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公开(公告)号：CN105976024B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610556919.8
申请日：2016-07-15
Applicant: 福州大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提出了一种基于RBF的模式分类器及其工作方法，通过并联适当数量的模式分类器，给定适当的外界偏置电压，可实现模式分类的功能。本发明可集成为专用的神经网络芯片，具有体积小、方便携带、可嵌入等优点，可以实现高度的并行计算，克服了软件实现模式分类器的体积大、不易携带、不易嵌入、运算速度慢的缺陷。本发明还可以通过适当增加RBF神经元电路模块的数目或通过将本发明进行并联的方式，来扩展电路的功能，使其解决更复杂的模式分类问题。本发明凭借其可嵌入性、便携性、高速性、可扩展等优点，有望在模式分类等人工智能领域得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN106067064B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610385145.7
申请日：2016-06-03
Applicant: 福州大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及一种基于RBF的函数逼近器系统。利用开平方根电路、类高斯函数产生电路以及Gilbert乘法器等基本电路单元，设计了一个基于RBF的函数逼近器系统；通过给定适当的外界偏置电压，可实现函数逼近的功能。本发明可集成为专用的神经网络芯片，具有体积小、便携带、可嵌入等优点，可以实现高度的并行计算，克服了软件实现函数逼近器的体积大、不易携带、不易嵌入、运算速度慢的缺陷；此外，本发明扩展性能好，可用于解决更复杂函数的逼近问题；本发明凭借其可嵌入性、便携性、高速性、可扩展的优点，有望在函数逼近等人工智能领域得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN108508959A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810543863.1
申请日：2018-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 本发明涉及一种基于共源共栅电压翻转跟随器结构的LDO。在常规共源共栅电压翻转跟随器结构的基础上通过加入跨导电流增强型电路，静态电流支路以及快速响应环路，在同等功耗的情况下，有效提高了LDO的瞬态响应速度，输入电压在1.8V-3.3V间变化，输出电压稳定在1.6V，负载电容在采样周期内变化，系统的负载瞬态响应时间仅仅为177ns左右，并且系统的静态电流为104.1uA，拥有0mA-1mA的带负载能力。本发明的LDO有效的提高了LDO的瞬态响应速度，满足Sigma-delta调制器的性能要求，通过性能仿真证实了其性能的可靠，在音频Sigma-delta调制器有着巨大的应用空间。
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公开(公告)号：CN108418560A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810294722.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于霍尔电流传感器的读出方法，提供一前端旋转电流模块、信号读出主体电路以及纹波消除环路RRL电路；前端旋转电流模块包括采用旋转霍尔传感器的低频通路以及采用非旋转霍尔传感器且用于形成双通道架构来增大整体带宽的高频通路；纹波消除环路RRL电路接入低频通路；低频通路采用旋转电流控制，纹波消除环路RRL电路采用斩波控制，以消除电路失调电压和1/f噪声；低频通路以及所述高频通路接入所述信号读出主体电路。本发明通过采用一种高带宽、高精度霍尔电流传感器的读出电路，通过利用双通道电路结构，并引入纹波消除环路RRL，可以有效地消除电路失调电压和1/f噪声的同时还能获得比较大的系统带宽。
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公开(公告)号：CN108319804A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810341207.3
申请日：2018-04-17
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种低资源调用的8192点基2 DIT ASIC电路设计方法。（1）计算主体模块：基于基2 DIT思想，利用状态机作为主体，实现对DIT蝶形图的描述，且在状态机内部采用阻塞赋值的方式，DIT蝶形图的每一级均由两组寄存器组成，在用状态机实现时，利用两组寄存器组之间的数据更新来回根据权重值变换，每组寄存器组中都有实部与虚部组成；（2）三角函数生成模块：用于生成三角函数，以便于计算主体模块进行快速傅里叶变换、欧拉变换后的三角函数调用。本发明通过蝶形图中每级主寄存器组之间的重复调用，降低计算复杂度，提高精确度，使得每级时域抽选过程中层层误差迭加的积累值大为降低，更快地实现快速傅里叶变换时域抽选过程，达到实现低资源调用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104795089B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510190009.8
申请日：2015-04-21
Applicant: 福州大学
IPC: G11C7/06
Abstract: 本发明涉及一种低功耗两级放大器STT‑RAM读取电路的控制方法。提供一低功耗STT‑RAM读取电路，包括控制电路、并行磁隧道结、开环放大器、控制逻辑电路、第一反相器、第一D触发器、第二D触发器、时钟输出模块；通过控制电路控制低功耗STT‑RAM读取电路进入工作及待机状态，从而实现对并行磁隧道结存储的数据读取。本发明采用树型的读取方案，不但具有较快的读取速度，且通过引入了控制电路，只在进入工作状态时产生功耗，从而又节省了读取电路的功耗。
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公开(公告)号：CN105870083A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610375500.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种采用微热电发电机的3D芯片及其实现方法，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本发明利用其高的热功率密度和多维的空间结构，在现有的半导体工艺下，采用微热电发电机技术，提高芯片的整体能效，加快芯片散热。
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公开(公告)号：CN105551520A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610069637.5
申请日：2016-02-01
Applicant: 福州大学
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C14/009
Abstract: 本发明涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法。通过忆阻器（Memristor）与MOS管结合使用，使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流，发挥忆阻器阻值可变及非易失特性，达到可编程的效果。本发明成功地在SPICE软件中实现了忆阻器模型的搭建，利用该模型提出基于忆阻器的可编程电路，并针对整个电路进行了仿真验证。忆阻器和MOS管结合的可编程电路结构简单，管子数目较小，集成度高，有利于集成电路进一步向纳米级别的发展。
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公开(公告)号：CN103279322B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310236890.1
申请日：2013-06-13
Applicant: 福州大学
IPC: G06F7/50
Abstract: 本发明利用单电子晶体管与MOS管混合结构所具有的库仑阻塞振荡效应和多栅输入特性，实现了基于阈值逻辑的超前进位加法器。由于阈值逻辑强大的逻辑功能，该电路仅由10个阈值逻辑门构成，整个电路仅消耗30个器件。与传统的纯CMOS超前进位加法器相比而言，该阈值逻辑型超前进位加法器的电路结构大大简化，管子数目显著减少，电路功耗进一步下降。该阈值逻辑型超前进位加法器有望在微处理器、数字信号处理器等领域中得到应用，有利于进一步降低电路功耗，节省芯片面积，提高电路的集成度。
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公开(公告)号：CN104883189A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510303768.0
申请日：2015-06-04
Applicant: 福州大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明提出一种包含级间路径的级联结构Sigma-Delta调制器，其特征在于：包括第一级调制器、第二级调制器及一条级间模拟路径；所述第一级调制器与第二级调制器级联；该路径包含一个系数模块、一个单位延时模块。本发明实现了4阶噪声整形功能。使得改进结构增加了一阶噪声整形功能，噪声抑制能力大大提高；其次，减少了积分器的使用，从而降低了电路功耗和系统时序的复杂度，节约了版图面积；在增加系统信噪比的同时，保证了系统的输入过载值和系统的稳定性没有较大的改变。与现有调制器相比更能满足高精度、低功耗的应用需求，在音频、传感等领域将会有巨大的发展空间。
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