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公开(公告)号：CN119511630A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411720069.1
申请日：2024-11-28
Applicant: 安徽光智科技有限公司
Abstract: 一种光刻机曝光光源聚焦深度稳定性的工艺监控方法包括步骤：S1，提供晶圆；S2，涂正胶；S3，使正胶曝光，采用掩模版步进式曝光，步进曝光在晶圆表面上按行列排布的格子进行，在要曝光的对应行中的要曝光的相邻连续的格子中，各格子的曝光剂量为恒定且对应产品线宽尺寸，聚焦深度从左往右递增，每步进一个格子聚焦深度以聚焦深度变量改变，向左步进时聚焦深度递减聚焦深度变量，向右步进时聚焦深度递增聚焦深度变量，曝光先从最左边的聚焦深度为负值开始步进曝光直到最右边的聚焦深度为正的最大设定值为止；S4，正胶显影液使正胶显影；S5，线宽扫描电镜收集每个格子不同聚焦深度对应的线宽尺寸，以确定产品线宽尺寸所对应的聚焦深度范围。
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公开(公告)号：CN119225114B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411760623.9
申请日：2024-12-03
Applicant: 江苏快克芯装备科技有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种晶片覆膜装置，包括施压组件、上模座及压头组件，压头组件包括用于下压晶片的压接板、固定在压接板上方且用于对晶片加热的加热板、用于承接施压组件所施加压力的传力板及位于传力板与加热板之间且用于将传力板所受压力进行缓冲的缓冲板，四者同轴固定且缓冲板的横截面积小于传力板及加热板的横截面积，传力板的底面包括位于中部的传力平面及位于传力平面外围以避让加热板的避让斜面；本发明利用缓冲板将来自施压组件的压力均匀传递至压接板，来对晶片均匀施压，从而实现均匀覆膜，且传力板的避让斜面实现了传力板厚度自端部向中心逐渐增大，既避免了传力板自身的形变，也满足了工件的压印要求。
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公开(公告)号：CN119487457A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380051379.6
申请日：2023-08-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种确定与形成在衬底上的至少一个对应的层中的结构相关的至少一个所关注的参数的方法，所述方法包括：获得与所述结构的测量结果相关的所测量的量测数据；获得模型，所述模型依据多个模型参数描述所述结构，所述模型参数包括估计值；以及基于所述所测量的量测数据按顺序执行多个优化步骤以确定所述多个模型参数，所述多个优化步骤中的每个优化步骤确定所述多个模型参数的子集。
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公开(公告)号：CN119487448A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050991.1
申请日：2023-05-10
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： T·波拉克
Abstract: 本发明涉及一种具有光学元件（Mx,117）的光学组件（30），其中光学元件（Mx,117）包括主体（31），并且其中用于使主体（31）变形的至少一个致动器（35）布置在主体（31）的后侧上，并且其中至少一个致动器（35）在第一连接表面处连接到主体（33）的后侧，并且在第二连接表面处连接到背板（36），其中背板（36）仅通过致动器（35）安装。
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公开(公告)号：CN119472163A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411926387.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 格科半导体(上海)有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种提高光刻工艺窗口的方法，包括：提供一包括功能性器件的图形和非功能性的虚拟结构的图形的版图设计；采用第一次光学邻近效应修正对版图设计迭代优化；其中，虚拟结构的图形被视为功能性器件的图形进行优化；对经过第一次光学邻近效应修正后的版图设计进行弱点检测，并筛选出由虚拟结构的图形引起的工艺弱点；针对由虚拟结构的图形引起的工艺弱点，采用第二次光学邻近效应修正进行优化；其中，第二次光学邻近效应修正对虚拟结构的图形进行操作；再次对版图设计进行弱点检测，判断由虚拟结构的图形引起的工艺弱点是否被优化。本发明的技术方案针对虚拟结构引入的工艺进行优化，降低了工艺复杂度，提高了光刻工艺窗口。
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公开(公告)号：CN119462698A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411455822.9
申请日：2024-10-17
Applicant: 珠海莫界科技有限公司
IPC: C07D519/00 , C08F222/24 , G03F7/00
Abstract: 一种高折射率的光学单体及其制备方法、树脂混合物及其应用，其中，高折射率的光学单体包括至少一组杂化单元和分别位于杂化单元两端链的两个多硫链；杂化单元包括通过硫相连的三个苯并硫环，每个苯并硫环包括苯环和与苯环杂化相连的两个环己二硫烷基基团。本发明的高折射率的光学单体，在杂化单元中富含硫元素、苯环结构、苯并硫环结构，这些结构自身具有高摩尔折射率，使整体分子有很高的折射率；而苯环自身具有一定的刚性，结构较为稳定，可提高分子的耐热性。多硫链使整个分子的链长增长，提升柔韧性。多硫链富含硫元素，多硫链和杂化单元相互作用，有助于可见光的穿透。本发明的光学单体具有较高的可见光穿透率、较高的折射率、耐热性好。
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公开(公告)号：CN119447777A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411494421.4
申请日：2024-10-24
Applicant: 深圳市信维通信股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种透明天线及其制作方法。该透明天线包括：透明基膜；透明基膜在第一方向上的任意一个表面为涂覆表面；若干个隔离胶块；若干个隔离胶块以预设的目标间距均匀地排列在透明基膜的涂覆表面上，且相邻两个隔离胶块之间可形成一线槽；若干个导电线路；每个导电线路均填充在一个线槽内，且导电线路具有与线槽相适配的尺寸；导电线路与线槽在第一方向上相平齐，且目标间距小于5um；第一方向为透明基膜的厚度方向。本透明天线的制作方法能有效增加导电线路与透明基膜之间的平整度，从而提高本透明天线的美观度；另外，本透明天线的制作方法还能有效的降低污染。
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公开(公告)号：CN119439628A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411412230.9
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光阻剂组合物和形成光阻图案及图案化材料层的方法。光阻剂组合物包括有机聚合物及可漂浮聚合物。可漂浮聚合物的表面能低于有机聚合物的表面能。固化后，可漂浮聚合物在由有机聚合物形成的光阻层上形成表面层。表面层的存在减少了光学耀斑及化学耀斑，从而改善在光阻层下的材料层中形成的特征的临界尺寸。
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公开(公告)号：CN119439610A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411919955.7
申请日：2024-12-25
Applicant: 何军静
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种使用平行直线束加工纳米图案的方法包括以下：平行直线束加工、加法加工、减法加工；电子产品加工领域中使用最多的是EUV\DUV\OLED等光刻曝光方式，本发明采用平行直线束加工代替光刻加工，在特定加工图案具有大批量、高效率、低成本的优势。平行直线束腌模是实现纳米加工的核心部件，其腌模采用不是常规1:1或者等比例复制图案，而是采用直线束图案，通过减法加工(蚀刻加工、研磨加工)直线束做减法，通过加法加工(薄膜沉积加工、离子注入加工)对直线做加法，大批量加工出需要的图案，是一种从整体往局部细节雕琢的加工过程，与传统等比例或局部往整体晶圆加工过程完全不同。
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公开(公告)号：CN119439603A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411621509.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 上海华大九天信息科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种应用在面板生产领域的掩膜构建方法，属于显示面板生产技术领域，包括：利用经验补偿脚本将设计版图补偿成旧掩膜版图；利用模型查找所述旧掩膜版图中补偿不准的位置，得到仿真轮廓与目标边界的差异；对找到的位置收集数据验证；若验证不一致，则利用实际生产数据对模型进行优化，直到所有补偿不到位的位置的仿真数据与实际生产数据完全一致；利用优化好的模型与修正工具对所述设计版图进行修正；根据修正结果更新补偿不准位置的补偿值；形成新掩膜版图；对所述新掩膜版图进行可制造性检查，若检查通过则进行掩膜生产。本方案可以对面板设计版图进行掩膜补偿质量检查，找到补偿不良的位置，降低测量工作量。
