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公开(公告)号：CN104403570B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410610365.6
申请日：2014-11-03
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光领域，特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的双氧化剂化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种双氧化剂的GST化学机械抛光液，其原料按重量份计，包括如下组分：抛光颗粒0.2?30份；氧化剂A 0.01?5份；氧化剂B 0.01?5份；表面活性剂0.01?4份；水性介质85?95份；pH调节剂适量；所述双氧化剂化学机械抛光液的pH值的范围为2?6。本发明发明人在相变材料抛光液中添加双氧化剂，利用两种氧化剂的协同作用，实现三种元素的全部氧化，解决抛光之后残留问题，保证抛光之后三种元素的比例保持不变，相变材料能够保持具有与抛光之前相同的相变性能。
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公开(公告)号：CN105670350A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610089066.1
申请日：2016-02-17
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09D7/61 , B05D7/14 , C08K3/36 , C09D1/00 , C09D125/14 , C09D175/04 , C09D7/63 , C09D7/65
Abstract: 本发明属于无机纳米材料制备和应用领域，涉及一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用。本发明提供一种成膜硅溶胶，按质量百分比计，包括以下组分：硅溶胶66～91%；改性剂0.1～1.8%；成膜助剂7.2～33.9%。本发明还进一步提供了一种成膜硅溶胶的制备方法及其应用。本发明提供的一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用，制备获得的成膜硅溶胶具有良好的外观透明度和稳定性，其应用于涂料作为成膜涂层具有良好的光泽度、较高的硬度和较强的附着力，在涂料领域具有较高实用价值。
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公开(公告)号：CN104593776A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410836073.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F3/04
Abstract: 一种用于钛的化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下原料组分及重量百分含量：氧化剂1~5wt%、表面活性剂0.01~4wt%、有机添加剂0.01~3wt5、抛光颗粒0.2~30wt%、余量为pH调节剂和水。本发明中的化学机械抛光液利用不同成分化学机械抛光液对钛金属速率可控、表面质量好且低腐蚀的抛光，可满足工业中对于钛金属表面质量的需求。
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公开(公告)号：CN104559799A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410852457.5
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学抛光领域，具体涉及一种含复合磨料的化学机械抛光液及其制备方法。所述化学机械抛光液，含有复合磨料，所述复合磨料由二氧化硅和三氧化二铝组成。所述复合磨料中，二氧化硅和三氧化二铝的重量比为0.1:1~3:1。本发明利用二氧化硅的化学活性和三氧化二铝的硬度之间的协同作用，可有效地提高蓝宝石的抛光效率。
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公开(公告)号：CN104559798A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410837824.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 一种氧化铝基化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及百分含量：抛光颗粒0.1~30wt%、表面活性剂0.01~10wt%、余量为pH调节剂和水性介质。本发明提供的化学机械抛光浆液对蓝宝石衬底材料的抛光速率可控制在50nm/min到200nm/min,同时表面粗糙度降低到了15？以下。利用上述抛光液可实现对蓝宝石衬底材料速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103897604A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587505.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及计算机领域，具体涉及一种可有效应用于计算机NiP硬盘的计算机硬盘化学机械抛光液。计算机硬盘化学机械抛光液，为含有氧化剂、研磨粒子、盐类添加剂以及pH调节剂的水溶液；所述盐类添加剂通式为X-R-Y，其中X为阳离子，Y为阴离子，R为直链烃基或其衍生物。通过本发明提供的化学机械抛光浆液，硬盘的抛光速率达到了90nm/min,表面粗糙度较低，硬盘的表面质量和加工效率得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN103897603A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586914.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光液领域，尤其涉及一种可有效应用于相变材料GST的化学机械抛光液。本发明提供一种GST中性化学机械抛光液，以重量百分比计，包括如下组分：二氧化硅抛光颗粒0.2-30wt%；氧化剂0.01-5wt%；表面活性剂0.01-4wt%；余量为pH值调节剂和去离子水；所述GST中性化学机械抛光液的pH值为6-8。本发明提供的用于相变材料GST的中性化学机械抛光液，所述的经过烷基改性，金属氧化物包裹，胺型改性，无机离子改性等方法改性的SiO2抛光颗粒，在pH值6-8范围内，zeta电位的绝对值30-80mv，胶体达到了稳定，从而形成稳定的中性化学机械抛光液。
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公开(公告)号：CN103897202A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586912.2
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种以聚苯乙烯纳米颗粒作为内核，以氧化硅作为壳层，形成聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料抛光液的制备方法，属精密抛光材料制备工艺技术领域。本发明提供一种聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法，包括如下步骤：（1）聚苯乙烯纳米颗粒的制备；（2）在步骤1制备得到的PS胶体中加入醇，搅拌得到均匀混合的液体，之后加入氨水，其用量为0.3～8wt%；最后加入TEOS；搅拌12～48小时即可得到复合磨料；（3）由复合磨料制备抛光液。本发明提供的聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法所制备的复合磨料具有光滑的表面，适合作为抛光液中的磨料。
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公开(公告)号：CN103896287A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587490.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/14
Abstract: 本发明涉及CMP技术抛光领域，特别是涉及一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种非球形二氧化硅溶胶，包括液体介质和溶胶颗粒，所述溶胶颗粒由2~10个二氧化硅胶体粒子聚集而成。本产品的有益效果是：通过二价金属离子的诱导作用，形成非球形的二氧化硅晶种。在该晶种表面包覆一层聚苯乙烯薄层（由苯乙烯聚合而成）。由于晶种是非球形的，表面的曲率各处不同，有正有负。在具有负曲率（即凹陷处）的地方表面张力大，聚苯乙烯不易包覆，故留下了空洞，露出二氧化硅。持续添加的硅酸会优先附着在这些露出二氧化硅的表面，并进行脱水聚合，最终形成2-10个小颗粒聚集成的大颗粒状二氧化硅胶体粒子。
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公开(公告)号：CN103618045A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310415207.0
申请日：2013-09-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。
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