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公开(公告)号：CN111653591A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010520235.9
申请日：2020-06-09
Applicant: 合肥京东方卓印科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本公开提供了一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括：衬底基板，具有多个沿第一方向间隔交替设置的透明区域和显示区域；多个像素，在衬底基板上且位于显示区域，显示区域中的像素沿第二方向排列，像素包括多个子像素，像素中的子像素分为2排子像素，每排子像素均沿着第一方向排列，第一方向和第二方向相交；多根栅线和多根数据线，位于衬底基板上，多根栅线沿第一方向延伸，多根数据线沿第二方向延伸；第一像素的多个子像素连接相同的栅线，与第一像素的多个子像素连接的栅线位于第一像素的2排子像素之间，第一像素为多个像素中的任一个。
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公开(公告)号：CN111341826B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010435328.1
申请日：2020-05-21
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 提供一种显示面板和显示装置。显示面板包括：衬底基板以及导电构件，导电构件位于所述衬底基板上，所述导电构件包括依次层叠的第一导电子层、第二导电子层和第三导电子层，所述第一导电子层比所述第三导电子层更靠近所述衬底基板，所述第一导电子层的电导率小于所述第二导电子层的电导率，所述第三导电子层的熔点大于所述第二导电子层的熔点，所述第二导电子层包括靠近所述第一导电子层的第一表面和靠近所述第三导电子层的第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置，所述第三导电子层沿所述导电构件的宽度方向凸出于所述第二表面，所述宽度方向与所述导电构件的延伸方向相交。包含该显示面板的显示装置可降低静电击穿的风险。
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公开(公告)号：CN110211975A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910569693.9
申请日：2019-06-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Abstract: 本发明提供一种阵列基板、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，可提高纹路识别的精确度。具有显示区；阵列基板包括衬底，依次设置于衬底上且位于显示区的像素电路、第一绝缘层、导电遮光层；像素电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；导电遮光层包括透光孔；第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管之间的区域在衬底上的正投影，与透光孔在衬底上的正投影具有重叠区域，且二者在衬底上的正投影重叠的部分构成成像孔；还包括设置于像素电路背离第一绝缘层一侧的多个纹路识别单元，纹路识别单元至少与一个成像孔对应；第一薄膜晶体管包括第一源漏图案，第一绝缘层包括第一过孔，导电遮光层通过第一过孔与第一源漏图案电连接。
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公开(公告)号：CN110164979A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910468942.5
申请日：2019-05-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/34 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，该薄膜晶体管包括低温多晶硅有源层和第一栅极，所述低温多晶硅有源层与所述第一栅极通过第一栅绝缘层间隔开；金属氧化物有源层与第二栅极，所述金属氧化物有源层与所述第二栅极通过第二栅绝缘层间隔开；和源/漏极，所述源/漏极设置在所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层之间，并分别与所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层电连接。该薄膜晶体管稳定性好、Ioff低、Ion高、且使用寿命长。
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公开(公告)号：CN109801837A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910107922.5
申请日：2019-02-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开提出一种驱动背板的激光退火工艺及掩膜版。其中，驱动背板的激光退火工艺包括以下步骤：在驱动背板形成非晶硅层；利用激光源通过掩膜版的透光区照射非晶硅层的部分区域，以对暴露在透光区的非晶硅层的部分区域退火形成多晶硅图案；移动掩膜版和激光源，对暴露在透光区的非晶硅层的其他区域退火形成多晶硅图案。
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公开(公告)号：CN109545844A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811368873.2
申请日：2018-11-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，其中，薄膜晶体管的有源层包括同层设置的第一沟道区域和第二沟道区域，由于第一沟道区域的导电率大于第二沟道区域的导电率，导电率较高的第一沟道区域可以确保驱动电流的大小；并且源电极和漏电极不与第一沟道区域直接接触，设置在源电极或漏电极与第一沟道区域之间的第二沟道区域由于具有较低的导电率，可以降低漏电流的大小，从而提升显示器件的对比度等性能。
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公开(公告)号：CN109524476A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811494714.7
申请日：2018-12-07
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/77 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法，属于显示技术领域。本发明的氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上，形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤；所述形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤包括：在基底上形成非晶氧化物半导体薄膜；对所述非晶氧化物半导体薄膜中，至少对应待形成的氧化物半导体有源层的沟道区的位置，进行准分子激光退火，以使所述非晶氧化物半导体薄膜中进行激光退火的位置结晶，形成结晶氧化物半导体材料；形成包括氧化物半导体有源层的图形。
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公开(公告)号：CN109445163A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201910007924.7
申请日：2019-01-04
Applicant: 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/13357 , G02F1/1362
Abstract: 本发明实施例提供了一种显示基板以及包括该显示基板的显示面板和显示设备。该显示基板包括衬底基板，衬底基板的显示区域内具有至少一个4行6列的子像素阵列。所述子像素阵列中的第一行子像素依次分别为蓝、红、绿、红、蓝、绿，第二行子像素依次分别为红、绿、蓝、蓝、绿、红，第三行子像素依次分别为绿、红、蓝、红、蓝、绿，第四行子像素依次分别为红、绿、蓝、绿、蓝、红。
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公开(公告)号：CN112838109B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110002888.2
申请日：2020-08-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H10K59/12 , H10K59/121 , H10K59/126 , G09G3/3266
Abstract: 一种显示基板及其制作方法、显示装置。该显示基板包括：衬底基板，包括显示区以及周边区；依次排列的栅极扫描驱动电路、发光控制扫描驱动电路和第一电源线；栅极扫描驱动电路包括第一稳定电容，第一稳定电容的第一极板与栅极扫描驱动电路的输出端电连接，第一稳定电容的第二极板与第一电源线电连接；发光控制扫描驱动电路包括第二稳定电容，第二稳定电容的第一极板与发光控制扫描驱动电路的输出端电连接，第二稳定电容的第二极板与第一电源线电连接，以及第二稳定电容的第二极板包括第一部分和第二部分，在沿垂直于衬底基板的方向上第一部分与第二部分之间具有有机绝缘层。该显示基板优化了线路结构的布局，有利于实现显示面板的窄边框设计。
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公开(公告)号：CN110728267B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201911117696.5
申请日：2019-11-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Inventor： 许晨
Abstract: 本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置。显示基板包括位于衬底基板上的阵列层以及位于所述阵列层远离所述衬底基板一侧的遮光层，所述遮光层上形成有多个成像小孔，所述成像小孔在所述衬底基板上的第一正投影与所述阵列层中的开关晶体管的有源层图形在所述衬底基板上的第二正投影不重叠；所述开关晶体管为与所述阵列层中的驱动晶体管的栅极连接的晶体管。本发明能够避免显示灰阶不准确的问题。
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