一种光催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117380177A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311556640.6

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 本发明涉及一种光催化剂及其制备方法和应用,所述光催化剂为ZnO/ACeVO4复合材料。光催化剂的制备方法包括以下步骤:S1、将ZnO和CeVO4分散于有机溶剂中,得到混合溶液;S2、对步骤S1得到的混合溶液进行加热;S3、分别用碱、超纯水和有机溶剂对步骤S2处理后的溶液中的沉淀物进行洗涤,干燥后即得所述光催化剂。ZnO/ACeVO4复合材料可以应用于光催化分解水制氢中,光催化效率较高。此外,本发明的光催化剂为基于ZnO和CeVO4的复合材料,两种材料都是价格较为低廉的半导体材料,即本发明的光催化剂原料成本也相对较低。

    铜锌锡硫化物掺杂氧化铁光电阳极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116949499A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310977217.7

    申请日:2023-08-04

    Abstract: 本发明公开了铜锌锡硫化物掺杂氧化铁光电阳极及其制备方法和应用,包括:导电基底和生长在所述导电基底表面的改性氧化铁纳米棒阵列;所述改性氧化铁纳米棒阵列中的改性氧化铁纳米棒包括氧化铁纳米棒和包覆在所述氧化铁纳米棒表面的铜锌锡硫化物层。本发明采用铜锌锡硫化物对氧化铁纳米棒进行包覆,使得光电阳极表现出良好的光吸收性能,促进了光生载流子的分离,提高了光电阳极的光电流密度和光电转化效率。

    一种光电阳极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116732565A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310688622.7

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 本发明属于光电催化技术领域,具体涉及一种光电阳极及其制备方法和应用。本发明提供了一种光电阳极,包括导电基底和生长在所述导电基底表面的改性氧化铁纳米棒阵列;所述改性氧化铁纳米棒阵列中的改性氧化铁纳米棒包括氧化铁纳米棒和依次包覆在所述氧化铁纳米棒表面的氧化铟层和氢氧化钴‑四氧化三锰复合层。本发明采用氧化铟层和氢氧化钴‑四氧化三锰复合层对氧化铁纳米棒进行逐层包覆,使得光电阳极表现出良好的可见光吸收性能,进一步提高了光电阳极的光电流密度和光电转化效率。

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