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公开(公告)号：CN113874370A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080014251.9
申请日：2020-02-11
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D471/04 , H01L51/00
Abstract: 本发明涉及一种式(I)的化合物，以及包含所述化合物的有机半导体层、有机电子器件、显示装置或照明装置。
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公开(公告)号：CN113508113A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080011511.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 本杰明·舒尔策 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 李承宰
IPC: C07D405/14 , C07D403/14 , C07D409/14 , C07D493/04 , H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
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公开(公告)号：CN112368858A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980039301.6
申请日：2019-06-13
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种有机材料和一种包含所述有机材料的电子器件，特别是电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含四取代的吡嗪。
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公开(公告)号：CN112135822A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980031204.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D409/04 , C07D409/14 , H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种根据式(1)所述的化合物:其适合用作电子器件的层材料，还涉及包含至少一种根据式(1)所述的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，和它们的制造方法。
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公开(公告)号：CN111491924A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880073388.4
申请日：2018-10-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D219/02 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D409/04 , C07D417/10 , C07D251/24 , C07F9/28 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及用作电子器件的层材料的包含TAE结构的化合物，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN111196802A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911117538.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D401/10 , C07D401/14 , C07D221/18 , C07D401/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及化合物、包含所述化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示设备和照明设备。具体地，本发明涉及一种式(I)的化合物本发明还涉及包含所述化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示设备或照明设备。
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公开(公告)号：CN110386920A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910313003.3
申请日：2019-04-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 沃洛季米尔·森科维斯基
IPC: C07D401/10 , C07D405/14 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本申请涉及一种化合物和包含所述化合物的有机半导体层、有机电子器件、显示装置和照明装置。具体地，本申请涉及一种式(I)的化合物、包含所述化合物的半导体层、包含所述半导体层的有机电子器件以及包含所述有机电子器件的显示器或照明装置，其中R1至R10和/或Ar4中的至少一者是式(II)的基团，其中式(II)中的星号符号“*”表示具有式(II)的基团的结合位置；L选自取代或未取代的C6至C18芳亚基；Ar1选自取代或未取代的C3至C24杂芳基，其中所述杂芳基包含至少两个N原子；Ar2和Ar3独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基和/或取代或未取代的C4至C24杂芳基，其中彼此不同地选择Ar2和Ar3；Ar4选自取代或未取代的C1至C16烷基、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基和具有通式(II)的基团；R1至R10独立地选自H、D、F、C1至C20烷基、C6至C20芳基、C2至C20杂芳基和具有式(II)的基团；并且R1和R2，或者R2和R3，或者R3和R4，或者R5和R6，可彼此独立地形成稠环或稠环体系。
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公开(公告)号：CN109942552A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811330890.7
申请日：2018-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基、芴基和杂芴基的化合物。具体地，本发明涉及根据式1的化合物，所述化合物适用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种根据式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。
