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公开(公告)号：CN1476638A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN01819415.X
申请日：2001-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H04M1/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/2003 , H01L29/7785 , H03F3/601 , H03F2200/294
Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。
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公开(公告)号：CN1423325A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02154029.2
申请日：2002-12-06
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15173 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。将一根导线在芯片下环绕其他图形延伸,芯片固定在图形上,将输入端子用电极座连接在从芯片露出的导线上。由此,实现在CSP的组件内RF信号路径实质交叉的电路,实现在用户侧安装时装置的小型化,但由于高频信号路径通过芯片之下,所以绝缘恶化。在芯片与在芯片之下环绕的RF信号路的重叠部分,设置构成高频GND电位的导电图形,屏蔽高频信号。
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公开(公告)号：CN1388585A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02120082.3
申请日：2002-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0605
Abstract: 本发明的课题是作成一种使利用2.4GHz以上的高频带的发送侧FET及接收侧FET具有不同的杂质浓度的沟道区的非对称型的电路。为此,将栅极宽度减小到400微米以减小栅极的电容成分,在两个信号路径之间获得规定的隔离,而且能实现输出所希望的最大线性功率的电路。可是,对失真严格的用户要求来说,功率不足,只控制沟道形成条件,Idss的增加有限。解决方法是:使一个栅极宽度为500微米,并且控制沟道形成条件,从而确保Idss,并确保最大线性输入功率。
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公开(公告)号：CN1378340A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN02119269.3
申请日：2002-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K17/00
CPC classification number: H01L29/812 , H01L27/0605
Abstract: 在以往的化合物半导体开关电路装置中,为了尽可能减少插入损耗,而采用了增大栅极宽度Wg,降低FET的导通电阻的设计方法。另外,还采用了在栅极宽度为600微米下得到规定的绝缘的方法。但是,以缩短芯片尺寸为目的,将栅极宽度设为400微米时,存在输出功率不足的问题。本发明着眼于在2.4GHz以上的高频带下省略分流FET并确保绝缘的设计,并进一步具有发送侧FET和接收侧FET杂质浓度不同的沟道区域的非对称型电路。由此,将栅极宽度降低至400微米,使栅极的电容成分减少,实现可在两个信号路径之间得到规定的绝缘,且输出必要最大功率的电路。
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公开(公告)号：CN105261562B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201510394333.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 三浦喜直
IPC: H01L21/3205 , H01L29/40
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/8252 , H01L23/4824 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件。抑制了由于将晶体管的漏极电极与二极管的阴极电极耦合的配线的电感而导致的在其之间的切换的速度的降低。晶体管和二极管形成在衬底之上。晶体管和二极管布置在第一方向上。衬底还包括形成在其之上的第一配线、第一分支配线和第二分支配线。第一配线在晶体管与二极管之间延伸。第一分支配线形成为在以便与晶体管重叠的方向上从第一配线分支，并且耦合至该晶体管。第二分支配线形成为在以便与二极管重叠的方向上从第一配线分支，并且耦合至该二极管。
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公开(公告)号：CN107924938B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201680048254.8
申请日：2016-06-16
Applicant: 泰戈尔技术股份有限公司 , 马尼沙·N·沙哈 , 阿米塔瓦·达斯
IPC: H01L29/66 , H01L29/15 , H03K17/16 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/063 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/0649 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/7831 , H03K2017/066 , H03K2017/6875 , H03K2217/0081
Abstract: HEMT单元包括彼此串联地电连接的两个或更多个氮化镓(“GaN”)高电子迁移率晶体管(“HEMT”)器件。HEMT单元包括HEMT单元漏极、HEMT单元源极和HEMT单元栅极。HEMT单元漏极与该串联中的第一个GaN HEMT器件的漏极连接。HEMT单元源极与该串联中的最后一个GaN HEMT器件的源极连接。HEMT单元栅极连接到与第一个GaN HEMT器件的栅极连接的第一二维电子气(“2DEG”)栅极偏置电阻器。HEMT单元栅极连接到与第二GaN HEMT器件的栅极连接的第二2DEG栅极偏置电阻器。第一和第二2DEG栅极偏置电阻器位于HEMT单元的2DEG层中。还公开了一种多掷RF开关。
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公开(公告)号：CN105793997B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201480066011.8
申请日：2014-01-17
Applicant: LG伊诺特有限公司
Inventor： 约翰·谷内
IPC: H01L29/872 , H01L29/772 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L28/10 , H01L28/40 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/872
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；以及多个器件，位于衬底上，其中该多个器件中的第一器件包括：第一氮化物半导体层，位于衬底上；第二氮化物半导体层，与第一氮化物半导体层一起在衬底与第一氮化物半导体层之间形成第一异质结界面；第三氮化物半导体层，与第二氮化物半导体层一起在衬底与第二氮化物半导体层之间形成第二异质结界面；以及第一接触件，电连接至第一异质结界面和第二异质结界面。
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公开(公告)号：CN104637916B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201410345120.5
申请日：2014-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/0623 , H01L21/8258 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H01L27/0886 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。个示例性半导体器件结构包括第器件层和形成在第器件层上的第二器件层。第器件层形成在衬底上,且包括配置为传导第电流的第沟道结构,第沟道结构包括能够承受第加工温度的第材料。第二器件层包括配置为传导第二电流的第二沟道结构,第二沟道结构包括能够承受第二加工温度的第二材料,第二加工温度等于或低于第加工温度。本发明还涉及具有不同沟道材料的多层半导体器件结构。
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公开(公告)号：CN107925404A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680046927.6
申请日：2016-09-09
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 古河AS株式会社
IPC: H03K17/16 , H01L21/8232 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H03K17/687
CPC classification number: H01L23/645 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/8232 , H01L21/8234 , H01L21/8258 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L27/0255 , H01L27/0288 , H01L27/06 , H01L27/0605 , H01L27/088 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2223/6627 , H01L2224/48245 , H01L2924/19032 , H01P3/081 , H03K17/08116 , H03K17/16 , H03K17/168 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种功率器件，其能够容易地设计在维持开关速度不变的同时应对高频噪声的开关电路。功率器件(10、10A～10D)包括：常导通型第一晶体管(12)、常关断型第二晶体管(14)、以及在第一晶体管(12)与第二晶体管(14)之间构建共源共栅连接且包含电感元件(32)的电通路(16)。
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公开(公告)号：CN104508975B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201380037566.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 天工方案公司
CPC classification number: H03F3/195 , H01L21/8252 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L27/0605 , H01L27/0658 , H01L29/20 , H01L29/7304 , H01L29/7371 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/665 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H03F1/302 , H03F3/191 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03F2200/411 , H03F2200/555 , H04B1/3827 , H04B1/40 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及用于偏置功率放大器的系统。所述系统可以包括第一裸芯，所述第一裸芯包括功率放大器电路以及具有取决于第一裸芯的一个或多个状态的电气性质的无源组件。此外所述系统可以包括第二裸芯，所述第二裸芯包含偏置信号产生电路，所述偏置信号产生电路被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生偏置信号。
