公开(公告)号：CN101083357A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710025078.9

申请日：2007-07-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 冯一军 ,  韩文佳 ,  赵俊明 ,  姜田 ,  郝玙 ,  陈罡

IPC: H01Q13/08 ,  H01Q13/10 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明公开了一种具有全向辐射的微带天线，该天线包括一个介质基板；一个带有微带缝隙的辐射金属贴片和一个金属地板，分别印制在介质基板的两侧；至少一个通过介质基板，连接金属地板和辐射金属贴片的金属过孔；一个SMA接头，连接辐射金属贴片和金属接地板，并作为天线电波信号的馈入接口。本发明的优点是：具有低剖面，可以与载体共形；在某一频率，具有水平面内全向辐射的特性；具有垂直线性电场极化，具有低的交叉极化水平。

公开(公告)号：CN2527572Y

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN01263468.9

申请日：2001-10-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 康琳 ,  吴培亨 ,  冯一军 ,  狄增峰 ,  杨森祖

IPC: C23C16/40 ,  C30B25/02

Abstract: 本实用新型公开了一种在硅基万能衬底(SOI)上生长多层异质外延薄膜，其特点在于在作为基层的硅基万能衬底(SOI)上生成或多层氧化物薄膜作中间过渡层，在过渡层的表面生成钇钡铜氧(YBa2Cu3O7)外延薄膜作为超导层。作为中间过渡层的氧化物为二氧化铈、二氧化锆或铝酸镧中的一种、二种或三种。本实用新型的优点是可以在SOI衬底上，获得各种不同厚度，特别是大于50nm以上厚度的高质量超导YBa2Cu3O7外延薄膜，以满足超导电子器件的制备要求。