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公开(公告)号：CN109547351B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910058455.1
申请日：2019-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/751 , H04L12/721 , H04W40/04 , H04W40/24
Abstract: 本发明公开了一种Ad Hoc网络中基于Q学习和信任模型的路由方法，主要解决了Ad Hoc网路中安全路由寻找的问题。本发明实现步骤是：(1)生成Q值表；(2)计算每个节点相邻节点的总数；(3)节点评估与其相邻的每个节点的信任值；(4)分配信任奖励；(5)获取即时奖励；(6)获取聚合奖励；(7)更新Ad Hoc网络节点的Q值表中的Q值；(8)判断路由请求包中的当前节点是否为目的节点，若是，则执行步骤(9)，否则，执行步骤(6)；(9)建立正向路由信息；(10)发送数据包。发明实现了信任模型、Q学习算法和路由技术的结合，能够根据Ad Hoc网络环境动态寻找全局最优路由，有效提高了网络的安全性和稳定性。
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公开(公告)号：CN109065716B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810929912.5
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“高氧化的a‑TSC:O薄膜/低氧化的a‑TSC:O薄膜”的介质层结构，拓宽了神经突触器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调，并且本征a‑TSC陶瓷薄膜的导电性良好且具有近红外波段透明的特性，因此不仅使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作神经突触器件的介质层，并且，可将本征a‑TSC陶瓷薄膜作为顶电极材料与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明神经突触器件。此外，本发明提出神经突触器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN109065715B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810929911.0
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“a‑TSC:O薄膜/a‑SiOx薄膜”的介质层结构，拓宽了忆阻开关器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调节，并且a‑SiOx薄膜透明且可提供氧缺位电迁移通道，因此使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作忆阻开关器件的介质层。同时，由于本征a‑TSC陶瓷薄膜具有非常好的导电性以及近红外透过率，因此也可将其作为顶电极材料，与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明忆阻开关器件。此外，本发明提出忆阻开关器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN110504359A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910795808.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
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公开(公告)号：CN110504358A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910795555.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
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公开(公告)号：CN107611260B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710818734.4
申请日：2017-09-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于SiOx的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/SiOx/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下具有“第二金属层/介质层/第一金属层”垂直三层结构；忆阻器从上至下具有“上电极/第二阻变层/第一阻变层/下电极”垂直四层结构，忆阻器第一阻变层、第二阻变层作为光信号传播通道与表面等离子波导的介质层水平相连；本发明实现神经突触权重的光读取，使得以光信号幅值和相位作为突触权重的光读取神经突触器件，具有以电阻作为突触权重的传统突触器件无法比拟的优势，表面等离子波导能够让光信号突破衍射极限进行传递，有利于器件尺寸进一步缩小。
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公开(公告)号：CN110147758A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910413598.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 电子科技大学成都学院
Abstract: 本发明提供一种基于深度学习的森林防火方法，将烟雾和明火的图片数据输入到图片生成模型进行训练，图片生成模型训练成熟后再输入固定格式的编码即可生成大量目标图片数据，再将由图片生成模型的生成的目标图片数据进行标注，标注后的图片数据进行归一化处理，再将归一化处理后的目标图片数据输入到目标检测模型进行训练，目标检测模型训练成熟后待用；在森林陆地上设置铁塔，上空布置无人机，铁塔和无人机进行视频数据采集，将采集到的视频数据输入到训练成熟的目标检测模型，目标检测模型分析处理后输出发生火灾的概率值，当概率值大于监控中心设置的阈值时即触发报警器，本发明抗干扰能力强，检测精度高。
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公开(公告)号：CN110048519A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910352504.2
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学成都学院
Abstract: 本发明公开了一种提升无线充电器可用区域的设计，包括安装外壳、MCU和电源接口，所述安装外壳内腔底部的背部与MCU的底部固定连接，所述MCU顶部的左侧与电源接口的底部固定连接，本发明涉及无线充电器技术领域。该提升无线充电器可用区域的设计，在设备内部集成两个微型电机分别负责线圈在横轴与纵轴方向上的移动，不断寻找待充电设备，检测到设备后系统开始监测输出功率，并微调线圈位置使得输出功率最大，当一个设备充满电后，自动驱动电机寻找下一个待充电设备所在位置，以此实现对多设备高功率的充电输出，可以保证置于无线充电器上的设备处于线圈最大输出功率的充电状态，且在非人工干预的前提下解决多设备充电问题。
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公开(公告)号：CN109883998A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910206827.0
申请日：2019-03-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/552 , C23C14/35 , C23C14/10 , C23C14/08 , C23C14/18
Abstract: 可见光可变穿透深度生物传感器及其制备方法，包括依次设置的棱镜单元、传感器单元、忆阻单元以及待测生物分子细胞单元，传感器单元包括LRSPR效应传感单元及CPWR效应传感单元，忆阻单元用于实现可变介质介电常数，包括第一非导电介质层、金属材料层、设置在第一非导电介质层上表面的导电介质层以及加电压装置，加电压装置分别向导电介质层及金属材料层施加正负极电压，在加电压的情况下，使得金属材料层的金属电极发生电化学金属化，在第一非导电介质层中产生金属细丝以改变介质的介电常数。在忆阻单元加载正负电压的条件下，传感器单元在LRSPR效应与CPWR效应之间进行动态转变，以实现灵活的穿透深度的变化。本发明适用于不同生物体的测量。
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公开(公告)号：CN109687108A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811585907.3
申请日：2018-12-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大单元间距的低剖面宽带宽角相控阵天线，属于雷达技术、无线通信技术领域。它包含从下至上层叠设置的金属地板、印刷有偶极子金属贴片和寄生金属贴片的中层介质基板、泡沫层、以及印刷有裂口圆环金属贴片的匹配层，天线单元采用三角栅格排布。本发明具有单元间距大、剖面低、工作频带宽、扫描角度大的特点，可用于需要大单元间距、低剖面、宽带宽角扫描的雷达和通信系统。
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