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公开(公告)号：CN105005010A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510390973.5
申请日：2015-07-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器及其制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括衬底、依次位于衬底之上的底层线圈、第一生瓷料带层、顶层线圈、第二生瓷料带层、四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层；所述底层线圈与顶层线圈通过金属通孔连接，且底层线圈与顶层线圈中电流流动方向一致，可增强磁场。本发明磁阻传感器采用优化结构的置位/复位线圈层且采用LTCC技术制备，使得在不附加任何磁性辅助层的基础上，提供满足应用需求的磁场，并同时降低置位/复位操作所带来的能耗，且工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN104193224A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410431104.8
申请日：2014-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B26/18 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种微带天线有机复合基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述有机复合基板材料由主相材料和辅助相材料按质量百分数比为100：(80～120)复合而成，所述主相材料为Co2Z型六角铁氧体，配方分子式为(Ba1-xSrx)3Co2Fe24O41，其中x的取值范围为0～0.5，所述辅助相材料为聚四氟乙烯树脂。其制备方法包括：1)称料、混料、一次球磨后烘干；2)预烧；3)二次球磨，烘干；4)复合，烘干；5)热压成型。该方法操作简便，成本低；得到的复合基板材料在100MHz～1GHz频率范围内具有较高的磁导率和介电常数，同时其磁损耗和介电损耗也都较低；得到的基板的柔韧性和均匀性都较好。
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公开(公告)号：CN103771842A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410012814.7
申请日：2014-01-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种以(Zn1-xCox)2SiO4，0.05≤x≤0.1为主晶相组成的低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料在硅锌矿结构的Zn2SiO4基础上进行了适量Co2+的替代，采用LBSCA玻璃助烧降低烧结温度，可实现900℃低温烧结，制备得该微波陶瓷材料介电常数εr为6.1～6.6，具有极低微波损耗、品质因数Q×f值均在30000GHz以上、最高可达到56939GHz，谐振频率温度系数τf约为-55ppm/℃；其制备方法以Co2O3、ZnO、SiO2原料，依次进行称料、一次球磨、烘料、预烧、掺杂、二次球磨、烘料、造粒、成型、烧结工艺；生产原料便宜、生产成本低、制备工艺简单。该微波陶瓷材料在作为LTCC微波介质基板或器件材料时，可以显著降低微波器件或模块的损耗。
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公开(公告)号：CN101944646B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010227245.X
申请日：2010-07-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种集成微带环行器，属于电子技术领域。包括微波介质基片上的金属底电极、纳米线铁磁复合介质、绝缘层和微带环行器Y结；所述纳米线铁磁复合介质由铁磁金属纳米线和三氧化二铝复合而成，其中三氧化二铝具有纳米级多孔结构，而铁磁金属纳米线是经电镀工艺填充于三氧化二铝的纳米孔洞中。制备时，先在微波介质基片上沉积金属底电极和金属铝膜，然后对金属铝膜进行二次阳极氧化处理，再通过电镀工艺在三氧化二铝的纳米孔洞中填充铁磁金属纳米线，最后制作环形器所需Y结。本发明采用铁磁金属与多孔三氧化二铝复合的纳米线铁磁复合介质作为微带环形器的自偏置磁性介质，可提高微带环形器的工作频率、缩小其体积和减轻其重量；同时，所述微带环形器的制备工艺可与微波集成电路工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN101557024B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910059359.5
申请日：2009-05-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/19
Abstract: 基于LTCC技术的带状线式铁氧体移相器，属于微波通讯器件技术领域。整个移相器由两层矩形旋磁铁氧体基片包夹两层矩形陶瓷介质基片形成，两层陶瓷介质基片之间夹有两条平行的磁化电流导线和一条移相用弯曲式微带线；铁氧体基片在宽度方向上超过陶瓷介质基片的两边相互连通，形成封闭的磁回路。器件工作时，铁氧体基片表面的环带形银电极接地，通过磁化电流导线施加脉冲磁化电流使旋磁铁氧体回路磁化，去掉磁化电流后使旋磁铁氧体基片工作于剩磁状态；在移相用弯曲式微带线的两个端电极之间连接微波信号，就会产生非互易的差相移。本发明与现有的铁氧体移相器相比，体积和质量都可以显著的缩小，更利于实现移相器与其它有源/无源器件和组件的集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102280699A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110113518.2
申请日：2011-05-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种LTCC叠层耦合馈电圆极化微带贴片天线，属于天线技术领域。包括馈电层、辐射层介质基板；馈电层介质基板上表面是具有“十字”形镂空区域的接地金属层，下表面具有馈电电路以及与馈电电路绝缘的屏蔽金属层；馈电电路将引入的激励信号功分、移相成为四个幅度相等、相位依次相差90°的分支激励信号，并通过“十字”形镂空区域耦合到辐射金属层；接地金属层与屏蔽金属层之间通过平均分布的金属化通孔相互连通；辐射层介质基板其上表面的辐射金属层为一个分形图形结构，分形图形结构是在正方形金属贴片内部内接镂空圆，再在镂空圆内接正方形金属贴片，如此依次迭代而成。本发明具有兼顾低剖面、宽频带、圆极化以及小型化的优势。
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公开(公告)号：CN102074266A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010593268.2
申请日：2010-12-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 本发明公开了一种稳定剩磁态的自旋阀存储单元，是在基片往上依次设置缓冲层、铁磁层F1、反铁磁层、隔离层、铁磁层F1和覆盖层，其特征在于，该单元为菱形单元，且长轴与短轴之比等于或大于2。本发明的有益效果：通过将常用的椭圆存储单元形状改为菱形，降低了对制备工艺的要求，且通过微磁学模拟，发现菱形单元在长轴L与短轴W之比大于等于2的条件下，其剩磁态呈现单畴态，满足信息稳定存储的要求。
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公开(公告)号：CN101913850A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010218528.8
申请日：2010-07-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高磁导率低烧Z型六角铁氧体材料的制备方法，属于电子材料领域，涉及Z型六角铁氧体材料的低温致密化烧结和高磁导率的获得。本发明通过在传统的铁氧体制备工艺过程中引入高效、节能的微波加热方式，借助于微波对烧结过程的活化，有效降低了六角铁氧体的合成温度，促进了烧结过程的致密化，从而达到改善微观结构提高磁导率的目的。采用本发明所述材料可制备各种基于LTCC技术的高频电感、滤波器、天线和微波吸收介质。
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公开(公告)号：CN101853920A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201019087050.7
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 一种双交换偏置场型自旋阀的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。首先采用薄膜沉积工艺并在外磁场作用下，制备双交换偏置场型自旋阀，其中交换偏置场大小不同，方向相同；然后通过振动样品磁场强度测试计测两个交换偏置场的大小；最后施加介于两个交换偏置场之间大小、方向相反的外磁场，同时在形成较小交换偏置场的铁磁层膜面沿交换偏置场方向施加脉冲电流；根据所施加的外磁场H和脉冲电流的大小的不同，即可改较小的偏置场的大小和方向，从而获得不同的双交换偏置场型自旋阀。本发明利用自旋转移效应来调制双交换偏置场型自旋阀中较小的交换偏置场的大小和方向，简化了制备步骤，增加了该种双交换偏置自旋阀应用的灵活性。
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公开(公告)号：CN101847433A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010146346.4
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 一种CP构架的磁性随机存储器及其信息读取方法，属于磁性材料与元器件领域。所述CP构架的磁性随机存储器包括两个相同的CP构架的磁性随机存储器阵列和一个比较器，一个阵列为主磁性随机存储器阵列A1，另一个阵列为存储信息已知的参考磁性随机存储器阵列A2，A1的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的一个输入端；A2的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的另一个输入端。信息读取时，通过比较器输出电平的高低来判断主磁性随机存储器阵列A1中读取单元的信息是否与参考磁性随机存储器阵列A2中相应存储单元所存储的信息一致的方式来读取信息。本发明可在存储密度不变的前提下消除漏电流影响，保证存储单元信息读出的准确率。
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