一种低衰减阶跃型轨道角动量光纤

    公开(公告)号:CN110297288A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910300226.6

    申请日:2019-04-15

    Abstract: 本发明涉及一种阶跃型低衰减轨道角动量光纤,包括有芯层和包层,所述芯层R1为3~5微米,Δ1为-0.08%~0.08%,芯层外从内向外依次包覆环形芯层、下陷包层和外包层,环形芯层从内向外依次包括内环形芯层、下陷环形芯层和外环形芯层,内环形芯层的R2为4~6μm,Δ2为0.7%~1%,下陷环形芯层R3为5~7μm,Δ3为0.6%~0.9%,外环形芯层的R4为7~9μm,Δ4为0.7%~1%,且Δ4与Δ2相等或基本相等,下陷包层R5为11~16μm,Δ5为-0.6%~-0.3%,上述相对折射率差为光纤各层与外包层的相对折射率差,所述的外包层为相对纯二氧化硅层为负折射率的外包层。本发明不仅能支持四个模式组的长距离信号传输,衰减低,而且光纤的串扰、各模式的宏弯和微弯损耗等综合性能好。

    一种超低衰减大有效面积单模光纤

    公开(公告)号:CN106291808B

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201610829302.9

    申请日:2016-09-18

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为5~8μm,芯层的相对折射率Δn1为0~0.20%,芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层和外包层,所述的内包层半径r2为8.5~12μm,相对折射率Δn2小于或等于‑0.20%,所述的下陷内包层半径r3为12.5~30μm,相对折射率Δn3小于或等于‑0.40%,所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层,相对折射率Δn4小于或等于‑0.20%。本发明通过对芯包层波导结构和材料组分的合理设计,优化光纤各个部分粘度匹配和光纤应力,实现单模光纤的超低衰减性能。并使用掺氟二氧化硅外包层结构,改变光纤材料各个部分的材料弛豫时间,从而改变光纤的虚拟温度,并简化光纤剖面,实现光纤参数的稳定控制。

    一种超低衰减大有效面积的单模光纤

    公开(公告)号:CN104898201B

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201510355895.5

    申请日:2015-06-25

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积的单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于芯层半径R1为4.5~6.5μm,芯层Δ1为‑0.05%~0.10%,芯层外从内向外依次包覆内包层,第一下陷内包层,中间内包层,第二下陷内包层,辅助外包层和外包层,内包层半径R2为8.5~14μm,Δ2为‑0.35%~‑0.12%,第一下陷内包层半径R3为13~22μm,Δ3为‑0.7%~‑0.30%,中间内包层半径R4为14~23μm,Δ4为‑0.40%~‑0.15%;第二下陷内包层半径R5为18~30μm,Δ5为‑0.6%~‑0.25%;辅助外包层半径R6为35~50μm,Δ6为‑0.55%~‑0.15%;外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明不仅衰减低,有效面积大,成缆截止波长小于1530nm,并且具有较好的弯曲损耗、色散性能。

    一种用于模分复用系统的超低衰减少模光纤

    公开(公告)号:CN107247304A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201710599716.1

    申请日:2017-07-21

    Abstract: 本发明涉及用于模分复用系统的超低衰减少模光纤,包括芯层和包层,其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.02%~0.04%,R1为8.2~10μm;所述的包层由内向外依次包括第一内包层、下陷内包层、第二内包层和外包层,第一内包层相对折射率差Δ2为‑0.36%~‑0.33%,R2为11μm~15μm,下陷内包层紧密相对折射率差Δ3为‑0.85%~‑0.6%,R3为16.5μm~22μm,第二内包层紧密包绕下陷包层,其相对折射率差Δ4为‑0.37%~‑0.34%,R4为19μm~35μm,外包层紧密围绕第二内包层,为纯二氧化硅玻璃层。本发明的光纤在1550nm支持四个稳定的线偏振光传输模式,且每个模式均具有超低衰减,又具有较小的差分模群时延,本发明工艺简单,便于制作。

    一种超低衰减单模光纤
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106526743A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610702257.0

    申请日:2016-08-22

    CPC classification number: G02B6/0365 G02B6/036

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为3~5μm,芯层的相对折射率Δn1为0~0.20%,芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层和外包层,所述的内包层半径r2为6~10μm,相对折射率Δn2小于或等于-0.23%,所述的下陷内包层半径r3为10.5~20μm,相对折射率Δn3小于或等于-0.40%,所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层,相对折射率Δn4小于或等于-0.23%。本发明通过对芯包层进行不同材料组分设计,优化光纤各个部分粘度和光纤应力,降低了芯层和内包层玻璃材料在光纤制备过程中结构弛豫时间失配,减少了界面缺陷,并且芯层进行碱金属掺杂,有效降低芯层虚拟温度,从而实现单模光纤的超低衰减性能。

    一种超低衰减单模光纤
    77.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106019470A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610415510.4

    申请日:2016-06-14

    CPC classification number: G02B6/036

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减单模光纤,包括有芯层和包绕芯层的包层,其特征在于所述的芯层半径r1为3.5~4.5μm,相对折射率Δn1为0.02~0.14%,所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层,芯层中氯的含量为0.4‑2wt%,所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层,所述的内包层半径r2为8~10μm,相对折射率Δn2小于或等于‑0.23%,所述的下陷内包层半径r3为10.5~17μm,相对折射率Δn3小于或等于‑0.40%,所述的辅助外包包层半径r4为35~50μm,相对折射率Δn4小于或等于‑0.23%,所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层。本发明不仅衰减低,而且芯包层设置合理,粘度匹配优,制作工艺简便。

    一种拉丝塔光纤预制棒自动对中装置及方法

    公开(公告)号:CN105036541A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510536441.8

    申请日:2015-08-28

    CPC classification number: Y02P40/57

    Abstract: 本发明涉及一种用于光纤拉丝的拉丝塔光纤预制棒自动对中装置及方法,装置包括有垂直进给台和二维调节装置,二维调节装置下连预制棒夹头,预制棒夹头下方对应安设加热炉和保温炉,在保温炉炉口下方安设有裸光纤直径测量仪和牵引轮收线装置,其特征在于所述二维调节装置为自动二维调节装置,在牵引轮收线装置上方设置裸光纤位置测量仪,在加热炉炉口上方安设预制棒炉口位置测量仪或/和在加热炉炉内安设预制棒炉内位置测量仪,所述的自动二维调节装置通过处理控制器与裸光纤位置测量仪相连,并与预制棒炉口位置测量仪或/和预制棒炉内位置测量仪相连。本发明能在线自动检测并调整光纤预制棒和裸光纤的对中方位,避免光纤跑偏,使拉丝质量得到有效的提高。

    一种超低衰减大有效面积的单模光纤

    公开(公告)号:CN104360434A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410633787.5

    申请日:2014-11-12

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积的单模光纤,包括有芯层和包层,所述的芯层半径r1为4.8~6.5μm,芯层相对折射率差Δn1为-0.06%~0.10%;芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层,辅助外包层和外包层,所述的光纤的内包层半径r2为9~15μm,相对折射率差Δn2为-0.40%~-0.15%;所述的下陷内包层半径r3为12~17μm,相对折射率差Δn3为-0.8%~-0.3;所述的辅助外包层半径r4为37~50μm,相对折射率差Δn4范围为-0.6%~-0.25%;所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好,足够小的的成缆截止波长,以保证该类光纤在C波段传输应用中光信号的单模状态,光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构,具有较宽的下陷包层结构用于限制基模泄露,对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。

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