-
公开(公告)号：CN101748373A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910312326.7
申请日：2009-12-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种高热稳定性和低电阻率Cu(C)薄膜的制备方法，属于新材料领域。该制备方法利用混合焓和原子尺寸作为添加元素判据，辅助以相图，选择C为掺杂元素；并以固溶体模型为理论依据，于Si基体上溅射Cu(4at％C)薄膜。薄膜制备工艺步骤是：基片清洗、设备抽取真空、溅射过程。其中溅射功率为340W，溅射时间为20min，氩气流量为220sccm，工作气压为0.6Pa，得到250nm厚的Cu(C)薄膜。由于Cu膜中元素C的适量加入，以及形成的自钝化非晶层，可以有效的阻挡Cu-Si之间的扩散，薄膜真空退火后可以得到低电阻率的Cu薄膜，C的加入提高了Cu膜的热稳定性能。
Search Results
51
records
(took 0.018 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
