公开(公告)号：CN119604029A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411698987.9

申请日：2024-11-25

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王浩然 ,  刘威 ,  刘凤娟 ,  马连铮

IPC: H10D86/60 ,  G02F1/1368

Abstract: 本公开的实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用于降低薄膜晶体管发生负偏的风险，减小薄膜晶体管的尺寸并提升阵列基板的开口率。该阵列基板包括衬底、多个第一半导体图案和栅导电层。多个第一半导体图案设置于衬底的一侧，包括沟道部和位于沟道部相对两侧且与沟道部一体设置的第一电极部和第二电极部，第一电极部和第二电极部相较于沟道部更具导电性。栅导电层设置于第一半导体图案远离衬底的一侧，栅导电层在衬底上的正投影，覆盖沟道部在衬底上的正投影。第一电极部和第二电极部中的至少一者，远离衬底的表面设有凹槽，凹槽在衬底上的正投影与栅导电层在衬底上的正投影不重合。阵列基板用于制造显示面板。

公开(公告)号：CN119095431A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411196588.2

申请日：2024-08-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 刘威 ,  刘凤娟 ,  张建业

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/131 ,  H10K59/12 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 一种显示背板及其制备方法、显示装置，该显示背板包括：基底；有源层，设置在所述基底上，所述有源层包括沟道区以及设置在所述沟道区至少一侧的导体区；第一绝缘图案层，设置在所述导体区远离所述基底一侧，所述第一绝缘图案层中设置有第一过孔，所述第一过孔暴露至少部分所述导体区；源/漏电极，设置在所述第一绝缘图案层远离所述基底一侧，所述源/漏电极通过所述第一过孔与暴露的所述导体区连接，所述源/漏电极在所述基底上的正投影覆盖所述第一过孔在所述基底上的正投影；减小过孔尺寸。

公开(公告)号：CN118900593A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202411000979.2

申请日：2022-10-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 李晓虎 ,  曲燕 ,  许程 ,  周丹丹 ,  刘凤娟 ,  刘威 ,  焦志强

IPC: H10K59/122 ,  H10K59/121 ,  H10K59/12

Abstract: 本申请提供了一种显示基板、显示面板，涉及显示技术领域，该显示基板包括多个子像素，子像素包括发光元件，发光元件包括发光功能层和位于发光功能层的两侧的第一电极和第二电极，第二电极位于发光功能层远离衬底的一侧，发光功能层包括多个发光功能子层；多个像素隔断部，像素隔断部位于相邻的两个子像素之间，发光功能子层中的至少一个在像素隔断部位置处断开；其中，像素隔断部远离衬底的表面到衬底之间的最小距离小于第二电极靠近衬底的表面到衬底之间的最小距离。该显示基板能够在不影响第二电极的结构的情况下，避免相邻两个子像素的发光功能层中的载流子发生迁移，改善相邻两个子像素之间的串扰，从而提高显示效果。

公开(公告)号：CN117954495A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202211353473.0

申请日：2022-10-31

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王东方 ,  刘凤娟 ,  刘威 ,  付雨婷

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置，薄膜晶体管包括：设置在衬底上的栅极、有源层、源极和漏极，有源层位于源极远离衬底的一侧，栅极位于有源层远离衬底的一侧；源极和漏极均与有源层连接；缓冲层，设置在有源层与源极所在层之间；栅极绝缘层，设置在有源层与栅极所在层之间，栅极绝缘层具有镂空部；转接电极，位于有源层远离衬底的一侧，转接电极的一部分通过镂空部与有源层电连接，且另一部分通过第一过孔与源极电连接，其中，第一过孔至少贯穿有源层和缓冲层；第一过孔在衬底上的正投影与镂空部在衬底上的正投影存在交叠。

公开(公告)号：CN117730413A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280002049.3

申请日：2022-06-30

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王东方 ,  刘威 ,  胡合合 ,  王利忠 ,  宁策

IPC: H01L27/12 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786

Abstract: 一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括：衬底(101)以及设置在衬底(101)上的至少一个晶体管(100)；晶体管(100)包括：有源层图案(2)，设置在衬底(101)上；第一源漏电极(3)，设置在衬底(101)上，第一源漏电极(3)与有源层图案(2)电连接；第一栅电极(5)，设置在有源层图案(2)远离衬底(101)一侧，第一栅电极(5)和有源层图案(2)在衬底(101)的正投影存在交叠，且互不接触；第二源漏电极(4)，设置在有源层图案(2)远离衬底(101)一侧，第二源漏电极(4)包括互相连接的第一子电极(41)和第二子电极(42)，第二子电极(42)位于第一子电极(41)靠近第一栅电极(5)一侧，第一子电极(41)与有源层图案(2)电连接，第二子电极(42)和有源层图案(2)在衬底(101)的正投影存在交叠，且互不接触。

公开(公告)号：CN107579003B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201710778593.8

申请日：2017-08-31

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘威

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H10K59/12

Abstract: 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及制作方法、显示基板及制作方法、显示装置，涉及显示装置技术领域，能够增强薄膜晶体管的电学特性，提高显示装置的显示效果。所述薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的有源层图案、设置在有源层图案上的栅极绝缘图案，以及设置在栅极绝缘图案上的栅极；栅极与栅极绝缘图案之间设置有导电图案，导电图案与栅极电连接；导电图案与栅极绝缘图案在衬底基板上的正投影重合。本发明用于显示装置。

公开(公告)号：CN116868701A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202180004301.X

申请日：2021-12-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王东方 ,  刘威 ,  黄杰

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/123 ,  H10K71/00

Abstract: 一种阵列基板(10)及阵列基板(10)的制造方法、显示面板(30)和显示装置，属于显示技术领域。阵列基板(10)包括衬底基板(11)和位于衬底基板(11)上的驱动薄膜晶体管(12)，其中，驱动薄膜晶体管(12)包括在衬底基板(11)上依次层叠的第一栅极(121)、第一绝缘层(122)、第一有源层(123)、第二绝缘层(124)以及第一源漏极(125，126)，第一绝缘层(122)的厚度大于第二绝缘层(124)的厚度，因此降低了驱动薄膜晶体管(12)的第一栅极(121)对第一有源层(123)的调控能力，从而能够增大驱动薄膜晶体管(12)的亚阈值摆幅，进而可以提升驱动薄膜晶体管(12)对显示面板(30)上的发光器件的灰阶的调节能力。

公开(公告)号：CN116249393A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310101343.6

申请日：2023-01-20

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 周天民 ,  刘凤娟 ,  王利忠 ,  刘威 ,  卢昱行 ,  宁策 ,  许程 ,  周丹丹

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/12

Abstract: 本公开提供一种显示背板，所述显示背板被划分为多个像素单元，所述显示背板包括分别设置在多个所述像素单元中的多个像素电路，其中，所述像素电路包括第二晶体管和至少一个第一晶体管，所述第一晶体管包括沿所述显示背板的厚度方向依次设置的第一有源层和第一栅绝缘层，所述第二晶体管包括沿所述显示背板的厚度方向依次设置的第二有源层和第二栅绝缘层，所述第一有源层由第一氧化物制成，所述第二有源层由第二氧化物制成，所述第一氧化物的迁移率小于所述第二氧化物的迁移率，所述第一有源层与所述第二有源层位于不同层，所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层位于不同层。本公开还提供一种显示背板的制作方法和一种显示面板。

公开(公告)号：CN115799272A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211633555.0

申请日：2022-12-19

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 杨维 ,  刘威 ,  宁策 ,  王东方

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板包括：衬底基板、源漏极层和缓冲层；源漏极层位于衬底基板的一侧；缓冲层位于源漏极层远离衬底基板的一侧，包括过孔，过孔至少暴露出部分源漏极层；有源层位于缓冲层远离衬底基板的一侧，且通过过孔与源漏极相连接；其中：在过孔位置处，有源层覆盖部分源漏极层，有源层在靠近暴露出的源漏极层的位置处设有倒角结构。本申请实施例可以解决源漏极下置导致的有源层不能充分导体化、有源层和源漏极接触不良的问题，减小显示装置的寄生电容、提高显示装置的分辨率和显示质量。

公开(公告)号：CN115763482A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202111027617.9

申请日：2021-09-02

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘威 ,  张星 ,  张大成

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/131 ,  H10K59/12

Abstract: 一种显示基板及其显示装置。所述显示基板包括衬底，所述衬底包括显示区和周边区；衬底上设置有延第一方向和第二方向阵列的显示单元，显示单元中包括子像素，所述子像素位于所述显示区，至少一个子像素包括子阻挡结构，至少两个在第一方向上相邻且分别位于不同显示单元中的所述子阻挡结构电连接；第一电源线，至少部分所述第一电源线位于所述周边区，且至少部分所述周边区中的第一电源线延第二方向延伸；连接阻挡结构，至少部分所述连接阻挡结构位于所述周边区，所述子阻挡结构和所述连接阻挡结构同层设置；至少两个在第一方向上相邻且电连接的所述子阻挡结构与所述连接阻挡结构电连接，所述连接阻挡结构与所述第一电源线电连接。