公开(公告)号：CN210640233U

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201922109340.9

申请日：2019-11-29

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 庄凌艺

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构，半导体结构包括半导体基底、金属焊盘、凸块、第一焊料层、金属阻绝层以及第二焊料层，金属焊盘设置于半导体基底上；凸块设置于金属焊盘上；第一焊料层设置于凸块远离金属焊盘的一侧；金属阻绝层设置于第一焊料层远离凸块的一侧，金属阻绝层具有相隔离的第一容纳槽和第二容纳槽，第一容纳槽的槽口朝向远离第一焊料层的方向，第一焊料层设置于第二容纳槽内；第二焊料层设置于第一容纳槽内，且第二焊料层的部分凸出第一容纳槽的槽口。由于第一焊料层和第二焊料层具有回流高温熔融可伸缩的特性，由此自动进行高度调整，从而可以减少回流后，因受封装基板变形导致的非润湿的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210640230U

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201922107751.4

申请日：2019-11-29

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 庄凌艺

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构，半导体结构包括半导体基底、金属焊盘、凸块、金属阻绝层以及焊料层，金属焊盘设置于半导体基底上；凸块设置于金属焊盘上；金属阻绝层设置于凸块远离金属焊盘的一侧，金属阻绝层具有容纳腔，金属阻绝层的侧壁上设置有开口，开口与容纳腔相连通；焊料层设置于容纳腔内，且焊料层远离凸块的一端凸出容纳腔设置。由于开口的存在，在倒装芯片焊接过程中，受热而溢流出去的焊料会随着开口流出，即开口起到了导流的作用，从而通过控制开口的方向即可实现对焊料的导流作用，以此改善凸块间焊料桥接的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210640238U

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201922100286.1

申请日：2019-11-29

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 庄凌艺

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/316

摘要： 本公开提出一种半导体结构及电子装置。半导体结构包括芯片、绝缘层以及电磁屏蔽罩。芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，第一表面为芯片的功能面。绝缘层设于第二表面并包覆于第二表面。电磁屏蔽罩包覆于绝缘层和芯片的侧面。通过上述设计，本公开相比于现有设计，能够在保持高质量的电磁屏蔽能力的同时，避免因半导体结构的封装体表面受外力或环境冲击而导致电磁屏蔽罩被破坏的问题。并且，本公开在实现芯片与电磁屏蔽罩之间的绝缘功能的同时，能够利用绝缘层的特性增强芯片与其他层叠结构之间的粘结牢固程度，进而提升结构强度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208385398U

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201820759345.9

申请日：2018-05-21

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 庄凌艺

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31

摘要： 本实用新型提供了一种窗口型球栅阵列封装组件，包括：基板，具有相对的第一表面及第二表面，形成有贯穿第一表面及第二表面的窗口，第一表面上设置有复数个邻靠窗口的接点及矩阵排列的焊盘，第二表面包含芯片安装区，窗口两端各形成有进胶口及上模流缓速汇集口，上模流缓速汇集口相较于进胶口为尺寸扩大的缓流开口，上模流缓速汇集口的端部宽度大于窗口的通道宽度；芯片，部分覆盖窗口，并使窗口的进胶口和上模流缓速汇集口裸露在芯片之外；焊线，穿过窗口并电性连接芯片和基板；以及塑封体，包裹芯片和焊线，并填满上模流缓速汇集口。本实用新型可避免在基板上出现的溢胶问题以及在塑封体内出现的空洞问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210640247U

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201922101282.5

申请日：2019-11-29

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 庄凌艺

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L21/56

摘要： 本公开提出一种半导体结构及电子装置。半导体结构包括基板、芯片、绝缘层以及电磁屏蔽罩。基板具有相对设置的第三表面和第四表面，基板开设有贯通第三表面和第四表面的窗口。芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，芯片以第一表面固定于基板的第四表面并覆盖窗口，第一表面为芯片的功能面。绝缘层设于第二表面并包覆于第二表面。电磁屏蔽罩包覆于绝缘层和芯片的侧面。通过上述设计，本公开能够在保持高质量的电磁屏蔽能力的同时，避免因半导体结构的封装体表面受外力或环境冲击而导致电磁屏蔽罩被破坏的问题。并且，本公开在实现芯片绝缘功能的同时，能够利用绝缘层增强芯片与其他层叠结构之间的粘结牢固程度，进而提升结构强度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210640237U

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201922100237.8

申请日：2019-11-29

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 庄凌艺

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/316

摘要： 本公开提出一种半导体结构及电子装置。半导体结构包括芯片以及绝缘层。芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，第一表面为芯片的功能面，第二表面呈非平面状结构，以使第二表面的表面积大于第一表面的表面积。绝缘层形成并包覆于芯片的第二表面和侧面。通过上述设计，本公开使得芯片第二表面的表面积增大，从而增大芯片的散热面积，进而进一步优化芯片和整个半导体结构的散热效果。本公开还能利用绝缘层增强芯片与其他层叠结构之间的粘结牢固程度，进而提升半导体结构的结构强度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210640232U

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201922107979.3

申请日：2019-11-29

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 庄凌艺

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/48

摘要： 本实用新型提供了一种半导体结构，该半导体结构包括半导体基板、导电层、凸块以及金属间化合物；导电层设于所述半导体基板上；凸块设于所述导电层上；金属间化合物设于所述凸块上，且所述金属间化合物为凹凸状。本实用新型通过将金属间化合物设计为凹凸状，使其能够阻挡裂痕向四周延伸，可最小化或防止凸块和焊料层之间的裂痕的延伸以及电连接故障，有效提高良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利