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公开(公告)号：CN111656282B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201880088262.4
申请日：2018-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种确定衬底栅格的测量设备(10)和方法，衬底栅格描述了光刻设备(LA)中曝光衬底(12)之前衬底(12)的变形，光刻设备(LA)配置成在衬底(12)上制造一个或多个特征。获取在衬底(12)上多个第一特征和/或多个第二特征的位置数据。获取所述多个第一特征和/或所述多个第二特征中的至少一个特征的不对称性数据。基于位置数据和不对称性数据确定衬底栅格。将衬底栅格和不对称性数据传递到所述光刻设备LA，用于控制曝光过程的至少一部分以在衬底(12)上制造一个或多个特征。
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公开(公告)号：CN112424697B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201980044059.1
申请日：2019-06-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于确定衬底(W)的目标(330)的位置的传感器装置(300)包括：被配置为将辐射束(310)投影到衬底上的投影光学元件(315；321)；被配置为收集从目标散射的测量辐射(325)的收集光学元件(321)；被配置为确定测量辐射的至少一部分(355)的光瞳函数变化，并且输出指示其的信号(340)的波前感测系统(335)；以及被配置为接收信号，并且至少部分根据所收集的测量辐射和测量辐射的至少一部分的所确定的光瞳函数变化，确定目标的位置的测量系统(350)。
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公开(公告)号：CN118050952A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410276730.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种第零层共板的掩模版组件，第零层掩模版同时设置第零层对准标记和第一外部套刻标记并为各产品共用的掩模版。产品掩模版为对应的产品所特有的掩模版。在各产品掩模版上都包括第一设置区，第一设置区和第零层掩模版的第零层对准标记和第一外部套刻标记的区域位置相对应。在各产品掩模版上还设置有第一内部套刻标记，第一内部套刻标记位于第一设置区中，第一内部套刻标记和第一外部套刻标记排布在一起形成一组套刻标记。本发明还公开了一种使用第零层共板的掩模版组件的光刻方法。本发明能减少第零层掩模版的工艺成本。
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公开(公告)号：CN113066747B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110286316.1
申请日：2021-03-17
Applicant: 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 , 济南国科医工科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了一种掩膜版和硅片对准装置，包括：硅片夹紧部件，其包括下底板以及下夹紧组件；掩膜版夹紧部件，其可平移设置在所述硅片夹紧部件上，所述掩膜版夹紧部件包括上底板以及上夹紧组件；以及调整部件，其用于使所述掩膜版夹紧部件在所述硅片夹紧部件上的平移，以将所述掩膜版夹紧部件上的掩膜版与所述硅片夹紧部件上的硅片对准。本发明通过简单的机构即可实现掩膜版与硅片的对准与压紧要求，可显著降低成本和结构复杂性；本发明通过调整部件可实现对掩膜版角度调节和两个方向的微调，能达到精准的对准需求；本发明的掩膜版夹紧部件可在对准过程中保持掩膜版与硅片存在一定间隙，压紧时又可保证掩膜版和硅片接触的紧密性。
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公开(公告)号：CN118033986A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410182290.X
申请日：2024-02-18
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆对位方法，包括：提供一未形成有镜面曝光单元的晶圆；在晶圆上形成激光标记单元，激光标记单元和其他单元存在外观区别；在晶圆测试的配置文件中添加激光标记单元和所有其他单元的坐标信息；利用晶圆测试机台对晶圆进行晶圆测试，得到晶圆测试结果，晶圆测试结果中记录有晶圆中每个被测单元的测试结果及坐标；生成晶圆电子分布图，晶圆电子分布图中单元的分布和晶圆中单元的实际分布一致，晶圆电子分布图中绘制的激光标记单元和其他单元存在外观区别；基于晶圆电子分布图对晶圆进行定位和对准。上述晶圆对位方法可以减少光板角设计并节省一个光罩，从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114556224B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202080071911.7
申请日：2020-09-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 周子理 , 乔安科·拉文斯卑尔根
Abstract: 披露了一种光瞳整形布置，所述光瞳整形布置用于获得被配置成用于在量测应用中使用的量测照射束的经限定光瞳强度分布。所述光瞳整形布置包括工程扩散器，所述工程扩散器具有被配置成将所述经限定光瞳强度分布施加到所述量测照射束的经限定远场分布。所述光瞳整形布置还可包括多模光纤(MMF)，并且被配置成减少相干辐射的空间相干性。
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公开(公告)号：CN112639623B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980054293.2
申请日：2019-06-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： O·V·沃兹纳
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种用于测量衬底上的多个对准标记中的每一个对准标记的位置的设备，包括：照射系统，配置成将来自辐射源的辐射束引导到所述衬底上的多个对准标记上；投影系统，配置成投影来自所述衬底的多个对准标记的图像，所述多个对准标记的图像是由所述辐射束从所述多个对准标记的衍射产生的；光学块，配置成调制来自所述衬底的被投影的多个对准标记的图像，并且其中所述光学块配置成将多个对准标记的被调制的图像投影到感测元件上以产生信号，多个对准标记中的每一个对准标记的位置根据所述信号被并行地确定。
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公开(公告)号：CN112771451B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201980063865.3
申请日：2019-08-26
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： R·H·M·J·布洛克斯 , J·G·C·昆尼 , O·扎尔 , J·H·里昂 , S·斯里瓦斯塔瓦
Abstract: 一种具有气动传感器、温度传感器和控制器的水平传感器系统。所述气动传感器(10)具有用于与参考表面(R)形成参考间隙(GR)的参考出口(100)和用于与测量表面形成测量间隙(GM)的测量出口(200)，其中所述气动传感器被配置成产生指示从所述参考出口流出的气体流量与从所述测量出口流出的气体流量之间的差的气动传感器测量结果。所述温度传感器(510a、510b)被配置成产生指示所述参考表面的温度和/或所述测量表面的温度的温度测量结果。所述控制器(700)被配置成基于所述温度测量结果来调整所述气动传感器测量结果，以产生指示所述参考间隙与所述测量间隙之间的高度差的信号。
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公开(公告)号：CN117970750A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311792145.5
申请日：2017-02-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚
Abstract: 公开了一种测量目标的方法、相关联的光刻方法和光刻单元。该方法包括：在衬底上在一个或多个先前层之上的当前层中通过光刻工艺对结构的曝光之后，测量所述目标，其中所述一个或多个先前层均已经经历蚀刻步骤，所述目标仅被包括在所述一个或多个先前层中的至少一个中。以这种方式，获得了目标的蚀刻后测量。
