公开(公告)号：CN114075413A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110737442.4

申请日：2021-06-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/10 ,  C09J7/40 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09D183/07 ,  C09D183/05 ,  C09D5/20 ,  B65D65/02

Abstract: 本发明提供一种不易产生痕迹的保护膜形成用片卷的制造方法，该痕迹起因于会给保护膜带来痕迹的保护膜形成膜的卷绕。所述保护膜形成用片卷的制造方法具有：将卷绕具有保护膜形成膜、设置在保护膜形成膜的一个面上的第一剥离膜、及设置在保护膜形成膜的另一个面上的第二剥离膜的长条片而形成的片卷，自形成片卷后起60天之中，于10℃以下的保管温度保管25天以上的工序，将从保护膜形成膜上剥离第一剥离膜的剥离力设为F1，将从保护膜形成膜上剥离第二剥离膜的剥离力设为F2时，满足F1＞F2的关系，将10℃下的保护膜形成膜的损耗角正切设为tanδ10时，tanδ10为1.2以下。

公开(公告)号：CN112956014A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201980072649.5

申请日：2019-11-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及一种具备支撑片与形成在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，在温度为23℃的环境下，以上推速度为10mm/秒、上推高度为20mm的条件，将所述保护膜形成用膜沿表面方向扩展后的所述保护膜形成用复合片的所述支撑片侧的最表层的表面电阻率为1.0×1011Ω/□以下。

公开(公告)号：CN106062927B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201480076732.7

申请日：2014-09-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  稻男洋一 ,  山本大辅 ,  米山裕之

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  B32B27/00 ,  C09J7/20 ,  C09J7/40

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。

公开(公告)号：CN105339168B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201480016294.5

申请日：2014-03-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  吾妻佑一郎

IPC: B32B27/20 ,  B32B27/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/3171 ,  B32B27/20 ,  B32B2307/302 ,  C08K2003/382 ,  C09J7/405 ,  C09J133/066 ,  C09J133/068 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/106 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  C08F220/14 ,  C08F220/20 ,  C08F2220/325

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片(1a)，其具备：在基材(11)上具有粘合剂层(12)的粘合片(10)、以及在该粘合剂层(12)的至少一部分上的由保护膜形成用组合物形成的保护膜形成用膜(20)，其中，所述保护膜形成用组合物含有包含氮化硼粒子(C1)的无机填料(C)，且相对于该保护膜形成用组合物的总量，(C)成分的含量为10～70质量％。所述保护膜形成用复合片(1a)可发挥如下的特别的效果：能够形成散热性及标记性优异的保护膜，并且能够制造可靠性高的带有保护膜的芯片。

公开(公告)号：CN106062927A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201480076732.7

申请日：2014-09-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  稻男洋一 ,  山本大辅 ,  米山裕之

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。

公开(公告)号：CN105934811A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005141.5

申请日：2015-01-21

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  米山裕之

IPC: H01L21/02 ,  C09J7/02 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及具备保护膜形成膜(1)、以及叠层于该保护膜形成膜(1)的一面或两面的剥离片(21)的保护膜形成用片(2)，所述保护膜形成膜(1)在波长1064nm的透光率为55％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可以利用激光预先对半导体晶片等工件设置改质层，并通过施加力进行分割，并且不会通过肉眼观察到存在于工件或加工物上的磨痕的保护膜。

公开(公告)号：CN105408988A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042661.9

申请日：2014-01-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之 ,  高野健

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用片(2)，其具备保护膜形成膜(1)、和叠层于该保护膜形成膜的一面或两面的剥离片(21)，所述保护膜形成膜(1)的特征在于，其在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。

公开(公告)号：CN104837942A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380064452.X

申请日：2013-12-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  高野健

IPC: C09J7/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: C09J7/10 ,  C09J2201/134 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326

Abstract: 本发明提供一种在固化后容易将临时固定在支撑体上的保护膜形成用膜从支撑体上剥离、且与芯片的粘接强度优异的保护膜形成用膜。本发明的保护膜形成用膜是具有第一表面和第二表面的固化性的保护膜形成用膜，其中，固化后的第一表面对硅晶片的粘接力高于固化后的第二表面对硅晶片的粘接力。