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公开(公告)号：CN100468670C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480005284.8
申请日：2004-01-23
Applicant: 西门子公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24051 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/45124 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15798 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 在一个衬底和一个设置在衬底上的器件上涂覆一个电绝缘材料的覆层，使它衔接在由衬底和器件构成的表面轮廓上。
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公开(公告)号：CN101084578A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200480044638.X
申请日：2004-12-17
Applicant: 西门子公司
Inventor： 沃尔特·阿普费尔巴彻 , 诺伯特·赖琴巴赫 , 约翰·塞茨
CPC classification number: H01L24/73 , H01L24/24 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L25/072 , H01L2224/2402 , H01L2224/24051 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/48472 , H01L2224/82007 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种具有一用平面工艺实施的功率半导体元件(10)的半导体开关模块(1)。其中，所述功率半导体元件(10)包括一基层(110)、一铜层(120)、至少一个安装在所述铜层(120)上的功率半导体芯片(140)以及另一导电层(160)，所述另一导电层覆盖所述功率半导体芯片(140)的至少一个负载连接端(L)。根据本发明，设置有用于将所述负载连接端(L)稳定连接至一负载电路的构件(20，30)。所述构件(20，30)建构为，其通过一接触区域(A)平面地压在所述导电层(160)上。
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公开(公告)号：CN1941339A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159955.7
申请日：2006-09-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/544 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L2221/68368 , H01L2223/54473 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13171 , H01L2224/24225 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83132 , H01L2224/83136 , H01L2224/92244 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H05K1/185 , H05K3/4652 , H05K2201/09518 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09781 , H05K2201/09918 , H05K2201/10674 , H05K2203/016 , H05K2203/1469 , H05K2203/166 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了嵌入有半导体IC的基板及其制造方法。一种适合嵌入其中电极间距非常窄的半导体IC的嵌入有半导体IC的基板。该基板包括：其中在主表面(120a)上设置有柱状凸点(121)的半导体IC(120)；用于覆盖半导体IC(120)的主表面(120a)的第一树脂层(111)；以及用于覆盖半导体IC(120)的背面(120b)的第二树脂层(112)。半导体IC(120)的柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起。用于使柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起的的方法可以包括使用湿法喷砂方法使第一树脂层(111)的厚度整体减小。由此，即使在半导体IC(120)的电极间距窄时也可以适当地暴露出柱状凸点(121)。
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公开(公告)号：CN1922730A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005897.6
申请日：2005-01-19
Applicant: 西门子公司
Inventor： H·施沃茨鲍尔
IPC: H01L23/482 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/82 , H01L23/5389 , H01L24/02 , H01L24/24 , H01L2224/24051 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/82039 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种装置(1)，该装置包括至少一个具有至少一个电接触面(20)的电气元件(2)、至少一个用于电接触该元件的接触面的电连接线(3)、和至少一个被布置在该元件上的电绝缘层(4)，该电绝缘层具有至少一个在该绝缘层的厚度方向(40)上贯穿的孔(42)，该孔被布置为面对该元件的接触面，其中该绝缘层具有形成该孔的边界的侧面(43)并且该电连接线具有至少一个被布置在该侧面上的金属化层(30)。该装置的特征在于，该金属化层相对于接触面倾斜地被定位。由于倾斜地被定位的金属化层，导致连接线的涂敷在绝缘层上的段、绝缘层和所述元件在很大程度上相互机械去耦。为此优选地，金属化层为数个μm厚。通过机械去耦，连接线、绝缘层和元件可以由具有不同热膨胀系数的材料构成。特别是在功率半导体元件的大面积电接触的情况下使用本发明。
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公开(公告)号：CN1531075A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410008094.3
申请日：2004-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 桥元伸晃
CPC classification number: H01L24/25 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L29/0657 , H01L2224/05022 , H01L2224/0508 , H01L2224/05548 , H01L2224/05554 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/25175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82001 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10157 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155
Abstract: 一种电子装置，具有：形成配线图案(22)的基板(20)；具有形成衬垫(14)的第1面(12)及其相反侧的第2面(18)，第2面(18)相向于基板(20)装载的芯片零件(10)；形成于衬垫(14)上的比衬垫14更难以氧化的金属层(15)；设置在芯片零件(10)的附近由树脂构成的绝缘部(30)；和配线(34)，从金属层(15)上通过绝缘部(30)后到达配线图案(22)上。
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公开(公告)号：CN1187905A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：CN96194764.0
申请日：1996-01-09
Applicant: 索莱克公司
IPC: H01L23/498 , G06K19/077
CPC classification number: H01L23/3171 , G06K19/07743 , G06K19/07745 , H01L23/49855 , H01L2224/24225 , H01L2224/274 , H01L2924/01079
Abstract: 植入电路卡前的芯片,包括半导体微板(4),该微板的有源表面备有接触焊盘(5),微板上形成有不同高度的突起(6),微板(4)的有源表面至少部分涂敷厚度大于等于最高突起(6)高度的绝缘材料层(7),该层的形状构成为可自由接触接触焊盘(5),其外表面平行于与有源表面相对的平面(13)。
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公开(公告)号：CN106158818B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610221935.1
申请日：2016-04-11
Applicant: 联发科技股份有限公司
Inventor： 蔡宪聪
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L25/16 , H01L21/4832 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L23/4952 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/04042 , H01L2224/12105 , H01L2224/24146 , H01L2224/24195 , H01L2224/24225 , H01L2224/2512 , H01L2224/25174 , H01L2224/32145 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/82101 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/18165 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/19 , H01L2224/11 , H01L2224/82
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装及其制作方法。其中该半导体封装包含有半导体晶粒、多个I/O垫、模封材和多个打印的内连结构。其中该多个I/O垫分布在该半导体晶粒的主动面上。其中，该模封材覆盖该半导体晶粒的主动面，并且该模封材的下表面与该半导体晶粒的下表面齐平。其中，该多个内连结构嵌入于该模封材中，并电连接该多个I/O垫。其中各个该打印的内连结构包含导电接线以及导电接垫，其中该导电接线与该导电接垫是一体成型的。该半导体封装，利用打印技术(如3D打印)来形成内连结构，因此可以提高半导体封装的良品率。
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公开(公告)号：CN108700275A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780013022.3
申请日：2017-02-23
Applicant: 奇跃公司
Inventor： K·库尔蒂斯
IPC: F21V8/00
CPC classification number: H01L33/62 , G02B6/001 , G02B6/0028 , G02B6/005 , G02B6/0076 , G02B27/017 , G02B27/0172 , G02B2027/0118 , G02B2027/0134 , G02B2027/0178 , H01L33/385 , H01L33/52 , H01L2224/24225 , H01L2224/73265 , H01L2933/0066
Abstract: 在一些实施例中，互连将光发射器电连接到基板上的布线。该互连可以通过3D打印沉积并平放在光发射器和基板上。在一些实施例中，互连具有大致矩形或椭圆形的横截面轮廓，并且在光发射器上方延伸至约50μm或更小、或者约35μm或更小的高度。该小高度允许覆盖的光学结构与光发射器之间的紧密间隔，从而提供从光发射器到光学结构(诸如光管)的光注入的高效率。
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公开(公告)号：CN102891136B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201210249511.8
申请日：2012-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/24146 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92144 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及半导体封装及其形成方法和包括该半导体封装的系统。一种半导体封装可以包括：基板，包括基板连接端子；至少一个半导体芯片，堆叠在基板上并具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖基板的一部分和至少一个半导体芯片的一部分；和/或互连，穿透第一绝缘层以将基板连接端子连接到芯片连接端子。一种半导体封装可以包括：堆叠的半导体芯片，半导体芯片的边缘部分构成台阶结构，每个半导体芯片包括芯片连接端子；至少一个绝缘层，覆盖半导体芯片的至少边缘部分；和/或互连，穿透至少一个绝缘层以连接到每个半导体芯片的芯片连接端子。
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公开(公告)号：CN102473684B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080032884.9
申请日：2010-07-22
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L27/06 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L23/60 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0251 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/24145 , H01L2224/24225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/013
Abstract: 本发明描述系统级封装或多芯片模块，其可包含在载体上方的多层芯片与多层虚拟衬底、未完全地或完全地穿过所述多层芯片且完全地穿过所述多层虚拟衬底的多个穿透通孔、在所述穿透通孔中的多个金属插塞，以及在所述多层芯片之间的连接到所述金属插塞的多个金属互连件。所述多层芯片可通过所述金属插塞和所述金属互连件互相连接，或连接到外部电路或结构，例如母板、球栅格阵列BGA衬底、印刷电路板、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。
