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公开(公告)号：CN1175084A
公开(公告)日：1998-03-04
申请号：CN97105478.9
申请日：1992-02-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/306
Abstract: 本发明是关于多孔硅腐蚀液,使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法,其优点在于,提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液,该腐蚀液可以是氢氟酸;制作半导体基片的制造方法包括如下工序:形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底,将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上,用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。
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