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公开(公告)号：CN101550507A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910082008.6
申请日：2009-04-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种半金属Heusler合金材料Co2Fe(Si1－xBx)，属于磁性材料领域。其特征在于：原子组分为Co2Fe(Si1－xBx)，其中0＜x≤1，晶体结构为L21或B2型Heusler合金结构。本发明的优点在于：通过调节B元素的掺杂比例，可以调节费米面的位置，使其位于次自旋电子带隙的中心，使材料同时具有高自旋极化率和高居里温度，因此它在自旋阀或磁隧道结中应用时能够获得高磁电阻效应，满足高灵敏度和存储密度的磁传感器和磁存储器的使用要求。
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公开(公告)号：CN1638167A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410009939.0
申请日：2004-12-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成，其钉扎层为一个合成反铁磁三层结构。该双磁性隧道结金属膜是采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备而成。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌层和两个绝缘层的组合，大幅度地提高双磁性隧道结在室温下的磁电阻效应。合成反铁磁结构作为钉扎层也有效的改善了钉扎效果，提高了器件的输出灵敏度。
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公开(公告)号：CN203521478U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320599712.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本实用新型公开了铁电/铁磁超晶格结构及其存储器件。所述超晶格结构包括：单晶底层；位于单晶底层上由导电氧化物形成的底电极层；以及位于底电极层上由无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层，其中无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层一起形成外延结构。所述存储器件包括上述的超晶格结构。这种超晶格结构可以广泛用于磁控、电控、磁电互控的铁电存储器件。
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