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公开(公告)号：CN101847669B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010118299.2
申请日：2010-03-05
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0326 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种I2-II-IV-VI4基薄膜太阳电池。属于太阳电池新能源领域。本发明以p型I2-II-IV-VI4基半导体薄膜作为吸光层，以与吸光层同质的薄膜作为缓冲层，优化电池p-n结能带带阶；以高功函数的双层复合薄膜作为电池的底电极，消除光吸收层与底电极的接触势垒；以宽带隙的ZnS半导体薄膜作为窗口层，提高电池的光利用效率。本发明所提供的I2-II-IV-VI4基薄膜太阳电池，原料丰富、廉价，具有优良的器件结构。
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公开(公告)号：CN102312192A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010217130.2
申请日：2010-06-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供了一种籽晶层辅助的表面织构化氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。本发明借助衬底上氧化锌籽晶层或掺杂氧化锌籽晶层的辅助，将掺杂氧化锌薄膜沉积过程中同时发生的成核/生长过程分离成两个独立的阶段，即形成高定向、致密籽晶层和以该籽晶层为起始晶核快速生长出表面粗糙的织构化薄膜。本发明制备的氧化锌薄膜具有独特特点的高度织构化表面(更好的陷光或光捕获效应)，其透明导电性能远优于同类文献报道。本发明简单易行、制造成本低，适于大规模生产，能与太阳电池制备工艺匹配，在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102176338A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110057896.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01B1/02 , H01B1/04 , H01B13/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种复合导电材料，所述复合导电材料为石墨烯/铜纳米线复合导电材料，包括：石墨烯、铜纳米线和粘接剂；其中铜纳米线占石墨烯重量的重量分数为1％-99％，所述粘接剂占石墨烯/铜纳米线总重量的重量分数为1％-50％；所述石墨烯层数为1～20，石墨烯面积大小为1～2500μm2；所述铜纳米线的长径比为10～10000。本发明还提供所述复合导电材料的制备方法以及含有该复合导电材料的背电极。本发明提供了一种低成本、电学性能优异、可大规模生产的复合导电材料。
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公开(公告)号：CN102153290A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010571940.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C03C17/23
Abstract: 本发明涉及有机模板掺杂制备孔隙率可调控纳米多孔减反增透薄膜的方法，属光学薄膜材料领域。本发明采用溶胶-凝胶技术，用有机模板进行复合掺杂，通过不同条件热处理选择性地去除有机模板，形成纳米多孔减反增透薄膜，并可进行孔隙率调节。本发明制备的薄膜厚度控制在20-2500nm范围，薄膜的折射率控制在1.10-2.50范围，消光系数控制在0.0-0.1范围内。
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公开(公告)号：CN101212049B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710172797.3
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及可用于二次锂电池的由掺杂的磷酸铁锂活性物质与碳组成的正极材料及制备方法。其特征在于所述的活性物质的通式为Li3+yFe2-xMex(PO4)3(Me＝Ti、Sc、Ge、Al、Zr、Mn、Hf、Nb、Ta、Mo、W、Ru、Ag、Sn、Pb等)，其制备特征为原料按照一定的摩尔比通过固相反应，水热法以及溶胶凝胶法合成的结晶态的Li3+yFe2-xMex(PO4)3，然后将制备得到的粉体与碳通过行星式球磨机球磨混合得到Li3+yFe2-xMex(PO4)3/C正极材料。所述的正极材料比容量可以达到122mAhg-1(以C/20充放电)和100mAhg-1(以C/2充放电)，而且该材料具有良好的循环性能和比容量保持性，从而为二次锂离子电池的实用化提供较为理想的正极材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101768729A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010118300.1
申请日：2010-03-05
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C14/185 , C23C14/5866 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及一种铜铟镓硒(CIGS)太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。本发明的特征在于在底电极上通过磁控溅射法，采用单靶溅射、富铜靶和贫铜靶同时或先后溅射，制备出具有高反应活性、可快速反应烧结的CIGS前驱薄膜，然后将CIGS前驱薄膜进行热处理，快速反应生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜。本发明所提供的制备方法，可控性强，薄膜质量高、均匀性好，工艺简单，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN101567395A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910051996.8
申请日：2009-05-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , C23C14/34
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法。本发明在n型ZnO基透明导电薄膜的膜面形成大量排列规则、结构均匀、连通良好且具有一定深度的微孔结构。这种表面织构化的薄膜具备良好的光捕获性能，且同时具有高的电导率。这种利用直流磁控连续溅射制备的表面织构化高性能n型ZnO基透明导电薄膜，其工艺简单，质量易于监控，适于大规模生产；可保持本体膜良好的柱状晶结构，孔与孔之间连通完好，保持了ZnO基膜的高电导率；织构表面上的微孔，无论是均匀性还是重复性都是传统使用的上述两种方法无法比拟的，且孔的深度和直径在一定范围内可控；膜层在可见光区平均透过率达到90％以上，迁移率最高达35.4cm2/V·S，电阻率达到1.003×10－4Ω·cm，方块电阻达到0.9Ω/□。
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公开(公告)号：CN100516166C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710037115.8
申请日：2007-02-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种硫化锌电致荧光粉的方法，其特征在于(a)将硫化锌、激活剂、助熔剂混匀；(b)步骤(a)均匀混匀的粉料于1050-1300℃第一次固相反应；(c)将步骤(b)合成的粉料水洗、烘干后在球磨；(d)将步骤(c)所得到的粉料，进行第二次固相反应，退火，温度为500-900℃，然后清洗，最后过滤、烘干和筛分；所述的助熔剂摩尔组成为NaCl∶MgBr2∶BaBr2∶S＝1∶0.5～3∶0.5～3∶0.5～5；助熔剂的加入量为ZnS质量的5～15%；激活剂为Cu、Mn或两者的组合，Cu加入量为200-900ppm，Mn质量加入两为1-10%。实现了制备的ZnS电致荧光粉的粒子形貌和组成的可控性，从而提高其电光转换性能，显著优于现有的方法制备的ZnS荧光材料。
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公开(公告)号：CN101471394A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710173785.2
申请日：2007-12-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/1844 , Y02E10/541 , Y02E10/544
Abstract: 本发明主要涉及铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法。采用非真空液相化学法制备铜铟镓硫硒薄膜，其特征在于：①将铜、铟、镓的硫族化合物或卤族化合物，和硫、硒的单质或胺类盐或肼类盐溶解于含有强配位基团的溶剂中，并加入一定的溶液调节剂，形成稳定的铜、铟、镓、硫、硒的源溶液；②将①所得到的各种源溶液按铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层Cu1－xIn1－yGaySe2－zSz配比配制成混合溶液；③将②所得到的混合溶液通过非真空工艺，在多种衬底上制备前驱薄膜；④经干燥并退火后，形成目标铜铟镓硫硒化合物薄膜。工艺简单，成本低廉，设备投资少，原料利用率高，可控性强，可重复性好，易于实现大面积、高质量薄膜的制备和大规模生产。
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公开(公告)号：CN100407338C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610025073.1
申请日：2006-03-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一类可用于p型透明导体的黄铜矿结构类型化合物ABQ2(A＝Cu、Ag；B＝Al、Ga、In；Q＝S、Se、Te)及其制备方法。确切地说，ABQ2属四方晶系，空间群为I4-2d(No.122)，可以看成是变形的闪锌矿超晶格结构，有序的四面体阵列是由略微扁平的AQ4和未变形的BQ4组成，其独特的结构决定了这类材料具有可观的透光性能和导电性能。本发明的材料可应用于p型透明导体及相关应用。本发明的设计思路独特，原料廉价易得，制备工艺简单，材料的导电性能优越，并具有可见光区高的透明度，是一种理想的p型透明导体候选材料。
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