一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法

    公开(公告)号:CN105742158B

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201610085270.6

    申请日:2016-02-15

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法,涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤:1)将衬底清洗后用氮气吹干,然后转入分子束外延生长系统,进行氧等离子退火;2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理,随后进行镁原子沉积;3)在步骤2)完成后,通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜,即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品,通过衬底表面预处理工艺,获得高质量的氧化锌单晶薄膜,可以运用于紫外发光、激光二极管等方面,有很大的应用前景,工艺简单,可重复性好。

    一种通过降低灰渣粘度降低气化炉操作温度的方法

    公开(公告)号:CN105779010A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610279519.7

    申请日:2016-04-29

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: C10J3/466 C10J3/723 C10J2300/093

    Abstract: 一种通过降低灰渣粘度降低气化炉操作温度的方法,涉及气化炉。1)用不同地区选取的三种煤混合,烧成灰渣;2)在步骤1)得到的灰渣中加入MgO,得样品,再放入坩埚中;3)将坩埚放置在高温炉内,温度升至900℃时开始通入氮气,通过程序升温装置将高温炉加热到1550~1600℃,然后程序降温,降温过程中测定样品的粘度和温度;4)当样品的粘度高于150Pas时,停止操作,得灰渣的粘度?温度曲线。可使配煤适用于液态排渣炉的气化操作,可通过调节灰渣中MgO的质量比能降低灰渣的粘度,进而能降低气化炉的操作温度,减小气化炉的整体能耗,缩减成本,提高操作效率,具有广阔的运用前景。

Patent Agency Ranking