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公开(公告)号：CN102445221B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110325796.4
申请日：2011-10-13
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 向具有第1～第3运算部的角度检测部输入与旋转磁场的互不相同的方向的成分的强度对应的第1和第2信号。第1运算部生成第1信号与第2信号的平方和信号。第2运算部根据平方和信号，计算第1信号中包含的第1误差成分的推定值即第1误差成分推定值与第2信号中包含的第2误差成分的推定值即第2误差成分推定值。第3运算部从第1信号减去第1误差成分推定值之后生成第1修正后信号，从第2信号减去第2误差成分推定值之后生成第2修正后信号，根据第1和第2修正后信号计算出角度检测值。
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公开(公告)号：CN102384758B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110252342.9
申请日：2011-08-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01D5/145
Abstract: 本发明涉及旋转磁场传感器。第1检测部具有第1和第2检测电路，第2检测部具有第3和第4检测电路。第2和第4检测电路的输出信号的相位分别相对于第1和第3检测电路的输出信号的相位，相差信号周期的1/4的奇数倍。第3检测电路的输出信号的相位相对于第1检测电路的输出信号的相位，相差除了信号周期的1/2的整数倍之外的信号周期的1/6的整数倍。旋转磁场传感器基于第1和第3检测电路的输出信号生成第1信号，基于第2和第4检测电路的输出信号生成第2信号，基于第1和第2信号计算角度检测值。
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公开(公告)号：CN102193072A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010596371.2
申请日：2010-12-20
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/0029
Abstract: 本发明提供一种磁传感器，包括自旋阀型磁阻效应元件、电压检测部、线圈以及电流控制部，上述线圈通过流通电流，对上述自旋阀型磁阻效应元件提供测定用磁场，上述电压检测部在检测出上述自旋阀型磁阻效应元件的输出电压成为规定的电压值时，将检测信号输出给上述电流控制部，上述电流控制部控制上述电流，以使上述测定用磁场的强度从初始值单方面增加或单方面减少，在输入了上述检测信号时，将上述电流控制为使上述测定用磁场的强度回到上述初始值，上述初始值是对上述自旋阀型磁阻效应元件提供饱和磁化的磁场的强度。
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公开(公告)号：CN101988956A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010243163.4
申请日：2010-07-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/091 , G01R33/0023 , G01R33/0029
Abstract: 一种用于检测外部磁场的方向的磁传感器，包括：桥接电路，被配置为提供根据外部磁场的方向而改变的输出，桥接电路包括四个电阻元件部分，每个电阻元件部分包括至少一个磁阻效应元件；以及两个电阻器，连接至桥接电路的相应输出端子。当每个电阻元件部分的电阻对应于磁阻的改变而处于最小值时，每个电阻器的电阻与桥接电路的电阻之比至少是2。
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公开(公告)号：CN1892823A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610002915.1
申请日：2006-01-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3133 , G11B5/4826 , G11B5/6005 , G11B5/6064 , G11B2005/0005
Abstract: 提供一种在不但保证发热操作可靠性、而且使读输出稳定的条件下，具有改善的伸出效率的薄膜磁头。所述磁头包括：用于写和/或读数据信号的磁头元件；用于至少在所述磁头元件的操作期间产生热的发热元件；以及与所述发热元件邻近的第一散热元件，所述第一散热元件用于接收所述发热元件产生的部分热，所述第一散热元件与所述磁头元件保持某一距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119573779A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411227819.1
申请日：2024-09-03
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁传感器、磁传感器装置及磁传感器系统。所述磁传感器具备：第一～第三结构物，它们分别具有用于使磁检测元件检测离开基准轴的第一～第三位置处的对象磁场的结构；和第一～第三检测电路，它们分别包含第一～第三磁检测元件。第二位置是从第一位置以基准轴为中心按绕轴方向旋转了相当于电角度的(120+360×m)°的角度的位置，第三位置是从第一位置以基准轴为中心按绕轴方向旋转了相当于电角度的(240+360×n)°的角度的位置。
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公开(公告)号：CN111722164B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010092230.0
申请日：2020-02-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 磁传感器(1)具有相互连接的多个MR元件(11A～14A)。多个MR元件(11A～14A)属于在各自由层(26)的磁化方向沿同一方向旋转规定角度时电阻增加的组(G1)和电阻减少的组(G2)中的任一组。一组的电阻元件的电阻的增加所引起的磁传感器(1)的输出的变动和另一组的电阻元件的电阻的减少所引起的磁传感器(1)的输出的变动相抵消。
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公开(公告)号：CN115840177A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211154982.0
申请日：2022-09-21
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 磁传感器装置具备第一检测电路、第二检测电路以及处理器。处理器构成为执行生成第一初始检测值的第一生成处理、生成第二初始检测值的第二生成处理、第一修正处理、第二修正处理、以及确定处理。第一修正处理是修正第一初始检测值并更新第一初始检测值的处理。第二修正处理是修正第二初始检测值并更新第二初始检测值的处理。处理器在交替执行第一修正处理和第二修正处理之后执行确定处理。
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公开(公告)号：CN110579728B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910480815.7
申请日：2019-06-04
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁检测装置具备：第一磁检测元件，具有第一电阻值，第一电阻值因施加第一方向的第一磁场而增大且因施加第二方向的第二磁场而减小；以及第二磁检测元件，具有第二电阻值，第二电阻值因施加第一磁场而减小且因施加第二磁场而增大。第一磁检测元件和第二磁检测元件均包括第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜，第一磁阻效应膜具有第一长轴方向，第一长轴方向相对于第一方向以第一倾斜角度倾斜；第二磁阻效应膜与第一磁阻效应膜串联且具有第二长轴方向，第二长轴方向相对于第一方向以第二倾斜角度倾斜。而且，该磁检测装置满足条件表达式(1)和条件表达式(2)。
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