公开(公告)号：CN101830445A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200910227484.2

申请日：2009-12-15

Applicant: 河南大学

Inventor： 李林松 ,  李晓民 ,  申怀彬

IPC: C01B19/04 ,  C01B19/00 ,  C01G11/02 ,  C01G15/00 ,  C01G3/12 ,  C01G19/00 ,  C01G21/21 ,  C01G45/00 ,  C01B17/42 ,  B22F9/24 ,  B82B3/00

Abstract: 一种以乙酰丙酮盐为原料合成无机纳米晶的新方法本发明(即一种以乙酰丙酮盐为原料合成无机纳米晶的新方法)是采用金属氯化盐、硝酸盐、醋酸盐、高氯酸盐、磷酸盐等为原料，首先合成乙酰丙酮金属盐，然后再以乙酰丙酮盐为前躯体合成Ⅱ-Ⅵ族、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族、Cu、Ag等金属等纳米材料。本方法所用原料廉价、易得，实验操作简单并且具有普适性。合成的乙酰丙酮盐在反应过程中活性适中，使得反应容易控制，可操作性强。本方法除适用于以上纳米材料的合成外还适用于PbS、PbSe、PbTe、SnS、SnSe、SnTe、MnS、MnSe、CaS、CaSe、InS、InSe、GaS、GaSe、CuS、Cu2S以及CuInGaS、CuInGaSe、Cu2ZnSnS4等纳米材料的合成。基于以上特点，本方法无论是在实验室合成还是工业合成都具有巨大的应用价值。？

公开(公告)号：CN101275077A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810049642.5

申请日：2008-04-25

Applicant: 河南大学

Inventor： 李林松 ,  申怀彬

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/54 ,  C09K11/57

Abstract: 本发明涉及一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法。所述掺杂半导体纳米晶为MnSe/ZnSe/ZnS，是以Mn掺杂ZnSe半导体纳米晶为壳，其外包覆有ZnS层的核壳结构纳米晶。本发明提供的半导体纳米晶荧光峰位可覆盖范围为570－610nm，单分散性好，量子产率可达50％以上，荧光稳定性高。合成方法简单，掺杂工序简单、掺杂量便于控制，同时避免了易燃易爆药品的使用。

公开(公告)号：CN101260294A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810049316.4

申请日：2008-03-06

Applicant: 河南大学

Inventor： 李林松 ,  申怀彬

IPC: C09K11/02

Abstract: 本发明涉及一种核壳结构纳米晶的制备方法，将点状颗粒的含硒化合物纳米晶溶于加有添加剂的溶剂并于惰性环境下将溶液中的氧气排除得到溶液1，然后将12族元素的前驱体与硫分别溶于相同溶剂的溶液混合得到混合液2，将混合液2滴加至溶液1中，混合溶液加热至120－280℃使纳米晶生长，得到以含硒化合物纳米晶为核，以硫化物为壳的核壳结构纳米晶；所述添加剂为含碳数不小于10的有机胺或有机酸；所述溶剂为溶点不大于60℃的非配位溶剂；硫与12族元素的物质的量比为1∶1－1.5。本发明方法工序简单，便于操作，溶剂环保且成本低，可节约成本50％以上，本方法无论是在实验室合成还是工业合成上都具有巨大的应用价值。