 索拉尔福尔斯公司
Inventor： C·雷米
Abstract: 本发明涉及一种用于生长至少一个半导体材料制造的带(40、42)的方法，根据所述方法两个平行并且间隔的丝(24、26)以连续的速度垂直向上经过所述熔化的半导体材料的熔体的表面，由位于所述丝之间的弯月面并且基本上在所述表面的高度处形成所述带(40、42)。根据本发明，支撑条带(22)被设置在所述丝(24、26)之间，所述支撑条带(22)以连续的速度以与所述丝相同的速率垂直向上经过所述熔化的半导体材料的所述表面，所述半导体材料带(40、42)由此被形成在所述支撑条带的两个面中的一个上并且通过所述面被支撑。本发明可以用于制造用于制造光伏电池的多晶硅带。
