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公开(公告)号：CN1713313A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510079130.X
申请日：2005-06-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01F1/0572 , H01F41/0293 , Y10T428/2991
Abstract: 提供一种稀土类磁铁及其制造方法以及永磁电动机，该稀土类磁铁可以兼具高顽磁力和高剩磁通密度。该稀土类磁铁在作为R－Fe－B(R是稀土类元素)系磁铁的主相的Nd2Fe14B的表面或晶界的一部分上形成层状的晶界相，上述晶界相包含氟化物，该氟化物的厚度小于等于10μm，或者该氟化物的厚度大于等于0.1μm小于等于10μm，该氟化物的主相粒子覆盖率平均为大于等于50％。在使在上述晶界相中以片状形成的粉末的氟化物形成为层状之后，在规定的温度下真空熔化后，进行急冷。或者通过对上述主相和氟化物加热加压使该氟化物沿着上述晶界形成为层状进行制造。
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公开(公告)号：CN116888291A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202180094506.1
申请日：2021-09-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C22C38/00
Abstract: 提供具有与波明德合金相媲美的饱和磁通密度及与电磁纯铁同等的铁损、且与波明德合金相比为低成本的软磁性铁合金板及其制造方法。本发明涉及的软磁性铁合金板的特征在于，具有包含0原子％以上30原子％以下的Co、0.1原子％以上11原子％以下的N和0原子％以上1.2原子％以下的钒、余量由Fe及杂质构成的化学组成，在所述软磁性铁合金板的厚度方向上，具有平均氮浓度为1原子％以上15原子％以下的表层区域、和平均氮浓度低于所述表层区域的平均氮浓度的内部区域，所述表层区域具有所述软磁性铁合金板的从两主面起1％以上30％以下的厚度、且生成有正方晶结构的氮化铁马氏体。
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公开(公告)号：CN116134160A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060633.X
申请日：2021-05-11
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C21D3/08
Abstract: 本发明提供一种显示比电磁纯铁板高的饱和磁通密度和低的铁损的软磁性铁板、该软磁性铁板的制造方法、使用了该软磁性铁板的铁芯和旋转电机。本发明的软磁性铁板是以铁为主要成分且含有氮的软磁性铁板，其特征在于，沿着上述软磁性铁板的厚度方向包括具有2～11原子％的氮浓度的高氮浓度层、具有上述高氮浓度层的氮浓度的一半以下的氮浓度的低氮浓度层、和将上述高氮浓度层的氮浓度与上述低氮浓度层的氮浓度相连的氮浓度过渡层，上述软磁性铁板的至少两主面的表层区域成为上述低氮浓度层。
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公开(公告)号：CN102262949B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201010570710.X
申请日：2010-11-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01F1/055 , C22C38/005 , H01F1/0552 , H01F1/11 , H01F1/112
Abstract: 本发明提供铁磁性化合物磁铁，对稀土类磁铁，抑制稀有元素使用量，确保高的磁特性。本发明提供铁磁性氟化合物的永久磁铁材料，在R-Fe(R为4f过渡元素或Y)的2元素体系或R-Fe-T(T为除Fe外的3d过渡元素，或Mo、Nb、W)的3元素体系中，4f过渡元素相对3d过渡元素的原子比在15％以下的4f过渡元素-3d过渡元素合金中，在上述合金的结晶晶格的填入位置配置F元素，特别是涉及用R2(Fe，T)17Fx(0＜x≤3)、R3(Fe，T)29Fy(0＜y≤4)、及R(Fe，T)12Fz(0＜z≤1)表示的结晶晶格，得到伴随着结晶晶格体积的增加的几何学效果、及F元素的强电负性效果引起的磁矩的增加、居里温度的上升、以及磁各向异性的改性。
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公开(公告)号：CN103187811A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210568672.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02K1/02 , H01F41/0293 , H02K1/2766
Abstract: 本发明涉及烧结磁铁电动机。在现有技术中，没有使Nd2Fe14B烧结磁铁的最大能积增加且使剩余磁通密度为可变的例子，难以提供使用了烧结磁铁的磁通可变电动机。本发明的烧结磁铁电动机由转子、定子及线圈构成，在转子中配置有烧结磁铁。该烧结磁铁电动机通过由线圈电流产生的磁场控制烧结磁铁的剩余磁通密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101202140B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200710181268.X
申请日：2007-10-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F1/24 , B22F1/02 , H01F27/255 , H01F41/02
CPC classification number: H01F41/0246 , B22F1/02 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , C22C2202/02 , H01F1/24 , H01F3/08 , H02K1/02 , Y02T10/641 , B22F9/08 , B22F1/0085 , B22F3/02 , B22F3/24
Abstract: 本发明提供一种具有氟化物被膜的压粉磁芯，可以增加电阻值，同时实现低损耗和高电阻两方面。在铁粉末或以铁为主成分的合金粉末的表面形成了由稀土类金属氟化物或碱土类金属氟化物构成的被膜后，在进行压缩成形之前进行预热处理，其后进行压缩成形和应力消除热处理而制造压粉磁芯。通过加入预热处理工序，可以提高电阻率，同时实现低铁损和高电阻两方面。预热处理温度可以与应力消除热处理温度相同，或在比之低100℃的温度的范围中进行。
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公开(公告)号：CN101656133B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910165502.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02K1/02 , H01F1/0577 , H01F41/0293 , H02K1/2766
Abstract: 本发明提供一种具备烧结磁铁的旋转机械以及烧结磁铁的制造方法，其中，所述烧结磁铁具有：以铁作为主成分的强磁性材料，在所述强磁性材料的晶粒内部或晶界部的一部分中形成的氟化合物层或氧氟化合物层，所述氟化合物层或所述氧氟化合物层所含有的碱、碱土类元素、稀土类元素的至少一种及碳，所述氟化合物层或所述氧氟化合物层的一部分从所述强磁性材料的表面贯穿内部、连续地延伸到相反一侧表面的连续延伸层；距离所述强磁性材料的表面100μm以内区域的平均氟浓度与距离表面100μm以上的包括中心部的区域的平均氟浓度之比为1±0.5以内，在所述强磁性材料的晶界附近的母相中有所述稀土类元素的浓度梯度。
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公开(公告)号：CN101958170A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010287878.X
申请日：2007-08-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/65 , G11B5/743 , H01F1/0571 , H01F41/0293 , H02K1/02 , Y10T29/53261 , Y10T409/305656 , Y10T409/305712 , Y10T409/305768 , Y10T409/305824 , Y10T428/258 , Y10T428/26
Abstract: 一种高电阻磁铁及使用其的电机，该磁铁具有由以铁为主成分的强磁性材料构成的粒子，和形成碱元素、碱土类元素、稀土类元素中1种以上的氟化合物粒子的氟化合物层，所述氟化合物层呈层状形成在由所述强磁性材料构成的粒子表面，所述氟化合物粒子具有浓度为50原子％以上的铁、浓度为5～30原子％的碱、碱土类元素或稀土类元素中至少一种元素以及浓度为1～20原子％的氟。因此，关于在Fe系磁粉的表面形成有氟化合物的成形体的损失，基于高电阻使涡流损失降低、并且基于磁化旋转使损失降低。
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公开(公告)号：CN101013621B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200610168595.7
申请日：2006-12-21
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01F1/0577 , H01F1/0572 , H01F1/0579 , H01F41/0293 , H02K1/02 , H02K1/246 , H02K1/276 , H02K1/2766 , H02K1/278
Abstract: 在NdFeB粉表面上混合氟化合物粉末制作了的磁粉和磁铁随氟化合物的混合量的增加残留磁通密度下降、能量积显著地下降。本发明的课题是抑制这样的磁特性的下降。为了解决上述课题，通过将其电阻与包含铁或钴的母相相比高10倍或10倍以上的高阻层形成为层状，将氧浓度控制在大于等于10ppm至小于等于10000ppm，可提高磁铁的可靠性或残留磁通密度。
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公开(公告)号：CN100589755C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610165927.6
申请日：2006-12-11
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: A61B5/055 , G01R33/48 , G01R33/383
CPC classification number: G01R33/383 , G01R33/3806 , G01R33/3873 , Y10T428/12014
Abstract: 发生于MRI装置的磁路周边的涡流是理想的磁场梯度波形偏离产生的原因之一，成为图像畸变、强度损失、重影发生及信号损失、光谱畸变的原因。以抑制涡流的发生为课题。解决手段是采用以如下为特性的MRI装置的结构：在以含有铁或钴的母相为主的显示强磁性的粉末的表面的一部分或全部，沿着该表面的一部分层状形成比母相阻抗高10倍以上、且维氏硬度比母相小的高阻抗层，将成形了所述粉末的强磁性体使用于磁路的一部分。
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