公开(公告)号：CN208538900U

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201821046213.8

申请日：2018-06-29

Applicant: 苏州新纳晶光电有限公司

Inventor： 刘撰 ,  杨晓隆 ,  王怀兵 ,  王辉

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: 本实用新型公开了一种反射电极，包括依次制作在芯片外延片上的Cr层、Al层、Cr层、Ti层、Cr层、Ti层及Au层。本实用新型还提供了一种具有上述反射电极的LED芯片，包括依次生长在衬底层上的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层及透明导电层，以及生长在N型半导体层上的N型电极，生长在P型半导体层上的P型电极；芯片外侧包裹有PV绝缘层。该实用新型通过在反射电极中增加了Al层，并设置多层Cr层及Ti层，第1层Cr的厚度减薄至1～2nm，而Al层具有较高反射率，芯片射入金属Pad的光有很大一部分是通过Al层再反射回芯片内部，并通过DBR再次反射或从其他角度射出芯片，芯片亮度可提高5％。

公开(公告)号：CN208538896U

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201821046557.9

申请日：2018-06-29

Applicant: 苏州新纳晶光电有限公司

Inventor： 徐涛 ,  张宇晴 ,  王怀兵 ,  王辉

IPC: H01L33/02

Abstract: 本实用新型公开了一种LED芯片补长外延片结构，包括：依次生长在衬底层上的缓冲层、非掺杂半导体层、N型半导体层、量子阱层、载流子限制层、P型半导体层及补长层；所述补长层为Mg掺杂浓度1e+21cm-3的GaN，其厚度为0.01～0.05nm。该实用新型通过在报废外延片表层重新生长一层高掺杂Mg的GaN补长层，使得报废外延片性能与正常外延片性能一致，从而实现了报废外延片的回收再利用，节能环保。

公开(公告)号：CN205937023U

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201620435615.1

申请日：2016-05-16

Applicant: 苏州新纳晶光电有限公司

Inventor： 朱庆荣

IPC: F04B37/14 ,  F04B49/06

Abstract: 本实用新型揭示了一种LED加工用抽真空系统，包括至少两个真空机台，每个真空机台通过主抽气管路连接一真空泵浦，主抽气管路上设置有用于开闭主抽气管路的第一电磁阀，第一电磁阀和真空机台均连接到控制装置；每个真空泵浦还通过包括若干抽气支路的辅助抽气管路与其他真空机台连接，每个抽气支路上设置的第二电磁阀连接到控制装置。本实用新型设计精巧，结构简单，通过设置辅助抽气管路使每个真空泵浦与其他真空机台结合，并控制辅助抽气管路的开闭原则，可以有效的解决真空泵浦对应的真空机台不工作时造成的真空泵浦的功率的损失，同时，能够使多个真空泵浦同时对一个或多个真空机台进行抽真空，能够有效的提高抽真空的效率，保证安全性。

公开(公告)号：CN205746079U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620436068.9

申请日：2016-05-16

Applicant: 苏州新纳晶光电有限公司

Inventor： 杨晓隆

IPC: F21K9/20 ,  F21K9/68 ,  F21Y115/10

Abstract: 本实用新型揭示了一种高透光率的LED晶片，包括基层、嵌入基层内的金属触点及电极引脚，电极引脚的外侧及金属触点的外周均具有用于对光源进行反射的反射层。本实用新型的一种高透光率的LED晶片，在金属触点的外周及电极引脚的外侧设置反射层，防止金属触点及电极引脚吸光后使光源强度衰减，增加了LED灯的照明强度；沟槽的设计降低了金属触点对光源的阻隔，减小阴影面积，沟槽部分内基层能供光源透过，进一步提高了LED灯的亮度。