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公开(公告)号：CN104809279B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510182481.7
申请日：2015-04-16
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种矩形薄膜压膜阻尼等效电路，包括初级电感回路和次级电感回路单元矩阵。将矩形薄膜均匀划分为（n+1）×（m+1）个薄膜单元，每个薄膜单元对应矩阵中的一个次级电感回路单元，各次级电感回路单元的结构和元件参数完全相同。初级电感回路的电感和各次级电感回路单元的电感形成耦合，各次级电感回路单元的电感间没有耦合。由离散近似的雷诺方程计算得到各薄膜单元的压膜阻尼压强值，将计算得到的阻尼压强值作为初级电感和各次级电感的耦合系数。不同薄膜运动速度下的各次级电感回路单元的次级电感上的电压值分布表征了薄膜下压膜阻尼的阻尼压强分布，通过本发明，可将流体域的问题转换为电域问题，且精度高、速度快。
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公开(公告)号：CN104568585B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510010179.3
申请日：2015-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明提出了一种金属薄膜材料杨氏模量测试结构，测试结构包括五部分：带测微游标的第一热膨胀力源；带测微游标的第二热膨胀力源；待拉伸金属构件；双端固支梁；加载驱动电流的锚区。其中，带测微游标的热膨胀力源和双端固支梁均采用已知杨氏模量和残余应力的多晶硅材料制作。该结构除了可以测量金属薄膜的杨氏模量外，通过对测试过程的控制还能同时测量金属存在的残余应力、断裂强度以及临近断裂时的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN104596864B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510009655.X
申请日：2015-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/22
Abstract: 本发明提出了一种绝缘衬底上厚膜硅材料泊松比测试结构，用于测量绝缘衬底上厚膜硅材料的泊松比。测试结构由两部分组成：用于悬挂扭转结构的多晶硅固支梁和扭转结构。扭转结构由静电驱动的扭转杆和左右两个限位结构组成。扭转杆的中心是一个扭转梁，扭转梁的上端面连接到多晶硅固支梁的中心位置，形成悬挂-扭转结构。利用静电力驱动扭转杆以扭转梁为轴做扭转运动。利用止挡结构控制扭转角度，形成一个特定的测试角。由扭转梁的长度、宽度和厚度尺寸、厚膜硅材料的杨氏模量以及所施加的静电力可以计算得到厚膜硅材料的泊松比。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单。
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公开(公告)号：CN104122012B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410247676.0
申请日：2014-06-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 一种多晶硅薄膜残余应力的测试结构及其测试方法，包括硅衬底，硅衬底上设二氧化硅层和氮化硅层，氮化硅层上设东南西北向偏转结构，东西镜面对称，南北镜面对称，东南西北向偏转结构采用偏转结构，偏转结构包括指针梁，在指针梁上垂直连接有驱动梁，指针梁及驱动梁分别连接于设在氮化硅层上的第一和第二锚区，东西向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，南北向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，东西向偏转结构中的指针梁与南北向偏转结构中的指针梁相垂直，各个偏转结构的指针梁及驱动梁连接于设在氮化硅层上的PSG牺牲层，当PSG牺牲层被释放后，测得东北向偏转结构中的指针梁的夹角及西南向偏转结构中的指针梁的夹角，计算残余应力σ。
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公开(公告)号：CN103245579B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310184389.5
申请日：2013-05-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构，包括：由绝缘衬底上的硅材料中的硅衬底形成的衬底，在衬底上设有由绝缘衬底上的硅材料中的绝缘层形成的第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区，在第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区上分别设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的第一锚区、检测电极、第二锚区及激励电极，在检测电极与激励电极之间设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的谐振梁，谐振梁的一端连接于第一锚区，谐振梁的另一端连接于第二锚区，所述谐振梁立于衬底的上方且受激励电极的激励产生面内横向谐振。本发明能够提高绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测量准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104034604B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410243543.6
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种绝缘衬底上薄膜硅材料残余应力的测试结构及方法，其测试结构由两组结构构成。其中第一组由一个多晶硅悬臂梁、一个薄膜硅双端固支梁、一个由薄膜硅制作的垫板组成；第二组由一个多晶硅悬臂梁和一个由薄膜硅制作的垫板组成。实际测量薄膜硅残余应力的单元是薄膜硅双端固支梁，而两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅双端固支梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅双端固支梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅双端固支梁达到测试挠度所需要的力，由力、测试挠度、杨氏模量和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的残余应力。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单。
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公开(公告)号：CN104568606A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510010411.3
申请日：2015-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明提出了一种绝缘衬底上厚膜硅材料杨氏模量测试结构，用于测量绝缘衬底上厚膜硅材料的杨氏模量。测试结构由三部分组成：相对型电热驱动单元；带测微游标的止挡单元；静电驱动的悬臂梁单元。相对型电热驱动单元和带测微游标的止挡单元垂直连接。利用静电力驱动悬臂梁做面内的横向弯曲运动。止挡结构用于控制弯曲量，并用于防止出现吸合而产生的测量不稳定问题。止挡结构的移动由热膨胀驱动结构实现，止挡结构的移动量由游标进行测量。为防止工艺误差导致的位置测不准问题，采用两次测位的方式进行，即第一次热驱动止挡结构接触到悬臂梁，读出游标位置，然后减小驱动电流产生微小的间隙，由游标记录这种间隙即最终的弯曲挠度。
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公开(公告)号：CN102897704B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210394906.7
申请日：2012-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种静电力调变齿间隙的微机电梳齿机构，包括静电驱动齿、由左移定齿和右移定齿组成的定齿、动齿、第一锚区和绝缘衬底，第一锚区固定连接在绝缘衬底上；左移定齿包括第一宽梁、左移梳齿、四个沿横向弯折的第一折叠梁；右移定齿包括第二宽梁、右移梳齿、四个沿横向弯折的第二折叠梁；静电驱动齿包括梳齿和第三锚区，右移梳齿、梳齿和左移梳齿依次交替布置；动齿包括质量块、动齿梳齿、第二锚区和沿纵向弯曲的第三折叠梁，且右移梳齿、动齿梳齿和左移梳齿依次交替布置，第一宽梁上设有左移止挡块，第二宽梁上设有右移止挡块。该微机电梳齿机构在静电力的驱动下，调变齿间隙，使得微机电振动所产生的信号强。
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公开(公告)号：CN104034583A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410243090.7
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明提出了一种薄膜材料泊松比的测试结构及方法，测试结构中，第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁(101)、由待测薄膜材料制作的带有对准结构的非对称十字梁(102)、由待测薄膜材料制作的对称十字梁(103)；第二组结构是第一组结构去除对称十字梁后的剩余结构；对称十字梁由第二锚区(103-2)、第三锚区(103-3)、水平短梁(103-4)、上半竖直长梁(103-1)以及下半竖直长梁(103-5)组成，将力的加载驱动部分和待测薄膜材料制作的泊松比测试结构分开，通过几何参数设计控制泊松比测试结构的测试扭转角，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出泊松比测试结构所受到的力，利用力和扭转角计算得到待测薄膜材料的泊松比。
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公开(公告)号：CN103995022A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410247627.7
申请日：2014-06-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力的测试结构及测试方法，结构包括SOI硅片，SOI硅片包括底层硅材料，底层硅材料上有第一、第二锚区绝缘介质层和电极绝缘介质层，其上分别有第一锚区、第二锚区和电极，底层硅材料上方有双端固支梁，双端固支梁与电极相对。方法：把待测的具有硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力测试结构的样片放在半导体分析仪的探针台上，在电极与第一锚区或第二锚区之间施加电压，电压从0.0V开始，步长为0.1V，当双端固支梁被静电引力突然拉到固定电极上时，半导体分析仪会停止增加电压，记录下该吸合电压；测出两组不同长度的双端固支梁的吸合电压，计算出绝缘衬底上的硅材料顶层硅的杨氏模量和残余应力。
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