一种基于混沌的偏振复用多通道三方通信系统

    公开(公告)号:CN108183752B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201711222926.5

    申请日:2017-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于混沌的偏振复用多通道三方通信系统,包括三个激光器,三激光器各连接一偏振分束器,三个偏振分束器各具有两个输出端口,三偏振分束器两两之间分别通过一链路连接,以实现三激光器两两之间的双向通信。本发明利用混沌原理,解码时将传输信号与本地信号进行对比,才能将所要传输的信息还原,其增加了系统的保密性,假使信号在传输途中被截获,若无信宿的本地信号,也无法成功解码出要传递的信息。

    多层拓扑绝缘体结构的反射克尔极化偏转的计算方法

    公开(公告)号:CN110232250A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910525896.8

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明属于光学技术领域,具体涉及多层拓扑绝缘体结构的反射克尔极化偏转的计算方法,包括以下步骤:S1、建立多层拓扑绝缘体结构的模型;S2、确定拓扑绝缘体的电磁特性;S3、确定电磁波在分界面上的边界条件;S4、计算多层拓扑绝缘体结构的传输矩阵;S5、计算多层拓扑绝缘体结构的反射系数;S6、计算所述模型下反射电磁波的克尔极化偏转。本发明通过传输矩阵法计算了多层拓扑绝缘体结构的反射电磁波的克尔极化偏转效应,能够准确地分析多层拓扑绝缘体结构的反射电磁波的克尔极化偏转特性;本发明能够准确地反映出入射角、材料的介电常数、拓扑绝缘体表面的磁化方向以及拓扑绝缘体层数等影响因素下反射电磁波的克尔极化偏转效应。

    一种多层拓扑绝缘体的Faraday极化偏转分析方法

    公开(公告)号:CN110045306A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910354186.3

    申请日:2019-04-29

    Abstract: 本发明属于光学技术领域,具体涉及一种多层拓扑绝缘体的Faraday极化偏转分析方法,包括以下步骤:S1、建立多层拓扑绝缘体结构的模型;S2、确定边界条件;S3、计算多层拓扑绝缘体的传输矩阵;S4、计算光从普通介质入射至多层拓扑绝缘体的透射系数;S5、计算所述模型下的Faraday旋转角和透射光相位差。本发明根据传输矩阵法计算线偏振光从普通绝缘体入射到多层拓扑绝缘体的Faraday极化偏转角以及相位差的方法,能准确地分析多层拓扑绝缘体的Faraday效应的特性。

    一种基于混沌的偏振复用多通道三方通信系统

    公开(公告)号:CN108183752A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201711222926.5

    申请日:2017-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于混沌的偏振复用多通道三方通信系统,包括三个激光器,三激光器各连接一偏振分束器,三个偏振分束器各具有两个输出端口,三偏振分束器两两之间分别通过一链路连接,以实现三激光器两两之间的双向通信。本发明利用混沌原理,解码时将传输信号与本地信号进行对比,才能将所要传输的信息还原,其增加了系统的保密性,假使信号在传输途中被截获,若无信宿的本地信号,也无法成功解码出要传递的信息。

    一种多层各向异性手征媒质的透射谱的计算方法

    公开(公告)号:CN112836172B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202011637239.1

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种多层各向异性手征媒质的透射谱的计算方法,包括以下步骤:S1、建立多层各向异性手征媒质与普通介质构造的多层周期结构模型;S2、计算各向异性手征媒质层和普通介质层中的电场和磁场表达式;S3、写出两种材料层交界面处的边界条件;S4、计算多层周期结构的传输矩阵;S5、求出各向异性手征媒质与普通介质构造的多层周期结构的透射谱;本发明的多层各向异性手征特异媒质与普通介质构造多层结构,作为测试模型比较有应用价值;同时计算过程中涉及到基于传输矩阵计算方法,为分析多层且具有各向异性的特异材料结构提供了一种光学方法;产生有益的技术效果。

    一种基于相位调制的高精度光子量化编码系统及方法

    公开(公告)号:CN119070916A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411330570.7

    申请日:2024-09-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于相位调制的高精度光子量化编码系统及方法,系统包括锁模激光器阵列、光复用器、相位调制器、射频信号发生器、延时线干涉仪、光解复用器、光分束器、粗量化模块、细量化模块、粗量化模块光电探测器阵列、粗量化模块比较器阵列、细量化模块光电探测器阵列、细量化模块比较器阵列;锁模激光器阵列与光复用器连接,光复用器连接相位调制器;射频信号发生器连接相位调制器,相位调制器连接延时线干涉仪,延时线干涉仪连接光解复用器,光解复用器的输出连接光分束器;光分束器连接粗量化模块和细量化模块;粗量化模块由光电检测器阵列与比较器阵列连接而成;细量化模块由光电比较器阵列与比较器阵列连接而成。

    一种古斯-汉欣位移量计算方法

    公开(公告)号:CN112733080B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202011637470.0

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明公开一种古斯‑汉欣位移量计算方法,包括步骤:S1、建立有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的模型;S2、确定入射介质中的四元向量和边界条件;S3、使用传递矩阵法求得有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的传输矩阵;S4、根据传输矩阵求得电磁波从真空入射到有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的反射系数矩阵;S5、利用固定相位法根据反射系数矩阵计算出古斯‑汉欣位移。本发明采用固定相位法,计算出有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的古斯‑汉欣位移,能够准确地分析有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的古斯‑汉欣位移特性,能够准确地反映出入射电磁波的偏振态,入射角,有限带隙拓扑绝缘体的带隙宽度,层数,层厚等参数对古斯‑汉欣位移特性的影响。

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