一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块

    公开(公告)号:CN109995224A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910230132.6

    申请日:2019-03-25

    Abstract: 本公开揭示了一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块,包括:依次串联的MOSFET管M1~Mn、栅源极并联均压电阻R1,1~Rn,1、储能电容C1、栅极触发电容C2~Cn、漏源极并联均压电阻R1,2~Rn,2、外部驱动电路及负载。本公开还揭示了一种基于单外部驱动的MOSFET管串联高压模块的marx发生器。本公开一方面能较好解决传统半导体器件串联中复杂的驱动隔离问题,实现模块小型化;另一方面通过栅极触发电容交错连接,能够较好改善较多器件串联应用时器件导通的乱序问题。

    一种高压大功率晶闸管反向恢复电流测试系统及测试方法

    公开(公告)号:CN109901040A

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201910278973.4

    申请日:2019-04-08

    Inventor: 庞磊

    Abstract: 本公开揭示了一种高压大功率晶闸管反向恢复电流测试系统,包括:高精度高压直流电源DC、充电电阻r、电容C、电感L、晶闸管、晶闸管触发模块、二极管D、精密电阻R和示波器。本公开还揭示了一种对反向恢复电流进行测试的方法。本公开通过将正向高幅值电流和晶闸管关断产生的低幅值反向恢复电流进行分流,从而能够较好的解决反向恢复电流易受外界干扰的问题。

    一种超高频局部放电传感器的标定装置及方法

    公开(公告)号:CN104931911B

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201510321114.0

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 本发明提供一种超高频局部放电传感器的标定装置及方法,其与待标定超高频局部放电传感器相配合,包括用于提供超高频信号的信号发生器、用于接收超高频信号的信号接收器、用于消除超高频信号折反射的阻抗过渡段、用于在超高频信号传输时产生TEM波的同轴传输线、匹配阻抗和用于显示TEM波频率及幅值的示波器;阻抗过渡段有两个且均为圆锥;两个阻抗过渡段的圆锥顶部分别设有匹配阻抗及与信号发生器相连的信号接收器,两个阻抗过渡段的圆锥底部之间设有同轴传输线;同轴传输线为中空圆柱,其内壁上设有与示波器相连的待标定超高频局部放电传感器。实施本发明实施例,能够更为准确标定超高频局部放电传感器的灵敏度和带宽,并且降低了工作量。

Patent Agency Ranking