一种超低衰减单模光纤

    公开(公告)号:CN104880766A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510359529.7

    申请日:2015-06-25

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于芯层半径R1为3.8~4.5μm,Δ1为-0.05%~0.12%,芯层外从内向外依次包覆内包层,第一下陷内包层,中间内包层,第二下陷内包层,辅助外包层和外包层,内包层半径R2为8~15μm,Δ2为-0.35%~-0.15%,第一下陷内包层半径R3为13~20μm,Δ3为-0.8%~-0.35%,中间内包层半径R4为16~23μm,Δ4为-0.45%~-0.15%;第二下陷内包层半径R5为20~30μm,Δ5为-0.6%~-0.25%;辅助外包层半径R6为35~50μm,Δ6范围为-0.45%~-0.15%;外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明在获得较低衰减系数的同时,各个光学参数满足G.652.B标准要求,并且具有较好的弯曲损耗、色散性能。

    一种超低衰减大有效面积单模光纤

    公开(公告)号:CN117555067A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311490381.1

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层分为两层,包括中心的第一芯层和包覆第一芯层的第二芯层,所述的第一芯层半径R1为1~2.5μm,相对折射率差Δn1为0.01~0.1%,所述的第二芯层半径R2为3.5~6.5μm,相对折射率差Δn2为□0.08~0%,所述的包层从内向外依次包括内包层和外包层,所述内包层半径R3为20~40μm,相对折射率差Δn3为‑0.45~‑0.32%,且Δn2‑Δn3≥0.3%,所述外包层半径R4为62.5μm,相对折射率差Δn4为‑0.32~‑0.22,且Δn4‑Δn3≥0%。本发明设置两层芯层,使得芯层的粘度分别更为均匀,更为平和地过渡到包层,从而优化芯层粘度匹配和光纤各个部分粘度和应力,实现单模光纤的超低衰减性能。

    一种低损耗抗弯曲单模光纤

    公开(公告)号:CN114325928B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202111662461.1

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种低损耗抗弯曲单模光纤,包括芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径R1为3~5μm,相对折射率差Δn1为‑0.1%~0.15%,所述的包层由内向外依次分为内包层和外包层,所述的内包层半径R2为20~35μm,相对折射率差Δn2为‑0.42%~‑0.2%,所述的外包层半径R为62.5μm,相对折射率差Δn3=‑0.37%~‑0.15%。本发明设置合理的芯层波导结构和掺杂,降低芯层的浓度因子和瑞利散射系数,使得光纤的衰减更低。本发明芯包层剖面和掺杂设置合理,进一步改善了光纤的粘度匹配,使光纤既能满足低衰减的要求,又能抗弯,并与常规G.652.D光纤兼容,本发明能采用高速拉丝,提高生产效率,从而降低光纤制造的成本。

    一种大模场直径弯曲不敏感单模光纤

    公开(公告)号:CN113608298B

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111178739.8

    申请日:2021-10-11

    Abstract: 本发明公开了一种大模场直径弯曲不敏感单模光纤,由内而外依次包括:折射率分布呈抛物线型分布的芯层,折射率依次降低的阶跃型第一下陷包层与第二下陷包层、以及纯二氧化硅外包层;所述第一下陷包层与第二下陷包层的厚度之比在0.6至1.8之间。采用了芯层折射率分布呈抛物线型分布并限定了芯层直径和芯层折射率,以保证弯曲不敏感光纤在单模条件下的大模场直径的实现;对于下陷包层采用双包层的剖面结构,通过内包层掺F来降低内包层的折射率,以达到芯包层折射率差异要求保证光纤波导设计要求,并通过双下陷包层的深度与宽度进行优化配比实现更好的宏弯性能;同时能保持稳定优异的弯曲损耗,避免出现弯曲损耗振荡带来的回音壁模式效应。

    一种色散优化弯曲不敏感光纤

    公开(公告)号:CN113625390A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202111195958.7

    申请日:2021-10-14

    Abstract: 本发明公开了一种色散优化弯曲不敏感光纤,其在芯层和下陷包层之间,设有过渡下陷包层,所述过渡下陷包层的相对折射率差由内而外从0%连续变化至下陷包层的交界点的相对折射率差。本发明采用双下陷包层对波导色散和宏弯性能进行平衡优化,保证光纤的弯曲性能不受影响的前提下降低其色散系数;其中处于芯层和下陷包层之间的过渡下陷包层,其折射率连续变化,来降低波导结构中芯层与包层的折射率差异带来的波导色散,限定过渡下陷包层的折射率分布和宽度,优化了色散系数,避免了凸起包层带来的在小弯曲半径下的弯曲损耗过大的问题。

    一种低衰减阶跃型轨道角动量光纤

    公开(公告)号:CN110297288B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201910300226.6

    申请日:2019-04-15

    Abstract: 本发明涉及一种阶跃型低衰减轨道角动量光纤,包括有芯层和包层,所述芯层R1为3~5微米,Δ1为‑0.08%~0.08%,芯层外从内向外依次包覆环形芯层、下陷包层和外包层,环形芯层从内向外依次包括内环形芯层、下陷环形芯层和外环形芯层,内环形芯层的R2为4~6μm,Δ2为0.7%~1%,下陷环形芯层R3为5~7μm,Δ3为0.6%~0.9%,外环形芯层的R4为7~9μm,Δ4为0.7%~1%,且Δ4与Δ2相等或基本相等,下陷包层R5为11~16μm,Δ5为‑0.6%~‑0.3%,上述相对折射率差为光纤各层与外包层的相对折射率差,所述的外包层为相对纯二氧化硅层为负折射率的外包层。本发明不仅能支持四个模式组的长距离信号传输,衰减低,而且光纤的串扰、各模式的宏弯和微弯损耗等综合性能好。

    一种阶跃型超低衰减少模光纤

    公开(公告)号:CN107608023B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201710839861.2

    申请日:2017-09-18

    Abstract: 本发明涉及一种阶跃型超低衰减少模光纤,包括有芯层和包层,芯层半径r1为5~8μm,相对折射率差Δn1为0~0.20%,芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层,内包层半径r2为8.5~14μm,相对折射率差Δn2为‑0.45~‑0.23%,下陷内包层半径r3为14.5~30μm,相对折射率差Δn3为‑0.65~‑0.40%,辅助外包层半径r4为35~50μm,相对折射率差Δn4为‑0.45~‑0.23%,外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明的少模光纤在1550nm通讯波段支持两个稳定传输模式均具有超低的衰减,通过对光纤各纤芯层剖面的合理设计,使光纤具有较低的差分模群时延和优异的抗弯曲性能,且具较大有效面积。

    一种阶跃型超低衰减四模光纤

    公开(公告)号:CN108363141A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201810148500.8

    申请日:2018-02-13

    CPC classification number: G02B6/03683 G02B6/02 G02B6/02019

    Abstract: 本发明涉及一种阶跃型超低衰减四模光纤,包括有芯层和包层,所述芯层半径R1为7~18微米,Δ1为-0.05%~0.2%,芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层,内包层半径R2为11~22微米,Δ2为-0.4%~-0.15%,下陷内包层半径R3为15~26微米,Δ3为-0.8%~-0.3%,辅助外包层半径R4为37~50微米,Δ4为-0.6%~-0.25%,外包层为纯二氧化硅玻璃层,所述的光纤在C波段上支持四个LP模式的传播:LP01、LP11、LP21和LP02。本发明不仅能支持四个模式的长距离信号传输,而且每个模式均具有较低的衰减系数,制造成本低,光纤的弯曲损耗、色散等综合性能在应力波段都处于一个很好的水平。

    一种超低衰耗弯曲不敏感单模光纤

    公开(公告)号:CN104749691B

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201510206222.3

    申请日:2015-04-28

    CPC classification number: G02B6/03633 G02B6/02009 G02B6/028 G02B6/036

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减弯曲不敏感单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为3.0~3.9μm,芯层相对折射率Δn1为‑0.04%~0.12%,芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层,辅助外包层和外包层,所述的光纤的内包层半径r2为8~14μm,相对折射率Δn2为‑0.35%~‑0.10%;所述的下陷内包层半径r3为14~20μm,相对折射率Δn3为‑0.6%~‑0.2%,所述的辅助外包层半径r4为35~50μm,相对折射率Δn4范围为‑0.4%~‑0.15%。本发明具有较低衰减系数和优异弯曲性能,并通过对光纤各芯包层剖面的合理设计,使光纤具有等于或大于8.4的MFD;本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好,能兼容G657.A2标准。

    一种低衰减大有效面积的单模光纤

    公开(公告)号:CN104777551B

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:CN201510209916.2

    申请日:2015-04-28

    Abstract: 本发明涉及一种具有低衰减大有效面积的单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为4.8~6.5μm,芯层相对折射率Δ1为0.10%~0.24%,芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层,过渡外包层和外包层,所述的光纤的内包层半径r2为8.5~15μm,相对折射率Δ2为‑0.3%~‑0.05%,所述的下陷内包层半径r3为14~22μm,相对折射率Δ3为‑0.45%~‑0.2%,所述的过渡外包层半径r4为35~50μm,相对折射率Δ4范围为‑0.25%~‑0.05%;所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明降低了光纤的衰减参数;并通过对光纤各纤芯层剖面的合理设计,使光纤具有等于或大于100μm2的有效面积,本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好,光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构,对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。

Patent Agency Ranking