公开(公告)号：CN104584433B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201480001940.0

申请日：2014-08-18

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 河井康史 ,  永井秀一

IPC分类号： G05F5/00 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/691 ,  H02M1/08

摘要： 栅极驱动电路(1000)具有：调制电路(30)，生成第一被调制信号和第二被调制信号；绝缘传输部，包括对第一被调制信号进行绝缘传输的第一电磁场谐振耦合器(20a)、和对第二被调制信号进行绝缘传输的第二电磁场谐振耦合器(20b)；第一整流电路(40a)，通过对第一被调制信号进行整流来生成第一信号；第二整流电路(40b)，通过对第二被调制信号进行整流来生成第二信号；第三整流电路(40c)，通过对第二高频进行整流来生成充电用电压；电容器(50)，根据充电用电压被充电；以及输出电路(60)，根据第一信号及第二信号中的至少一方选择是否将对电容器充电的电荷提供给半导体开关元件的栅极端子。

公开(公告)号：CN107659295A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710616008.4

申请日：2017-07-26

申请人： 奥特润株式会社

发明人： 李舜燮

IPC分类号： H03K17/0412

摘要： 本申请公开了隔离式栅极驱动器以及包括其的功率器件驱动系统。根据本发明的隔离式栅极驱动器包括：低压部，包括用于从微控制器单元接收PWM信号并输出低压PWM信号的PWM传输单元和用于从微控制器单元接收控制信号并输出低压控制信号的低压逻辑块；绝缘部，用于将低压PWM信号和低压控制信号分别升压至高压PWM信号和高压控制信号；以及高压部，包括高压逻辑块和转换速率控制器，高压逻辑块用于根据高压控制信号输出转换速率控制信号，并且转换速率控制器用于控制位于隔离栅极驱动器的外部的功率器件的栅极电压的转换速率，因此，功率器件的栅极电压在上升沿或下降沿具有取决于转换速率控制信号的转换速率，其中，高压部通过绝缘部与低压部绝缘。

公开(公告)号：CN106067793A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610625453.2

申请日：2016-08-02

申请人： 上海三基电子工业有限公司 ,  上海电器科学研究所(集团)有限公司 ,  上海电器科学研究院

发明人： 梁永增 ,  史贝娜 ,  魏波 ,  徐江 ,  史建华

IPC分类号： H03K17/0412 ,  H03K17/691

CPC分类号： H03K17/04123 ,  H03K17/691

摘要： 本发明涉及一种频率和宽度可变的高压电子开关，其特征在于，包括电源模块、输入控制信号处理电路、开关开启驱动电路、开关断开驱动电路、高压开关模块，由电源模块为输入控制信号处理电路、开关开启驱动电路、开关断开驱动电路提供工作电压，输入控制信号处理电路的输入端接收控制器送过来的控制信号Vi，输入控制信号处理电路的输出端分别驱动开关开启驱动电路及开关断开驱动电路。本发明提供电子开关可以应用在需要产生高电压快速脉冲的电路中，例如：衰减振荡波发生器、高压脉冲波发生器等。本发明拥有纳秒级的上升沿时间，能输出较大的脉冲电流。与传统开关相比，有速率快、输出阻抗低、寿命长、驱动简单、功耗低等优点。

公开(公告)号：CN101351963B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200680049655.1

申请日：2006-11-22

申请人： 欧司朗股份有限公司

发明人： 安德烈亚斯·胡贝尔 ,  彼得·尼德迈尔

IPC分类号： H03K17/0412

CPC分类号： H05B33/0818 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/6877 ,  Y02B20/346

摘要： 本发明要提供一种用于LED背光照明(BLU)的成本低廉的驱动电路。对此，设计了一种具有连接到高电势的晶体管(T1)的降压电路。降压晶体管(1)通过两个另外的晶体管(Q1，Q2)驱动。第一晶体管(Q1)用其参考电极连接到直流电压源的正极，用其工作电极连接到降压晶体管(T1)的控制电极，以及用其控制电极通过电容器(C3)连接到可外部驱动的信号接触端。第二晶体管(Q2)用其参考电极连接到地，用其工作电极连接到降压晶体管(T1)的控制电极，以及用其控制电极连接到可外部驱动的信号接触端(K5)。用于驱动发光二极管(D5至D10)的降压晶体管(T1)可以通过在端子(K5)上的相应栅极信号来接通。有利的是，用于在100V以下的工作电压的成本低廉的标准晶体管(Q1，Q2)能够用于开关调节器。

公开(公告)号：CN101385241A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005956.9

申请日：2007-02-16

申请人： 奥斯兰姆有限公司

发明人： 克劳斯·菲舍尔 ,  约瑟夫·克赖特迈尔

IPC分类号： H03K17/0412 ,  H03K17/687

CPC分类号： H03K17/6877 ,  H03K17/04126

摘要： 本发明涉及一种具有压控晶体管(T4)的电路，用于开关压控晶体管(T4)。该电路设计为：使得由于经控制信号促使第一晶体管(T1)接通，第一电流流过串联电路(R4，T1)，并且开始将压控晶体管(T4)的控制输入端再加载。通过串联电路(R4，T1)的第一电流引起在连接节点(V1)上的电位偏移。通过该第一电位偏移，第二晶体管(T2)被接通，并且因此第二电流通过第二晶体管(T2)的开关段流入第一晶体管(T1)的控制输入端中，其将第一电流放大。压控晶体管(T4)的控制输入端的增大的再加载引起在连接节点(V1)上的第二电位偏移。第二晶体管(T2)通过该第二电位偏移而被断开，而第一晶体管(T1)保持接通，并且将压控晶体管(T4)保持在其新的开关状态中。

公开(公告)号：CN1830144A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480022194.X

申请日：2004-07-27

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： T·G·托勒 ,  T·迪尔鲍姆 ,  G·绍尔莱恩德 ,  T·罗佩斯

IPC分类号： H03K17/0412

CPC分类号： H03K17/04163 ,  H03K17/04123 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/009 ,  Y10T307/747

摘要： 谐振栅极驱动器电路提供了例如对MOSFET的高效开关。然而，谐振栅极驱动器电路的操作常常不能应用于要求高开关频率的应用中。根据本发明，执行对谐振栅极驱动器电路的电感器的预充电。这样可以实现MOSFET的高能量效率以及快速的操作。

公开(公告)号：CN212086056U

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201921975742.0

申请日：2019-11-15

申请人： 杰华特微电子(杭州)有限公司

发明人： 黄必亮 ,  林利瑜 ,  周逊伟

IPC分类号： H02M1/088 ,  H03K17/687 ,  H03K17/0412

摘要： 本实用新型公开了一种功率管驱动电路及开关电路，功率管关断时，检测功率管的漏源电压，当功率管为N型器件时，功率管的漏源电压随时间的变化率小于第一斜率阈值时，以第一电流下拉功率管；然后，功率管的漏源电压随时间的变化率大于第一斜率阈值，以第二电流下拉功率管的驱动极；然后当功率管的漏源电压随时间的变化率再次小于第一斜率阈值时，下拉开关导通或者以第三电流下拉功率管的驱动极。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212231414U

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202021729786.8

申请日：2020-08-18

申请人： 成都天锐星通科技有限公司

发明人： 李绍飞 ,  陈智慧 ,  罗烜 ,  郭凡玉

IPC分类号： H03K17/0412 ,  H03K17/687

摘要： 本申请提出一种供电开关电路及用电设备。供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载；控制模块用于向充放电模块输出指示电压；充放电模块用于指示电压为高电平时，使开关电源与晶体管的栅极导通，以将晶体管的漏极和晶体管的源极切换为导通状态；指示电压为低电平时，使第四端与晶体管的栅极导通，以将晶体管的漏极和晶体管的源极切换为断开状态。通过充放电模块第三端输出高低电平的切换，以实现对晶体管开断状态的切换，从而实现整个电路开关的控制。相对于现有方案，NMOS晶体管开关频率更高，处于半导通时间短，产生的热量小，开关元件的开关损耗更低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209072437U

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201821709920.0

申请日：2018-10-22

申请人： 东南大学

发明人： 徐建 ,  杜健昌 ,  陈曦 ,  王志功 ,  刘轩

IPC分类号： H03F3/217 ,  H03F3/19 ,  H03F1/02 ,  H03K17/0412

摘要： 本实用新型公开了一种动态体偏置E类功率放大器，包括：MOS开关管、射频扼流圈、开关充放电电容、匹配电感、LC串联谐振匹配电路、负载电阻，其中MOS开关管的栅极连接输入开关信号，体电位极接入体偏置信号，及MOS开关管的漏极分别连接射频扼流圈、匹配电感的一端；匹配电感的另一端与LC串联谐振匹配电路、负载电阻依次串联后接地；所述MOS开关管的源极接地且开关充放电电容并联于MOS开关管的漏极和源极之间；所述MOS开关管根据输入开关信号控制MOS开关管的开启或闭合，根据输入的体偏置信号控制体电位极，以实现对阈值电压的动态调整控制。本实用新型可减少MOS开关在导通状态的导通电阻和关断状态的漏电流，可有效提高E类功放的输出功率和效率。

公开(公告)号：CN206894601U

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201720724443.4

申请日：2017-06-21

申请人： 台安科技(无锡)有限公司

发明人： 乔斌

IPC分类号： H03K17/0412 ,  H03K17/567

摘要： 本实用新型公开了一种伺服驱动器中IGBT的控制电路，属于伺服控制领域。该电路至少包括或门、三极管和IGBT驱动电路；或门的输入端分别连接过流检测信号端和PWM端，或门的输出端连接三极管的基极；三极管与IGBT驱动电路中的光耦连接；每个IGBT上臂驱动支路中的光耦与一个上臂控制信号端连接，每个IGBT上臂驱动支路与IGBT的一个上臂连接；每个IGBT下臂驱动支路中的光耦与一个下臂控制信号端连接，每个IGBT下臂驱动支路与IGBT的一个下臂连接；解决了利用MCU关断IGBT时容易导致IGBT损坏的问题；达到了利用硬件电路快速关断IGBT，提高关断IGBT的可靠性，拓宽伺服驱动器应用领域的效果。