公开(公告)号：CN118971576A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202311712273.4

申请日：2023-12-13

Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 ,  南瑞集团有限公司

Inventor： 陆扬 ,  汪涛 ,  张茂强 ,  李汉杰 ,  虞晓阳 ,  黄樟坚

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/32

Abstract: 一种IGBT模块并联的驱动电路，包括：N个IGBT，N为大于或等于2的整数；推挽放大器，用于根据一对互斥的开通信号和关断信号产生驱动信号；与所述N个IGBT一一对应的N个驱动接口单元；驱动接口单元包括输入端、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电感L1；其中，输入端接收驱动信号，且经由电阻R1连接至对应IGBT的门极；对应IGBT的发射极依次经由电感L1和电阻R2连接至副边参考地电位；二极管D1的正极和负极分别连接至对应IGBT的发射极和电感L1与电阻R2连接的一端；N个IGBT的发射极连接在一起；N个IGBT的集电极连接在一起。本发明可在有效抑制因IGBT不均流引发的发射极环流的同时，减小推挽放大器的体积、降低均流反馈电阻的选型难度。

公开(公告)号：CN117996792A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211334826.2

申请日：2022-10-28

Applicant: 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 ,  南京南瑞继保电气有限公司

Inventor： 任正 ,  窦宇宇 ,  刘春晖 ,  陈更 ,  王宇 ,  谢晔源 ,  盛晓东 ,  苟建民 ,  丁勇 ,  张茂强

IPC: H02J3/28 ,  H02J3/32 ,  H02J3/38 ,  H02J3/24

Abstract: 本发明公开一种混合储能系统，包括N个低压升压储能系统和M个高压直挂储能系统，所述低压升压储能系统与高压直挂储能系统的输出侧并联在同一段交流母线；所述低压升压储能系统包括低压储能变流器、第一控制器；所述高压直挂储能系统包括数个高压直挂储能变流器和第二控制器；所述混合储能系统还包括协调控制器，其与第一控制器、第二控制器建立通信，并下发控制指令。本发明还公开一种协调控制方法，控制所述混合储能系统工作在快速功率响应模式、分级投入模式、孤岛运行模式、黑启动模式这几种模式。此种技术方案能够充分发挥高压直挂储能系统和低压升压储能系统两种储能系统的优势，并能够在实现稳定控制的前提下，灵活实现系统功能。

公开(公告)号：CN115173843A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210866691.8

申请日：2022-07-22

Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 ,  南瑞集团有限公司

Inventor： 黄樟坚 ,  汪涛 ,  虞晓阳 ,  张茂强 ,  李响 ,  王子龙 ,  骆仁松

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/042 ,  H02H7/20

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET短路保护电路，包括逻辑控制单元、栅极驱动器、短路故障检测电路和短路保护动作电路；所述逻辑控制单元包括启动单元1、启动单元2；所述短路故障检测电路包括漏源电压式故障检测单元、栅极电压/电荷式故障检测单元、漏源电流式故障检测单元。本发明结合漏源电压式短路保护动作更可靠，栅极电压/电荷式和基于检测电感的漏源电流式短路保护响应速度更快的优点，通过栅极电压/电荷式故障检测单元和漏源电流式故障检测单元的检测结果分别触发启动单元1、启动单元2，任一启动单元被触发，则加速单元动作，加快漏源电压式故障检测单元响应速度，若启动单元1和启动单元2都被触发，则短路保护动作电路软关断SiC MOSFET。

公开(公告)号：CN113919116A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202010656706.9

申请日：2020-07-09

Applicant: 武汉大学 ,  南京南瑞继保电气有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网冀北电力有限公司

Inventor： 白梁军 ,  汪涛 ,  周扬 ,  黄萌 ,  张茂强 ,  文继锋 ,  卢宇 ,  李响

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明提出了一种基于GARCH模型的IGBT剩余使用寿命预测方法。本发明通过分析集电极‑发射极通态压降和IGBT疲劳老化的关系，利用最小二乘法建立初始老化模型，进而对噪声序列进行平稳性检验，进而建立基于GARCH模型的IGBT老化模型，评估IGBT老化状态，提高IGBT寿命预测的精度。本发明解决了IGBT具体生产工艺引起个体差异和实际工况带来的影响。根据功率循环加速老化试验建立集电极‑发射极通态压降VCE，on与功率循环次数的数学模型，可精确地得到单个IGBT模块的老化状态。

公开(公告)号：CN112564525A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011319149.8

申请日：2020-11-23

Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 汪涛 ,  文继锋 ,  骆仁松 ,  虞晓阳 ,  张茂强 ,  李响

IPC: H02M7/483 ,  H02M7/5395 ,  H02M7/5387 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明公开的是一种适用于中高压场合的多电平变换器拓扑及控制方法，多电平变换器拓扑由第一隔直电容、第一移相电感、第一隔离变压器、原边多电平变换单元和副边变换单元构成；原边多电平变换单元由第一变换单元和第二变换单元串联构成。第一变换单元交流输出端和第二变换单元交流输出端与第一隔直电容、第一移相电感以及第一隔离变压器原边串联连接构成多电平变换器原边。两个变换单元串联的结构在相同功率器件的前提下，大大提升了单个模块的工作电压等级，降低了系统体积和造价；采用本发明提出的控制方法，减小输入输出电压不匹配情况下变压器电流，降低变换器损耗，同时保持第一变换单元和第二变换单元直流电压均衡。

公开(公告)号：CN105098730A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410159316.5

申请日：2014-04-18

Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司

Inventor： 张茂强

IPC: H02H7/20 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT过流检测装置及方法，所述方法包括：采集IGBT的导通电压值及所述IGBT的结温温度值；根据采集到的所述IGBT的导通电压值及所述IGBT的结温温度值，确定所述流经所述IGBT的电流超过预设的所述IGBT过流保护值时，关断IGBT。