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公开(公告)号:CN108383930B
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN201810103782.X
申请日:2018-02-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08F8/04 , C08F214/22
Abstract: 制备聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯‑三氟氯乙烯)和聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)的方法,采用N,N‑二甲基甲酰胺等为溶剂,以染料类或者金属配合物作为光敏剂,并以硅烷试剂等为链转移剂,由P(VDF‑CTFE)为原料一步法合成P(VDF‑TrFE‑CTFE)或P(VDF‑TrFE);将P(VDF‑CTFE)、光敏剂以及链转移剂同时溶于一定溶剂中,在一定光照条件下搅拌反应一定时间后,在水中析出聚合物,再用甲醇反复浸泡洗涤除去未反应的有机物及其副产物,然后真空干燥至恒重即可;本方法工艺简单,条件温和,组成可控,易得到高纯度的目标产物,有很好的工业应用前景。
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公开(公告)号:CN109942996B
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN201910265499.1
申请日:2019-04-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08L27/16 , C08L25/14 , C08L33/12 , C08L33/14 , C08K9/06 , C08K9/04 , C08K9/02 , C08K9/00 , C08K7/00 , C08K3/24 , C08K3/38 , C08J5/18 , D04H1/541 , D04H1/728 , D01F8/10 , D01F1/10
Abstract: 本申请属于电子材料技术领域,特别是涉及一种复合材料制备方法及复合材料。在多元复合材料中,由于分子间作用力或界面作用的存在,极易形成团聚现象,材料很难形成均一结构。在缺陷或界面处电场分布不均匀,导致其击穿场强急剧下降;填料分布不均一的复合材料容易断裂,也难以大规模成膜,不适用工业生产技术领域。本申请提供了一种复合材料制备方法,所述方法包括如下步骤:聚合物基体共混改性,无机粒子表面功能化改性,静电纺丝预制成膜,预制膜的拉伸制成薄膜。本申请制备的复合材料具有较高储能密度以及高能量释放效率,可广泛应用于混合电动汽车、高功率脉冲和电磁弹射设备、军工国防、智能电网系统领域。
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公开(公告)号:CN109575160A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811455153.X
申请日:2018-11-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08F8/04 , C08F214/22
Abstract: 光引发制备聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)和聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)的方法,采用N,N-二甲基甲酰胺等为溶剂,以三(三甲基硅基)硅烷作为自由基还原剂,由聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)P(VDF-CTFE)为原料一步法合成聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)P(VDF-CTFE-TrFE)或P(VDF-TrFE);将聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)P(VDF-CTFE)及硅烷同时溶于一定溶剂中,在一定光照条件下搅拌反应一定时间后,在水中析出聚合物,再用甲醇或者乙醇反复浸泡洗涤除去未反应的有机物及其副产物,然后真空干燥至恒重即可;本方法工艺简单,条件温和,无金属试剂参与反应,易得到高纯度的目标产物,有很好的工业应用前景。
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公开(公告)号:CN108530574A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810350541.5
申请日:2018-04-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08F212/08 , C08F220/14 , C08F216/08 , C08F8/04
Abstract: 还原制备聚(苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯醇)玻璃态聚合物的方法,采用四氢呋喃等为溶剂,以含氢的金属化合物为还原剂,以P(St-MMA)为原料一步法合成P(St-MMA-MAA);将P(St-MMA)与还原剂同时溶于一定溶剂中,在一定温度条件下搅拌反应一定时间后,将反应溶液在酸化乙醇或者稀盐酸中析出聚合物并除去未反应的还原剂及其副产物,将所得聚合物以甲醇和水等反复洗涤后真空干燥至恒重即可;本方法工艺简单,所用还原剂体系易得,低毒、低残留、污染小,易得到高纯度的目标产物,有很好的工业应用前景。
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公开(公告)号:CN104987631B
公开(公告)日:2017-11-03
申请号:CN201510430455.1
申请日:2015-07-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 由聚(偏氟乙烯‑三氟氯乙烯)制备荧光聚合物的方法,包括以下步骤:步骤一、在三口瓶中,加入P(VDF‑CTFE),同时加入溶剂,无机盐,和催化剂搅拌反应;步骤二、将步骤一中最后得到的溶液倒入饱和食盐水烧杯中,聚合物析出,并用去离子水反复洗涤得到目标产物;得到的聚合物用N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)溶解,并测试荧光性能;或者将得到的聚合物溶解于N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)然后利用溶液流延法制备薄膜,这样就得到具有荧光性能的PVDF塑料薄膜,并且测试荧光性能;本发明具有方法操作简单易控,催化剂使用含量低,易于聚合物纯化的优点;并且解决了荧光聚合物耐水油,漂白性能差等缺陷。
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公开(公告)号:CN105622871A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201510974479.3
申请日:2015-12-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08F299/02 , C08F214/22 , C08F214/24 , C08F8/42
CPC classification number: C08F299/02 , C08F8/42 , C08F2800/20 , C08F2810/20 , C08F2810/50 , C08F214/22
Abstract: 一种交联型氟聚合物基介电弹性体复合材料及其制备方法,其原料组分按质量份数计算包括:60-90份的氟聚合物基体、8-40份重量的功能交联剂和1-3份的催化剂;制备方法为向烧瓶中加入50-120份溶剂,然后加入60-90份含内双键的聚偏氟乙烯系共聚物,强力搅拌30min;强力搅拌下逐滴加入8-40份功能交联剂分子,室温下继续搅拌20-30min;然后逐渐滴入1-3份催化剂,40-60℃下搅拌反应8-10h;降至室温后,将反应溶液过滤,随即在玻璃平板上流延,玻璃平板置于均匀热环境中,逐步升温至60~100℃,干燥4-8h除去溶剂,玻璃平板上即制得交联型氟聚合物基介电弹性体复合材料膜;该方法采用自行合成的含有内双键的聚偏氟乙烯系共聚物为基体,功能交联剂分子为交联单元,可以获得低驱动电压、大电致形变的全有机介电弹性体复合材料。
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公开(公告)号:CN104987631A
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201510430455.1
申请日:2015-07-21
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C08F214/22 , C08F8/30 , C08F8/34 , C08J5/18 , C08J2327/16 , C08L2203/16 , C09K11/06 , C09K2211/14
Abstract: 由聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)制备荧光聚合物的方法,包括以下步骤:步骤一、在三口瓶中,加入P(VDF-CTFE),同时加入溶剂,无机盐,和催化剂搅拌反应;步骤二、将步骤一中最后得到的溶液倒入饱和食盐水烧杯中,聚合物析出,并用去离子水反复洗涤得到目标产物;得到的聚合物用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶解,并测试荧光性能;或者将得到的聚合物溶解于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)然后利用溶液流延法制备薄膜,这样就得到具有荧光性能的PVDF塑料薄膜,并且测试荧光性能;本发明具有方法操作简单易控,催化剂使用含量低,易于聚合物纯化的优点;并且解决了荧光聚合物耐水油,漂白性能差等缺陷。
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公开(公告)号:CN102956812B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201210408794.6
申请日:2012-10-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/193
Abstract: 本发明公开了头-头连接的氢化P(VDF-TrFE)制备驻极体压电材料的应用和方法,将氢化P(VDF-TrFE)制备成膜,然后加热电场极化后,该聚合物具有了意料不到的结果:具有高压电系数、良好的机电耦合性能等优点,分子链中C-F和C-H键形成的偶极距沿电场方向取向,形成类似于TTTT的链排列方式。由于头-头连接的氢化P(VDF-TrFE)具有操作安全、稳定性好和原料毒性低的特点,并且该方法可大幅度降低P(VDF-TrFE)的制备成本,那么利用氢化P(VDF-TrFE)取代现有的PVDF压电膜和直接共聚的P(VDF-TrFE)作为驻极体压电材料,将大幅度降低驻极体压电材料的制备成本。
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公开(公告)号:CN103387682A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201310132737.4
申请日:2013-04-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 可交联耐高电压高储能聚偏氟乙烯塑料薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤一、在三口瓶中,加入P(VDF-CTFE),同时加入溶剂和催化剂搅拌反应;步骤二、将步骤一中最后得到的溶液倒入盐酸烧杯中,聚合物析出;步骤三、将步骤二得到的聚合物用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶解,加入自由基引发剂过氧化苯甲酰(BPO),待溶剂挥发完全后,将附有聚合物薄膜的玻璃片加入烘箱中固化,得到交联的聚合物薄膜;步骤四、将步骤三中得到的交联后的聚合物薄膜制成哑铃状试样,将这些试样在万能试验机上拉伸,这样就得到耐高电压的PVDF塑料薄膜,本发明解决氟聚合物低温拉膜困难的问题;同时,交联也有利于薄膜材料的微晶化,从而有助于击穿场强的提高。
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公开(公告)号:CN103387642A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201310294444.6
申请日:2013-07-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08F259/08 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08J5/18
Abstract: 高储能密度聚偏氟乙烯基接枝改性聚合物的制备方法,采用N-甲基吡咯烷酮等为溶剂,以氯化亚铜、2,2-联吡啶、铜等为催化体系,以聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)P(VDF-TrFE-CTFE)为原料,以聚甲基丙烯酸酯为接枝单体,合成聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)P(VDF-CTFE-TrFE)接枝聚甲基丙烯酸酯共聚物,具有方法操作简单易控,催化剂使用含量低,易于聚合物纯化的优点。
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